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マイクロアレイスポッティング
マイクロアレイスポッティングは全部で 223 項標準に関連している。
マイクロアレイスポッティング 国際標準分類において、これらの分類:分析化学、 検査医学、 医療機器、 語彙、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 生物学、植物学、動物学、 半導体ディスクリートデバイス、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 道路車両装置、 食品の検査と分析の一般的な方法、 土工、掘削、基礎工事、地下工事、 農林、 砂糖、砂糖製品、でん粉、 電気および電子試験、 半導体材料、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 光ファイバー通信、 航空宇宙用の流体システムおよびコンポーネント、 電子部品および部品、 電気、磁気、電気および磁気測定、 プリント回路およびプリント回路基板、 微生物学、 航空宇宙用電気機器およびシステム、 食品総合。
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, マイクロアレイスポッティング
Group Standards of the People's Republic of China, マイクロアレイスポッティング
Danish Standards Foundation, マイクロアレイスポッティング
Professional Standard - Medicine, マイクロアレイスポッティング
U.S. Military Regulations and Norms, マイクロアレイスポッティング
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, マイクロアレイスポッティング
Defense Logistics Agency, マイクロアレイスポッティング
- DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、リニア、トランジスタアレイ、モノリシックシリコン
- DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、リニア、トランジスタアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-89876 REV B-2002 シリコンモノリス、トランジスタアレイ、線形超小型回路
- DLA SMD-5962-87777 REV B-2001 シリコンモノリシックトランジスタアレイ/ペア線形マイクロ回路
- DLA SMD-5962-87528-1987 シリコンモノリシックプログラマブルアレイロジック、デジタルマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88664 REV A-2002 シリコンモノリシックNPNトランジスタアレイ高電流リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 マイクロ回路メモリ デジタル CMOS プログラマブル アレイ ロジック (EEPLD)
- DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、セミカスタム (ゲート アレイ) デバイス、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-95527 REV A-2009 マイクロ回路、リニア、7 チャネル共通ソース パワー DMOS アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-87598 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタアレイ高電流NPN、リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89775-1991 シリコンモノリシック、4重PNPトランジスタアレイ、高速リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89776 REV B-2007 シリコンモノリシック、4連NPNトランジスタアレイ、高速リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 シリコンモノリシック、クワッドショットキーダイオードアレイ、リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-94730 REV E-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-97522 REV B-2008 モノリシックシリコンプログラマブルロジックアレイCMOSデジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-97523 REV B-2008 モノリシックシリコンプログラマブルロジックアレイCMOSデジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-97524 REV B-2008 モノリシックシリコンプログラマブルロジックアレイCMOSデジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-97525 REV B-2008 モノリシックシリコンプログラマブルロジックアレイCMOSデジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-85155 REV G-2006 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ、バイポーラメインメモリ、マイクロ回路
- DLA SMD-5962-94634-1995 シリコンモノリシック、8000ゲート構成可能なロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 シリコンモノリシック、9000ゲートプログラマブルロジックアレイ、デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-88637 REV D-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールドプログラマブルゲートアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-89841 REV K-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、プログラマブル アレイ ロジック (EEPLD)、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 シリコンモノリシックフィールドプログラマブルロジックアレイ (FPLA) バイポーラデジタルマイクロ回路
- DLA SMD-5962-86058 REV C-2002 シリコンモノリシックダーリントントランジスタアレイ、高電流リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-98513 REV A-2008 モノリシック シリコン 13000 ゲート プログラマブル アレイ ロジック CMOS デジタル メモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-92252 REV E-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS 5000 ゲート プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-88638 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、プログラマブル ロジック セル アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-95521 REV C-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、10,000 ゲート プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-89713 REV G-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS 4200 ゲート プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-89948 REV G-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS 2000 ゲート、プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-00543 REV C-2003 72,000 ゲートのモノリシック シリコン デジタル メモリ超小型回路 CMOS フィールド プログラマブル ゲート アレイ
- DLA SMD-5962-01508 REV D-2005 32,000 ゲートのモノリシック シリコン デジタル メモリマイクロ回路 CMOS フィールド プログラマブル ゲート アレイ、
- DLA SMD-5962-01515 REV E-2005 72,000 ゲートのモノリシック シリコン デジタル メモリ超小型回路 CMOS フィールド プログラマブル ゲート アレイ
- DLA SMD-5962-01518 REV D-2006 モノリシックシリコン 32,000 ゲートデジタルメモリマイクロ回路 CMOS フィールドプログラマブルゲートアレイ
- DLA SMD-5962-89684 REV A-2004 シリコンモノリシック、高電圧および大電流ダーリントントランジスタアレイ、リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89685 REV A-2002 シリコンモノリシック、高電圧および大電流ダーリントントランジスタアレイ、リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89686 REV A-2002 シリコンモノリシック、高電圧および大電流ダーリントントランジスタアレイ、リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-91695 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、プログラマブル ロジック アレイ (600 ゲート)、モノリシック シリコン
- DLA MIL-M-38510/508 A VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS ワンタイム プログラマブル アレイ ロジック、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-91568 REV B-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、ワンタイム プログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-07218 REV A-2008 モノリシックシリコン超高周波NPN-PNP組み合わせトランジスタアレイ耐放射線性リニアマイクロ回路
- DLA SMD-5962-08224 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、4,000,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-01508 REV E-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、32,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-01515 REV F-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、72,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-90965 REV H-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、2,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-04220 REV D-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、1,000,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-08224 REV B-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、4,000,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-92156 REV K-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、8000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-01515 REV G-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、72,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-93168 REV B-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気的に消去可能なプログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-93247 REV B-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気的に消去可能なプログラマブル ロジック アレイ、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-01508 REV H-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、32,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-87539 REV K-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能、プログラマブルアレイロジック、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-95520 REV C-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、2500 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-00543 REV D-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、72,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-96837 REV A-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ 8000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-04219 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、250,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-04220 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、1,000,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-04221 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、2,000,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-08224-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、4,000,000 ゲート、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-98579-1999 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、10000 ゲート、単一シリコン
- DLA SMD-5962-94754 REV F-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、ワンタイム プログラマブル ロジック アレイ、(RAD HARD)、モノリシック シリコン
- DLA MIL-M-38510/502 A VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ フィールド プログラマブル ロジック アレイ (FPLA) 16 x 48 x 8、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-91545 REV F-2007 CMOSデジタルマイクロ回路メモリ、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 シリコンモノリシック、EEプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-99527 REV A-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、20,000 ゲート、単一シリコン
- DLA SMD-5962-99569 REV C-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、16000 ゲート、単一シリコン
- DLA SMD-5962-99585 REV A-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、36000 ゲート、単一シリコン
- DLA SMD-5962-99586 REV C-2007 マイクロ回路、メモリ付き、デジタル、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、32000 ゲート、単一シリコン
- DLA SMD-5962-86864 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、UV消去可能、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
- DLA MIL-M-38510/507 B VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルアレイロジック、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-91584 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-91772 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-88670 REV E-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、ワンタイムプログラマブル、プログラマブルアレイロジック、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-88726 REV F-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、UV消去可能、プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 シリコンモノリシック、ワンタイムプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 シリコンモノリシック、プログラマブルロジックアレイ、高速酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 シリコンモノリシック、5000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 シリコンモノリシック、10,000ゲートプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 シリコンモノリシック、消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 シリコンモノリシック、4000ゲートフィールドプログラムロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 シリコンモノリシック、電気的に消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-87682 REV F-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ 18 X 42 X 10 フィールド プログラマブル ロジック アレイ (FPLA)、モノリシック シリコン
- DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 シリコンモノリシックフィールドプログラマブルゲートアレイ相補型金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-90754 REV B-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS UV消去可能非同期登録プログラマブルロジックアレイ、モノリシックシリコン
- DLA SMD-5962-92156 REV J-2007 シリコンモノリシック 800 ゲートフィールドプログラマブルゲートアレイ、相補型金属酸化物半導体、メインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88638 REV C-1996 シリコンモノリシックプログラマブルロジックセルアレイ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
- DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-12225-2013 マイクロ回路、デジタル、メモリ、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、280,000 個の同等の ASIC ゲート、独立した SRAM、モノリシック シリコン付き
- DLA SMD-5962-12225 REV A-2013 マイクロ回路、デジタル、メモリ、CMOS、フィールド プログラマブル ゲート アレイ、280,000 個の同等の ASIC ゲート、独立した SRAM、モノリシック シリコン付き
- DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体 UV プログラマブルロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-91546 REV B-2007 シリコンモノリシックワンタイムプログラマブルロジックアレイ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-91568 REV A-1993 シリコンモノリシックワンタイムプログラマブルロジックアレイ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-91695-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体プログラマブルロジックアレイ (600 ゲート)、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-91772-1993 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体、UV消去可能なロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-90964 REV B-2007 シリコンモノリシック 1200 ゲートフィールドプログラマブルゲートアレイ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-90965 REV G-2005 シリコンモノリシック 2000 ゲートフィールドプログラマブルゲートアレイ、相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
- DLA SMD-5962-91584-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ、相補型金属酸化物半導体、デジタル メイン メモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-88670 REV D-2006 シリコンモノリシックプログラマブルアレイロジックワンタイムプログラマブル相補型金属酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
- DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
- DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 シリコンモノリシック、画像リサンプリングシーケンサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
- DLA SMD-5962-03250 REV B-2006 シリコンモノリシック 18,000 の独立したスタティック ランダム アクセス メモリ 40,000 ゲート、フィールド プログラマブル ゲート アレイ酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路
British Standards Institution (BSI), マイクロアレイスポッティング
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), マイクロアレイスポッティング
KR-KS, マイクロアレイスポッティング
American Society for Testing and Materials (ASTM), マイクロアレイスポッティング
Association Francaise de Normalisation, マイクロアレイスポッティング
International Organization for Standardization (ISO), マイクロアレイスポッティング
ES-UNE, マイクロアレイスポッティング
Professional Standard - Urban Construction, マイクロアレイスポッティング
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, マイクロアレイスポッティング
RU-GOST R, マイクロアレイスポッティング
Lithuanian Standards Office , マイクロアレイスポッティング
German Institute for Standardization, マイクロアレイスポッティング
AGMA - American Gear Manufacturers Association, マイクロアレイスポッティング
American Gear Manufacturers Association, マイクロアレイスポッティング
International Electrotechnical Commission (IEC), マイクロアレイスポッティング
- IEC 62148-21:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 21: シリコンファインピッチボールグリッドアレイ (S-FBGA) およびシリコンファインピッチランドグリッドアレイ (S-FLGA) を使用した PIC パッケージへの電気インターフェースの設計ガイドライン
European Committee for Standardization (CEN), マイクロアレイスポッティング
AENOR, マイクロアレイスポッティング
GB-REG, マイクロアレイスポッティング