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efecto de radiación permanente

efecto de radiación permanente, Total: 164 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en efecto de radiación permanente son: Geología. Meteorología. Hidrología, Materiales aislantes, Organización y gestión de la empresa., Equipos y sistemas eléctricos aeroespaciales., Componentes electrónicos en general., Mediciones de radiación, Equipos e instrumentos a bordo., Equipo medico, Protección de radiación, Aeronaves y vehículos espaciales en general., Sistemas y operaciones espaciales., Dispositivos semiconductores, Materiales para la construcción aeroespacial., Circuitos integrados. Microelectrónica, Maquinaria para movimiento de tierras, válvulas, Pruebas ambientales.

Danish Standards Foundation, efecto de radiación permanente

DS/IEC 544-3:1981 Guía para determinar los efectos de las radiaciones ionizantes sobre materiales aislantes. Parte 3: Procedimientos de prueba para efectos permanentes
DS/EN IEC 60522-1:2021 Equipos electromédicos – Rayos X de diagnóstico – Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente
DS/IEC TR 60522-2:2020 Equipos electromédicos – Diagnóstico por rayos X – Parte 2: Orientación y fundamento sobre la filtración de calidad equivalente y la filtración permanente

Illuminating Engineering Society of North America, efecto de radiación permanente

IESNA HB-9 CHAPTER 5-2000 Efectos no visuales de la radiación óptica

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, efecto de radiación permanente

GJB 9730-2020 Especificación para detectores de efecto de radiación de partículas.
GJB 9397-2018 Método de prueba para los efectos de la radiación de neutrones de componentes electrónicos militares.
GJB 9396-2018 Método de prueba de simulación terrestre para los efectos de la radiación en el entorno espacial de dispositivos de carga acoplada
GJB 8670.6-2015 Métodos de prueba para efectos especiales de bombas Parte 6: Determinación de la temperatura de la llama de bombas incendiarias Método de radiación térmica
GJB 5214.19-2003 Método de prueba del efecto de bomba especial Parte 19: Método de paso de banda para medir la intensidad de la radiación infrarroja de bombas de interferencia infrarroja

中国气象局, efecto de radiación permanente

QX/T 546-2020 Terminología para los efectos de la radiación espacial de partículas de alta energía

British Standards Institution (BSI), efecto de radiación permanente

DD IEC/TS 62396-1:2006 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de un solo evento dentro de los equipos electrónicos de aviónica.
BS EN 62396-1:2016 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de un solo evento dentro de los equipos electrónicos de aviónica.
DD IEC/TS 62396-3:2008 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica.
DD IEC/PAS 62396-3:2007 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica.
BS EN 60544-1:2013 Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes. Interacción de radiación y dosimetría.
BS IEC 62396-1:2012 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica
BS DD IEC/TS 62396-1:2006 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica
BS IEC 62396-1:2016 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica
BS EN 60544-4:2003 Materiales aislantes eléctricos - Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes - Sistema de clasificación para el servicio en ambientes radiactivos
BS EN IEC 60522-1:2021 Equipos eléctricos médicos. Radiografías de diagnóstico. Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente.
PD IEC TR 60522-2:2020 Equipos eléctricos médicos. Radiografías de diagnóstico. Orientación y fundamento sobre filtración de calidad equivalente y filtración permanente
PD CEN/TR 17602-60-02:2021 Garantía de producto espacial. Manual de técnicas para la mitigación de los efectos de la radiación en ASIC y FPGA.
DD IEC/TS 62396-2:2008 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: Directrices para las pruebas de efectos de un solo evento en sistemas de aviónica
DD IEC/PAS 62396-2:2007 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: Directrices para las pruebas de efectos de un solo evento en sistemas de aviónica
18/30373156 DC BS EN 60522-1. Equipos eléctricos médicos. Radiografías de diagnóstico. Parte 1. Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente 38
BS IEC 62396-3:2013 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica.
BS IEC 62396-2:2017 Cambios rastreados. Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Directrices para pruebas de efectos de eventos únicos para sistemas de aviónica
DD IEC/TS 62396-5:2008 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: directrices para evaluar los flujos y efectos de neutrones térmicos en los sistemas de aviónica
DD IEC/PAS 62396-5:2007 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: directrices para evaluar los flujos y efectos de neutrones térmicos en los sistemas de aviónica
BS DD IEC/TS 62396-4:2009 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Directrices para diseñar con electrónica de aeronaves de alto voltaje y posibles efectos de un solo evento
DD IEC/TS 62396-4:2008 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: directrices para el diseño con electrónica de aeronaves de alto voltaje y posibles efectos de un solo evento
DD IEC/PAS 62396-4:2007 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica: directrices para el diseño con electrónica de aeronaves de alto voltaje y posibles efectos de un solo evento
PD IEC/TR 62396-7:2017 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Gestión del proceso de análisis de efectos de evento único (SEE) en el diseño de aviónica.
PD IEC TR 62396-8:2020 Gestión de procesos para aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Flujos de protones, electrones, piones, muones, rayos alfa y efectos de evento único en equipos electrónicos de aviónica. Pautas de concientización

Standard Association of Australia （SAA）, efecto de radiación permanente

IEC 62396-1:2016 RLV Gestión de procesos para la aviónica. Efectos de la radiación atmosférica. Parte 1: Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de los equipos electrónicos de aviónica.

IEC - International Electrotechnical Commission, efecto de radiación permanente

TS 62396-1-2006 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 1: Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica (Edición 1.0)
TS 62396-3-2008 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 3: Optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica (Edición 1.0)
PAS 62396-3-2007 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 3: Optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica (Edición 1.0)
IEC 60544-3:1979 Guía para determinar los efectos de la radiación ionizante en materiales aislantes Parte 3: Procedimientos de prueba para efectos permanentes (Edición 1.0)
TS 62396-2-2008 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 2: Directrices para las pruebas de efectos de un solo evento para sistemas de aviónica (Edición 1.0)
PAS 62396-2-2007 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 2: Directrices para las pruebas de efectos de un solo evento para sistemas de aviónica (Edición 1.0)
PAS 62396-5-2007 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 5: Directrices para evaluar los flujos y efectos de neutrones térmicos en sistemas de aviónica (Edición 1.0)
TS 62396-5-2008 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 5: Directrices para evaluar los flujos y efectos de neutrones térmicos en sistemas de aviónica (Edición 1.0)
TS 62396-4-2008 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 4: Directrices para el diseño con electrónica de aeronaves de alto voltaje y posibles efectos de un solo evento (Edición 1.0)
PAS 62396-4-2007 Gestión de procesos para aviónica – Efectos de la radiación atmosférica – Parte 4: Directrices para el diseño con electrónica de aeronaves de alto voltaje y posibles efectos de un solo evento (Edición 1.0)

WRC - Welding Research Council, efecto de radiación permanente

BULLETIN 87-1963 ACTORES CRÍTICOS EN LA INTERPRETACIÓN DE LOS EFECTOS DE LA RADIACIÓN EN LAS PROPIEDADES MECÁNICAS DE LOS METALES ESTRUCTURALES IMPLICACIONES COMERCIALES DE LOS EFECTOS DE LA RADIACIÓN EN EL DISEÑO DE RECIPIENTES A PRESIÓN DEL REACTOR @ FABRICATI

International Electrotechnical Commission (IEC), efecto de radiación permanente

IEC TS 62396-3:2008 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 3: Optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica
IEC TS 62396-1:2006 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 1: Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica
IEC TR 60522-2:2020 Equipos electromédicos - Diagnóstico por rayos X - Parte 2: Orientación y fundamento sobre la filtración de calidad equivalente y la filtración permanente
IEC 60544-4:2003 Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes. Parte 4: Sistema de clasificación para el servicio en ambientes radiactivos.
IEC 60544-4:1985 Guía para determinar los efectos de las radiaciones ionizantes sobre materiales aislantes. Parte 4: Sistema de clasificación para el servicio en entornos radiactivos.
IEC 60544-2:2012
IEC TS 62396-2:2008 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 2: Directrices para las pruebas de efectos de un solo evento para sistemas de aviónica
IEC 62396-2:2017 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 2: Directrices para las pruebas de efectos de un solo evento para sistemas de aviónica
IEC 62396-3:2013 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 3: Optimización del diseño del sistema para adaptarse a los efectos de evento único (SEE) de la radiación atmosférica
IEC TS 62396-5:2008 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 5: Directrices para evaluar los flujos de neutrones térmicos y los efectos en los sistemas de aviónica
IEC TR 62396-7:2017 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 7: Gestión del proceso de análisis de efectos de evento único (SEE) en el diseño de aviónica
IEC 62396-1:2012 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radioación atmosférica - Parte 1: Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica
IEC 62396-1:2016 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 1: Adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica
IEC TR 62396-8:2020 Gestión de procesos para aviónica - Efectos de la radiación atmosférica - Parte 8: Flujos de protones, electrones, piones, muones, rayos alfa y efectos de eventos únicos en equipos electrónicos de aviónica - Directrices de concientización

RO-ASRO, efecto de radiación permanente

STAS 12149/3-1985 MATERIALES AISLANTES ELÉCTRICOS MEDICIÓN DE LOS EFECTOS DE LAS RADIACIONES IONIZANTES SOBRE MATERIALES AISLANTES Procedimientos de prueba para efectos permanentes

FI-SFS, efecto de radiación permanente

SFS 5519-1989 SUOJAVAATETUS.MATERIAALIN SUOJAVAIKUTUS L?MP?S?TEILY? VASTAAN.LUOKITUS

Association Francaise de Normalisation, efecto de radiación permanente

NF C26-290-1*NF EN 60544-1:2014 Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes. Parte 1: interacción de las radiaciones y dosimetría.
NF EN IEC 60522-1:2021 Dispositivos electromédicos - Radiografías de diagnóstico - Parte 1: determinación de la calidad de filtración equivalente y de la filtración permanente
NF EN 16603-10-12:2016 Ingeniería espacial: proceso para calcular la radiación recibida y sus efectos, y una política de margen de diseño.
NF C26-290-2*NF EN 60544-2:2013 Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes sobre los materiales aislantes. Parte 2: procedimientos de irradiación y ensayo.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), efecto de radiación permanente

KS C IEC 60544-1:2019 Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes. Parte 1: Interacción de las radiaciones y dosimetría.
KS C IEC 60544-4-2014(2019) Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes. Parte 4: Sistema de clasificación para el servicio en entornos de radiación.

KR-KS, efecto de radiación permanente

KS C IEC 60544-1-2019 Materiales aislantes eléctricos. Determinación de los efectos de las radiaciones ionizantes. Parte 1: Interacción de las radiaciones y dosimetría.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, efecto de radiación permanente

EN IEC 60522-1:2021 Equipos electromédicos - Rayos X de diagnóstico - Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente

ES-UNE, efecto de radiación permanente

UNE-EN IEC 60522-1:2021 Equipos electromédicos - Rayos X de diagnóstico - Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en abril de 2021.)
UNE-CEN/TR 17602-60-02:2021 Aseguramiento de productos espaciales - Manual de técnicas para la mitigación de los efectos de la radiación en ASICs y FPGAs (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en enero de 2022.)

German Institute for Standardization, efecto de radiación permanente

DIN EN IEC 60522-1:2022-05 Equipos electromédicos - Rayos X de diagnóstico - Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente (IEC 60522-1:2020); Versión alemana EN IEC 60522-1:2021
DIN EN IEC 60522-1:2021 Equipos electromédicos Diagnóstico Rayos X Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente (IEC CDV 60522-1:2020); Versión alemana e inglesa EN IEC 60522-1:2021 ￥570,00

RU-GOST R, efecto de radiación permanente

GOST 25645.214-1985 Seguridad radiológica de la tripulación espacial durante los vuelos espaciales. Modelo de efecto radiobiológico generalizado.
GOST 25645.219-1990 Seguridad radiológica de la tripulación espacial durante los vuelos espaciales. Modelo que describe la influencia de la exposición a la radiación espacial no uniforme sobre el efecto radiobiológico generalizado.

American Society for Testing and Materials (ASTM), efecto de radiación permanente

ASTM F1892-12(2018) Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-06 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-04 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-98 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-12 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1467-99(2005)e1 Guía estándar para el uso de un probador de rayos X ([aproximadamente]fotones de 10 keV) en pruebas de efectos de radiación ionizante de dispositivos semiconductores y microcircuitos
ASTM F1467-99 Guía estándar para el uso de un probador de rayos X ([aproximadamente]fotones de 10 keV) en pruebas de efectos de radiación ionizante de dispositivos semiconductores y microcircuitos
ASTM F1467-99(2005) Guía estándar para el uso de un probador de rayos X ([aproximadamente]fotones de 10 keV) en pruebas de efectos de radiación ionizante de dispositivos semiconductores y microcircuitos
ASTM F1467-11 Guía estándar para el uso de un probador de rayos X (x2248; fotones de 10 keV) en pruebas de efectos de radiación ionizante de dispositivos semiconductores y microcircuitos

Lithuanian Standards Office , efecto de radiación permanente

LST EN IEC 60522-1:2021 Equipos electromédicos. Rayos X de diagnóstico. Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente (IEC 60522-1:2020).

PL-PKN, efecto de radiación permanente

PN-EN IEC 60522-1-2021-08 E Equipos electromédicos - Diagnóstico por rayos X - Parte 1: Determinación de la calidad de filtración equivalente y filtración permanente (IEC 60522-1:2020)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, efecto de radiación permanente

GB/T 10263.5-1988 Procedimientos básicos de prueba ambiental para detectores de radiación. Pruebas efectivas de exposición a la luz.
GB/T 42846-2023 Método de simulación terrestre para el efecto de la radiación espacial de materiales no metálicos en un entorno espacial.
GB/T 42242-2022 Entorno espacial: evaluación de los efectos de la radiación en piezas comerciales disponibles (COTS) para uso en satélites de órbita baja

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, efecto de radiación permanente

GB/T 34955-2017 Efectos de la radiación atmosférica: directrices para las pruebas de efectos de un solo evento en sistemas de aviónica
GB/T 34956-2017 Efectos de la radiación atmosférica: adaptación de los efectos de la radiación atmosférica mediante efectos de evento único dentro de equipos electrónicos de aviónica.

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., efecto de radiación permanente

ASHRAE 4247-1999 Efecto de una barrera radiante sobre la carga de refrigeración de una aplicación residencial en una región cálida y árida: efecto del conducto del ático

Defense Logistics Agency, efecto de radiación permanente

DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal P tipo 2N7438 y 2N7439 JANSD y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, tipos de silicio 2N7497T2, 2N7498T2 y 2N7499T2, JANTXVR y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7292, 2N7294, 2N7296 Y 2N7298, JANTXVM, D, R, H Y JANSM, D Y R
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPO 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7485U3, 2N7486U3 Y 2N7487U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7488T3, 2N7489T3 Y 2N7490T3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, RADIACIÓN DE CANAL P ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPOS 2N7506U8 Y 2N7506U8C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 MICROCIRCUITO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL DE ENTRADA JFET ENDURECIDO POR RADIACIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL-LINEAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTROLADOR FET DE INTERRUPTOR COMPLEMENTARIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 MICROCIRCUITO, DIGITAL-LINEAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CONTROLADOR FET DE INTERRUPTOR COMPLEMENTARIO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7403 Y 2N7404, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO, TIPO 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR Y JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7616UB, 2N7616UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N tipos 2N7512, 2N7513 y 2N7514 JANTXVD, R y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), silicio de canal N, tipos 2N7509, 2N7510 y 2N7511, JANTXVD, R y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/753-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7580T1, 2N7582T1, 2N7584T1 Y 2N7586T1, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/755-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7588T3, 2N7590T3, 2N7592T3 Y 2N7594T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7523T1, 2N7523U2, 2N7524T1 Y 2N7524U2, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7580T1, 2N7582T1, 2N7584T1 Y 2N7586T1, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, VARIOS TIPOS, JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7624U3 Y 2N7625T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal PC, silicio, varios tipos, JANHC y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7463T2, 2N7464T2, 2N7463U5 Y 2N7464U5 JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7405, 2N7406, 2N7407 Y 2N7408, JANSD Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7519U3, 2N7519U3C, 2N7519T3, 2N7520U3, 2N7520U3C Y 2N7520T3, JANTX VR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7503U8 Y 2N7503U8C, JANTXVR, F Y G Y JANSR, F Y G
DLA MIL-PRF-19500/746-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U3C, 2N7 593U3 Y 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7478T1, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/758-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7609U8 Y 2N7609U8C, JANTXVR, F Y G Y JANSR, F Y G
DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7478T1, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U3C, 2N7 593U3 Y 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7424U, 2N7425U Y 2N7426U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F
DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7478T1, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRANSISTOR MATRIZ, CANAL N Y P, SILICIO VARIOS TIPOS JANHC Y JANKC
DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7424, 2N7425 Y 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL P, TIPOS 2N7424, 2N7425 Y 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR CUÁDRUPLE, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7518 Y 2N7518U, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7503U8 Y 2N7503U8C, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO RADIACIÓN ENDURECIDO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7468U2 Y 2N7469U2 JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7470T1 Y 2N7471T1, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/759 REV A-2012 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR DOBLE, CANAL N Y CANAL P, TIPOS DE SILICIO DE NIVEL LÓGICO 2N7632UD, JANTXVR, F Y JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7470T1 Y 2N7471T1, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Dispositivo semiconductor, transistor endurecido por radiación de efecto de campo (dosis total y efectos de evento único), canal N, silicio, tipos 2N7494U5, 2N7495U5 y 2N7496U5, JANTXVR, F, G y H, y JANSR, F, G y H
DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7465T3 Y 2N7466T3 Y SUFIJOS U3, JANTXVR Y JANSR
DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7491T2, 2N7492T2 Y 2N7493T2, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7482T3, 2N7483T3 Y 2N7484T3, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7482T3, 2N7483T3 Y 2N7484T3, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7479U3, 2N7480U3 Y 2N7481U3, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7491T2, 2N7492T2 Y 2N7493T2, JANTXVR, F, G Y H Y JANSR, F, G Y H
DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7494U5, 2N7495U5 Y 2N7496U5, JANTXVR, F, G Y H, Y JANSR, F, G Y H

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, efecto de radiación permanente

JEDEC JESD57-1996 Procedimientos de prueba para la medición de efectos de un solo evento en dispositivos semiconductores debido a la irradiación de iones pesados

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), efecto de radiación permanente

JIS A 8330-6:2006 Maquinaria para movimiento de tierras. Entorno del recinto del operador. Parte 6: Determinación del efecto del calentamiento solar en el recinto del operador.

International Organization for Standardization (ISO), efecto de radiación permanente

ISO 10263-6:1994 Maquinaria para movimiento de tierras. Entorno del recinto del operador. Parte 6: Determinación del efecto del calentamiento solar en el recinto del operador.
ISO 21980:2020 Sistemas espaciales: evaluación de los efectos de la radiación en piezas comerciales listas para usar (COTS) para uso en satélites de órbita baja

International Telecommunication Union (ITU), efecto de radiación permanente

ITU-R 677-1990 (RETIRADO) Emisiones de radio procedentes de fuentes naturales en frecuencias superiores a 50 MHz - Sección 5C - Efectos de la atmósfera (Radiometeorología)