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半導体素子分析

半導体素子分析は全部で 301 項標準に関連している。

半導体素子分析 国際標準分類において、これらの分類：半導体ディスクリートデバイス、 石炭、 分析化学、 環境試験、 総合電子部品、 放射線測定、 半導体材料、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 セラミックス、 造船と海洋構造物の一体化、 粗雑な、 燃料、 機械、設備、装置の特性と設計、 グラフィックシンボル、 水質、 建材、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 電子機器用機械部品、 会社（エンタープライズ）の組織と経営、 航空宇宙用電気機器およびシステム、 放射線防護、 ブラックメタル、 非鉄金属、 絶縁流体、 無機化学、 光ファイバー通信、 食品の検査と分析の一般的な方法、 金属材料試験、 無駄、 地質学、気象学、水文学、 写真撮影のスキル、 非金属鉱物。

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体素子分析

• IEC 60747-14-2:2000 半導体デバイス パート 14-2: 半導体コンポーネント ホール素子
• IEC 60747-14-1:2000 半導体デバイス パート 14-1: 半導体コンポーネントの一般原則と分類
• IEC 61207-7:2013 ガス分析計の性能表現 パート 7: 波長可変半導体レーザーガス分析計
• IEC 61207-7:2013/COR1:2015 ガス分析計の性能表現 第 7 部: 波長可変半導体レーザーガス分析計; 正誤表 1
• IEC 62951-9:2022 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス 第9部：1トランジスタ1抵抗（1T1R）抵抗メモリユニットの性能試験方法
• IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• IEC 60749-39:2021 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• IEC 60747-18-1:2019 半導体デバイス パート 18-1: 半導体バイオセンサー、レンズレス CMOS フォトニック アレイ センサーのキャリブレーションのテスト方法とデータ分析
• IEC 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
• IEC 62435-1:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 1: 一般
• IEC 62435-4:2018 電子部品 電子半導体装置の長期保管 その4: 保管
• IEC 62435-3:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 3: データ
• IEC 60747-5-3:2009 個別半導体デバイスおよび集積回路 パート 5-3: 光電子部品 測定方法
• IEC 107/126/PAS:2010 IEC/PAS 62686-1、第 1 版: 高信頼性コンポーネントの一般要件パート 1: 集積回路およびディスクリート半導体コンポーネント
• IEC 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 その2 劣化のメカニズム
• IEC 62435-9:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 9: 特殊な状況
• IEC 62435-7:2020 電子部品、電子半導体デバイスの長期保管、パート 7: マイクロ電気機械デバイス
• IEC 60747-5-2:2009 個別半導体デバイスおよび集積回路 パート 5-2: オプトエレクトロニクス部品 基本的な定格と特性
• IEC 62435-8:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第8部：受動電子部品
• IEC 62435-6:2018 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 6: パッケージ化されたデバイスまたは完成したデバイス
• IEC 60749-7:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
• IEC 60749-7:2011 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
• IEC 60749-7/COR1:2003 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
• IEC 62149-8:2014 光ファイバアクティブコンポーネントおよびデバイス 性能基準 パート 8: シード反射型半導体光増幅デバイス
• IEC TR 62240-2:2018 アビオニクス プロセス管理 動作電子部品機能 パート 2: 半導体超小型回路の寿命
• IEC 62149-9:2014 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス 性能基準 パート 9: シード反射型半導体光増幅器トランシーバー
• IEC TS 62564-1:2016 航空電子機器のプロセス管理、航空宇宙認定電子部品 (AQEC)、パート 1: 集積回路とディスクリート半導体

British Standards Institution (BSI), 半導体素子分析

• BS IEC 60747-14-2:2001 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体デバイス、半導体センサー、ホール素子
• BS IEC 60747-14-2:2000 個別半導体デバイスおよび集積回路、半導体デバイス、半導体センサー、ホール素子
• BS EN 61207-7:2014 ガス分析計の性能表現 波長可変半導体レーザーガス分析計
• BS EN 61207-7:2013 ガス分析計の性能表現 波長可変半導体レーザーガス分析計
• BS IEC 60747-10:1991 半導体デバイス、ディスクリートコンポーネントおよび集積回路の一般仕様
• BS DD IEC/PAS 60747-17:2011 半導体コンポーネント、ディスクリートコンポーネント、基本絶縁および強化絶縁用の磁気カプラおよび容量カプラ。
• 22/30443234 DC BS EN 63378-3 半導体パッケージの熱標準化 パート 3: 過渡解析のための半導体パッケージの熱回路シミュレーション モデル
• 23/30469486 DC BS EN IEC 63378-2 半導体パッケージの熱標準化 パート 2: 定常状態解析のためのディスクリート半導体パッケージの 3D 熱シミュレーション モデル
• 23/30469010 DC BS EN IEC 63378-3 半導体パッケージの熱標準化 パート 3: 過渡解析のためのディスクリート半導体パッケージの熱回路シミュレーション モデル
• BS IEC 60747-18-1:2019 半導体デバイス 半導体バイオセンサー レンズレスCMOSフォトニックアレイセンサーの校正試験方法とデータ分析
• BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
• BS EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
• BS QC 750100:1986+A2:1996 電子部品の品質評価連携体制 ディスクリート半導体デバイスの断面仕様
• BS EN 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第2回 劣化のメカニズム
• 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用する有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• 20/30423207 DC BS EN IEC 62951-9 半導体デバイス フレキシブルおよび伸縮性半導体デバイス パート 9 1 チューブ 1 抵抗器 (1T1R) 抵抗メモリ ユニットの性能試験方法
• 18/30367158 DC BS EN 62435-3 電子部品および電子半導体装置の長期保管 パート 3. データ
• 20/30424473 DC BS EN 62435-9 電子部品および電子半導体装置の長期保管 パート 9. 特殊な場合
• BS EN 60749-7:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 その他の残留ガスの内部水分含有量の測定と分析
• BS EN 60749-7:2011 半導体デバイス、機械的および耐候性の試験方法、その他の残留ガスの内部湿度の測定および分析
• BS EN 15111:2007 食品 微量元素の測定 ICP-MS (誘導結合プラズマ質量分析) によるヨウ素含有量の測定
• BS EN 153000:1998 電子部品の品質評価連携体制 一般仕様書 ディスクリート圧接電源用半導体デバイス（適合認定認定）
• DD IEC/TS 62564-1:2011 アビオニクス航空宇宙認定電子部品 (AQEC) 集積回路およびディスクリート半導体のプロセス管理
• PD IEC/TS 62564-1:2016 アビオニクス航空宇宙認定電子部品 (AQEC) 集積回路およびディスクリート半導体のプロセス管理

RU-GOST R, 半導体素子分析

• GOST R 53355-2009 固体鉱物燃料 - 元素分析
• GOST 26239.0-1984 半導体シリコンおよびその初期製品と石英 分析方法

GOSTR, 半導体素子分析

• GOST R 53355-2018 固体化石燃料の元素分析

German Institute for Standardization, 半導体素子分析

• DIN 50451-3:2014-11 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 その3：ICP-MSによる高純度硝酸中の31元素の定量
• DIN 50451-7:2018-04 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 その7：ICP-MSによる高純度塩酸中の31元素の定量
• DIN 50451-6:2014-11 半導体技術材料の試験液中の微量元素の定量 パート 6: 高純度フッ化アンモニウム溶液中の 36 元素の定量
• DIN EN 61207-7:2015-07 ガスアナライザの性能表現その7：波長可変半導体レーザガスアナライザ
• DIN 51456:2013-10 半導体テクノロジー材料試験 水性分析溶液中の多元素測定のための誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用したシリコンウェーハの表面分析
• DIN 50451-4:2024-01 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 パート 4: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による超純水中の 34 元素の定量
• DIN 51456:2013 半導体技術用材料の検査、誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用した水分析溶液の多元素測定によるシリコン ウェーハの表面分析
• DIN 50451-4:2007-02 半導体技術材料試験液中の微量元素の定量 パート 4: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による超純水中の 34 元素の定量
• DIN 50451-4:2007 半導体プロセスで使用される材料の試験 液体中の微量元素の測定 誘導結合プラズマ質量分析による純水中の 34 種類の微量元素の測定
• DIN 50451-3:2014 半導体プロセスの材料試験 液体中の微量元素の測定 パート 3: 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用した高純度硝酸中の 31 種類の元素の測定
• DIN 51733:2016 固体化石燃料の試験、元素分析と酸素含有量の計算
• DIN 51733:2008 固体化石燃料の試験、元素分析と酸素含有量の計算
• DIN 4000-20:1988 パート 20: 光電子半導体部品の製品特性テーブルの設計
• DIN EN 60749-39:2007-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• DIN EN 61207-7:2015 ガス分析計の性能表現パート 7: 波長可変半導体レーザーガス分析計 (IEC 61207-7-2013)、ドイツ語版 EN 61207-7-2013
• DIN 50449-1:1997 半導体プロセスで使用される材料の検査 赤外吸収によるIII-V族半導体不純物の定量 その1 ガリウムヒ素中の炭素
• DIN EN 60749-39:2007 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
• DIN EN IEC 62435-9:2022-09 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 9: 特殊な状況
• DIN 50451-6:2014 半導体プロセスで使用される材料の試験 液体中の微量元素の測定 パート 6: 高純度フッ化アンモニウム溶液エッチング混合物およびフッ化水素酸を含む高純度フッ化アンモニウム溶液 (NH4F) 中の 36 元素の測定
• DIN EN 60747-5-5:2011 半導体装置、ディスクリートコンポーネント、パート 5-5: オプトエレクトロニクスコンポーネント、光融合コンポーネント (IEC 60747-5-5-2007)、ドイツ語版 EN 60747-5-5-2011
• DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020)
• DIN 50451-2:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 2: カルシウム (Ca)、コバルト (Co)、クロム (Cr)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、ニッケル (Ni) および亜鉛 (Zn) )) フッ化水素酸中で、プラズマ誘起発光分光法を使用して...
• DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
• DIN EN 60749-7:2012 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: 内部含水率測定およびその他の残留ガス分析
• DIN EN 60747-5-5:2015 半導体装置、ディスクリートコンポーネント、パート 5-5: オプトエレクトロニクスコンポーネント、光融合コンポーネント (IEC 60747-5-5-2007+A1-2013)、ドイツ語版 EN 60747-5-5-2011+A1-2015
• DIN EN 60749-7:2012-02 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
• DIN ISO 15632:2015 マイクロビーム分析半導体検出器を備えたエネルギー発散 X 線分光計の機器仕様 (ISO 15632-2012)
• DIN 50452-1:1995 半導体プロセスで使用される材料の検査 液体中の粒子分析の試験方法 第 1 部: 粒子の顕微鏡測定
• DIN 50452-3:1995 半導体プロセス材料の検査 液体中の粒子分析の試験方法 パート 3: 光学式粒子計数器の校正
• DIN 50451-5:2010 半導体プロセスで使用する材料の試験 液体中の微量元素の測定 パート 5: マイクログラム/キログラムおよびナノグラム/キログラムの範囲の微量元素を測定するためのサンプルおよびサンプル調製装置の材料選択および適合性試験に関するガイドライン。
• DIN 50452-3:1995-10 半導体技術材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - パート 3: 光学式粒子計数器の校正
• DIN EN IEC 60749-39:2021 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020); 英語版 prEN IEC 60749-39:2020
• DIN EN IEC 60749-39:2023-10 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2021); ドイツ語版 EN IEC 60749-39:2022 / 注: DIN ...
• DIN 50451-1:2003 半導体プロセス材料の検査 液体中の微量元素の測定 原子吸光分析による硝酸溶媒中の銀、金、カルシウム、銅、鉄、カリウム、ナトリウムの測定
• DIN 50451-1:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 1: 銀 (Ag)、金 (Au)、カルシウム (Ca)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、カリウム (K)、ナトリウム (Na) ) 硝酸中での原子吸光分析による
• DIN 50451-3:2003 半導体プロセスで使用される材料の試験 液体中の微量元素の測定 パート 3: アルミニウム (AL)、コバルト (Co)、銅 (Cu)、ナトリウム (Na)、ニッケル (Ni) および亜鉛 (Zn) の含有量の測定
• DIN 50452-2:2009-10 半導体技術材料の試験液中の粒子分析の試験方法 第 2 部：光学式粒子計数器による粒子の測定
• DIN 50451-2:2003 半導体プロセス材料の試験 液体中の微量元素の測定 パート 2: プラズマ誘導放出分光分析法によるフッ化水素酸中のコバルト (Co)、クロム (Cr)、銅 (Ca)、鉄 (Fe)、およびニッケルの測定 (Ni) 含有量
• DIN EN 62435-6:2017 電子部品、電子半導体デバイスの長期保管、パート 6: 梱包または完成した機器 (IEC 47/2390/CD:2017)
• DIN EN 60749-35:2007-03 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 35: プラスチック封止された電子部品の音響顕微鏡検査
• DIN 50452-2:2009 半導体技術で使用される材料の試験 液体中の粒子分析の試験方法 パート 2: 光学式粒子計数器を使用した粒子の測定

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 半導体素子分析

• JJF 2009-2022 半導体パラメータ精密アナライザの校正仕様

Professional Standard - Electron, 半導体素子分析

• SJ 20234-1993 HP4145A 半導体パラメータ・アナライザの校正手順
• SJ/Z 3206.13-1989 半導体材料の発光スペクトル解析法の一般原則
• SJ/T 10149-1991 電子部品グラフィックスライブラリ、半導体ディスクリートデバイスグラフィックス
• SJ 20744-1999 半導体材料中の不純物含有量の赤外吸収分光分析に関する一般ガイドライン
• SJ/T 10072-1991 電子部品詳細仕様 半導体集積回路 CE8602タイプ 500MHz÷2分周器

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 半導体素子分析

• JJG(电子) 31010-2007 半導体パラメータ精密分析装置の校正手順

CZ-CSN, 半導体素子分析

• CSN 35 8797 Cast.11 IEC 747-11 ZA2:1997 半導体デバイス。 パート 11: ディスクリートコンポーネントの規格
• CSN 35 8797 Cast.11 IEC 747-11 Z1:1993 半導体デバイス。 パート 11: ディスクリートコンポーネントの規格
• CSN 01 3308-1989 電気図回路部品導体、電気要素端子および機器マーキング システム

Association Francaise de Normalisation, 半導体素子分析

• NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 ガス分析計の性能表現 パート 7: 波長可変半導体レーザーガス分析計
• NF EN 61207-7:2014 ガス分析計の性能表現 その7：波長可変半導体レーザーガス分析計
• NF C86-010:1986 半導体デバイス 電子デバイス品質評価連携システム 電子部品 半導体ディスクリートデバイス 一般仕様書
• NF C96-011:1989 電子部品・半導体デバイス 第11部：ディスクリートデバイスの仕様
• NF C96-001:1984 電子部品 半導体デバイス ディスクリート部品および集積回路 パート 1: 概要
• X11-634:1988 粒子サイズ分析 粒子サイズ 集団内の元素のサイズと形状の特徴
• NF C96-002:1984 電子部品、半導体デバイス、ディスクリート部品および集積回路 パート 2: 整流ダイオード
• NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012 半導体デバイス ディスクリート部品 パート 5-5: 光電子デバイス オプトカプラ
• NF C96-006:1984 電子部品、半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路、パート 6: サイリスタ
• NF C96-435-3*NF EN IEC 62435-3:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 3: データ
• NF C96-435-1*NF EN 62435-1:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第 1 部：一般原則
• NF C96-435-4*NF EN IEC 62435-4:2018 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 その4: 保管
• NF EN IEC 62435-4:2018 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 その4：保管
• NF EN 62435-1:2017 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 パート 1: 一般
• NF EN IEC 62435-3:2020 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 その3: データ
• NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
• NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
• NF C96-435-2*NF EN 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第2回 劣化のメカニズム
• NF C96-435-9*NF EN IEC 62435-9:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 9: 特殊な状況
• NF EN 62435-2:2017 電子部品 半導体電子デバイスの長期保存 第2回 劣化のメカニズム
• NF EN IEC 62435-9:2021 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 パート 9: 特殊な状況
• NF C86-411:1987 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、薄膜ハイブリッド集積回路、サブ仕様
• NF EN IEC 62435-7:2021 電子部品 半導体電子デバイスの長期保存 第 7 部: マイクロ電気機械デバイス
• NF C96-010:1989 電子部品 半導体デバイス 第 10 部：ディスクリートデバイスおよび集積回路の一般仕様
• NF X21-008:2012 マイクロビーム分析 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
• NF C96-435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第7部：微小電気機械デバイス
• NF C96-435-8*NF EN IEC 62435-8:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第 8 部: 受動電子デバイス
• NF EN IEC 62435-8:2020 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 第8部：受動電子デバイス
• NF C86-433:1988 半導体デバイス、電子部品の統一品質審査システム、薄膜抵抗回路（承認手続き）、サブスペック
• NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第 5 部 チップおよびウェハデバイス
• NF C96-435-6*NF EN IEC 62435-6:2018 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 6: 梱包または完成した機器
• NF EN IEC 62435-6:2018 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 パート 6: パッケージ化されたデバイスまたは完成したデバイス
• NF EN 62435-5:2017 電子部品 半導体電子デバイスの長期保管 第5部 チップデバイスとウエハ
• NF C86-413:1987 半導体デバイス、電子部品の統一品質評価システム、薄膜ハイブリッド集積回路、機能承認、サブスタンダード
• NF EN 60269-4/A1:2012 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体デバイスの保護に使用される交換コンポーネントの追加要件
• NF EN 60269-4:2010 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体デバイスの保護に使用される交換コンポーネントの追加要件
• NF EN 60269-4/A2:2017 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体デバイスの保護に使用される交換コンポーネントの追加要件
• NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: 内部水分含有量の測定およびその他の残留ガスの分析。
• NF EN 60749-7:2012 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
• NF EN 62149-9:2014 光ファイバアクティブコンポーネントおよびデバイスの性能基準パート 9: 分布反射型半導体光増幅器トランシーバ
• NF C93-884-8*NF EN 62149-8:2014 光ファイバ能動部品とデバイス性能規格 第 8 部：シード反射型半導体光増幅デバイス
• NF C93-884-9*NF EN 62149-9:2014 光ファイバアクティブコンポーネントおよびデバイス性能基準パート 9: シード反射型半導体光増幅器トランシーバ
• NF C86-431:1988 半導体デバイス 電子部品の統一品質評価システム 固定皮膜抵抗器を備えた回路 サブ仕様 仕様 CECC 64 100
• NF EN 60749-35:2006 半導体デバイス - 気候および機械的試験方法 - パート 35: プラスチックでパッケージ化された電子部品の音響顕微鏡検査
• NF C96-022-35*NF EN 60749-35:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 35: プラスチック封止された電子部品の音響顕微鏡法

未注明发布机构, 半導体素子分析

• BS EN 61207-7:2013(2015) ガス分析計の性能表現 その7：波長可変半導体レーザーガス分析計
• BS IEC 60747-10:1991(2011) 電子部品の品質評価のための連携システム 半導体デバイスの一般規格 ディスクリートデバイスおよび集積回路

ES-UNE, 半導体素子分析

• UNE-EN 61207-7:2013 ガスアナライザの性能表現その7：波長可変半導体レーザガスアナライザ
• UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 ガスアナライザの性能表現その7：波長可変半導体レーザガスアナライザ
• UNE-EN IEC 62435-4:2018 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 その4: 保管
• UNE-EN 62435-1:2017 電子部品電子半導体デバイスの長期保管 第1部：概要
• UNE-EN IEC 62435-3:2020 電子部品電子半導体デバイスの長期保管パート 3: データ
• UNE-EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• UNE-EN 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第2回 劣化のメカニズム
• UNE-EN IEC 62435-9:2021 電子部品および電子半導体装置の長期保管 第 9 部: 特殊な状況
• UNE-EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
• UNE-EN IEC 62435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第 7 部: マイクロ電気機械デバイス
• UNE-EN IEC 62435-8:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第 8 部: 受動電子デバイス
• UNE-EN IEC 62435-6:2018 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 6: パッケージングまたは完成したデバイス
• UNE-EN 9145:2018 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 6: パッケージングまたは完成したデバイス
• UNE-EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 5: チップおよびウェハデバイス
• UNE-EN 60749-7:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
• UNE-EN 62149-8:2014 光ファイバ能動部品とデバイス性能規格 第 8 部：シード反射型半導体光増幅デバイス
• UNE-EN 62149-9:2014 光ファイバ能動部品および装置の性能基準 第 9 部：シード反射型半導体光増幅器トランシーバ
• UNE-EN 60749-35:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 35: プラスチックパッケージ電子部品の音響顕微鏡検査

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体素子分析

• GJB 3157-1998 半導体ディスクリートデバイスの故障解析方法と手順
• GJB 3233-1998 半導体集積回路の故障解析手順と方法
• GJB/Z 55-1994 航空・宇宙用電子部品・半導体・ディスクリートデバイスのセレクションガイド

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体素子分析

• EN 61207-7:2013 ガス分析計の性能表現 その7：波長可変半導体レーザーガス分析計
• EN IEC 62435-4:2018 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 その4: 保管
• EN 62435-1:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第 1 部：一般原則
• EN IEC 62435-3:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 3: データ
• EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• EN 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第2回 劣化のメカニズム
• EN IEC 62435-9:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 9: 特殊な状況
• EN 60749-39:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネント用有機材料の水分拡散率および水溶解度の試験 IEC 60749-39-2006
• EN IEC 62435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第7部：微小電気機械デバイス
• EN IEC 62435-8:2020 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 第 8 部: 受動電子デバイス
• EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 5: ダイおよびウェハ デバイス
• EN IEC 62435-6:2018 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 6: パッケージ化されたデバイスまたは完成したデバイス
• EN 60749-7:2011 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
• EN 62149-8:2014 光ファイバ能動部品とデバイス性能規格 第 8 部：シード反射型半導体光増幅デバイス
• EN 62149-9:2014 光ファイバの能動部品とデバイスの性能基準 第 9 部: シード反射型半導体光増幅器トランシーバ
• EN 61643-341:2001 低電圧サージ保護装置用コンポーネント パート 341: 半導体サイリスタ バルブ サージ装置 (TSS) の仕様 IEC 61643-341:2001

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体素子分析

• IEEE 759-1984 半導体X線エネルギースペクトル分析装置の試験手順

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体素子分析

• GB/T 38904-2020 セラミック液体着色剤の元素含有量を決定するための分析方法
• GB/T 39527-2020 固体表面製品中のカルシウム、アルミニウム、シリコン元素含有量を決定するための化学分析法

Professional Standard - Aerospace, 半導体素子分析

• QJ 1906-1990 半導体デバイスの破壊物理解析および故障解析手順および方法
• QJ 1906A-1997 半導体デバイスの破壊物理分析 (DPA) の方法と手順

ABS - American Bureau of Shipping, 半導体素子分析

• ABS 135-2004 船体構造有限要素解析ガイダンス指示ローカル3Dモデル解析
• ABS 134 CORR-2014 SAFEHULL 船体構造用有限要素解析ガイド

RO-ASRO, 半導体素子分析

• STAS 10274/2-1983 固形燃料。 灰の分析。 微量元素、希少元素、分散元素の定量スペクトル分析

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体素子分析

• KS V 8209-1999(2004) 船舶電気機器 - パート 304: コンポーネント - 半導体コンバータ
• KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
• KS D 1674-2019 誘導結合プラズマ分光法による金中の微量元素の分析法
• KS D ISO 15632:2012 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
• KS C IEC 60749-7:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 7: 内部水分含有量の測定およびその他の残留ガスの分析
• KS C IEC 60749-7:2004 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。
• KS D 1702-2015 誘導結合プラズマ分光法による白金中の微量元素の定量のための基本的な特徴マッチング方法
• KS D 1702-2005 白金、誘導結合プラズマ発光分析法による微量元素の分析方法、有効成分の補正
• KS D 1702-2015(2020) 誘導結合プラズマ分光法による分析マトリックスマッチング法によるプラチナの微量元素含有量の測定

Professional Standard - Electricity, 半導体素子分析

• DL/T 568-1995 燃料成分の迅速分析法（高温燃焼赤外線熱伝導率法）

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体素子分析

• T/SPSTS 013-2019 グラフェン粉末材料中の炭素、水素、酸素、窒素、硫黄元素含有量の定量方法 元素分析法
• T/CSTM 00340-2020 グラフェン粉末材料中の炭素、水素、酸素、窒素、硫黄元素含有量の定量方法 元素分析法
• T/CNIA 0143-2022 半導体材料の微量不純物分析用超高純度樹脂容器
• T/ZGM 003-2022 半導体産業における末端濾過膜エレメントの品質分類と「リーダー」評価要件
• T/CSTM 00012E-2021 レーザー誘起破壊分光法による鋼の多元素組成および状態分布の特性評価のためのその場統計分布解析法
• T/CSTM 00012-2017 レーザー誘起破壊分光法による鋼の多元素組成および状態分布の特性評価のためのその場統計分布解析法
• T/NAIA 0135-2022 石炭ベースのフィッシャー・トロプシュ合成液体燃料油および化学薬品中の炭素、水素、窒素を定量するための元素分析法
• T/CSTM 00780.3-2023 バナジン酸ナトリウムの分析法その3：高周波誘導結合プラズマ分析法によるシリコン、アルミニウムなど12種類の不純物元素の含有量の定量
• T/QAS 082.13-2023 岩塩と芒硝の化学分析 その13: 誘導結合プラズマ質量分析法によるベリリウム、バリウムを含む10種類の金属元素の定量

HU-MSZT, 半導体素子分析

• MNOSZ 700-3.lap-1955 半導体モデルの分析試験 実験室のサンプル準備

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体素子分析

• GB/T 42706.1-2023 電子部品および半導体デバイスの長期保管 第 1 部：一般原則
• GB/T 42518-2023 グロー放電質量分析法によるゲルマニウム酸ビスマス (BGO) 結晶の微量元素化学分析
• GB/T 42706.2-2023 電子部品 半導体デバイスの長期保存 その2：劣化のメカニズム
• GB/T 42706.5-2023 電子部品、半導体デバイスの長期保管パート 5: チップとウェーハ
• GB/T 14849.4-2008 工業用シリコンの化学分析方法 パート 4: 誘導結合プラズマ発光分光法による元素含有量の測定
• GB/T 13747.27-2020 ジルコニウムおよびジルコニウム合金の化学分析方法 第 27 部：誘導結合プラズマ質量分析法による微量不純物元素の定量
• GB/T 24794-2009 写真用化学薬品、有機物中の微量元素の分析、誘導結合プラズマ発光分析法 (ICP-AES) 法
• GB/T 27598-2011 誘導結合プラズマ発光分光分析法 (ICP-AES) による写真薬品中の無機物質中の微量元素の分析

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体素子分析

• JEDEC JEP134-1998 お客様が用意する半導体機器の故障解析のための背景情報ガイド

KR-KS, 半導体素子分析

• KS C IEC 62007-2-2003(2023) 光通信システム用半導体光電子部品 - パート 2: 測定方法
• KS C IEC 62007-1-2003(2023) 光通信システム用半導体オプトエレクトロニクス部品 - パート 1: 重要度および特性
• KS C IEC 60749-7-2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 7: 内部水分含有量の測定およびその他の残留ガスの分析

PH-BPS, 半導体素子分析

• PNS IEC 62435-1:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 1: 一般原則
• PNS IEC 62435-3:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 3: データ
• PNS IEC 62435-7:2021 電子部品、電子半導体デバイスの長期保管、パート 7: マイクロ電気機械デバイス
• PNS IEC 62435-5:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 5: チップおよびウェハデバイス

Danish Standards Foundation, 半導体素子分析

• DS/EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
• DS/EN IEC 62435-9:2021 電子部品「電子半導体デバイスの長期保管」パート9: 特殊な状況
• DS/EN IEC 62435-7:2021 電子部品「電子半導体デバイスの長期保存」第7回：微小電気機械デバイス
• DS/EN 60749-7:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 7 部：内部含水率の測定およびその他の残留ガスの分析
• DS/EN 60749-35:2007 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 35: プラスチック封止された電子部品の音響顕微鏡検査

Professional Standard - Building Materials, 半導体素子分析

• JC/T 2133-2012 半導体研磨液用シリカゾル中の不純物元素含有量の測定～誘導結合プラズマ発光分析法～

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体素子分析

• ASTM D5738-95(2006) 地下水の化学分析の標準ガイドラインは、主要イオンおよび微量元素のプロットとして個別の分析として提示されます
• ASTM F1894-98 タングステンシリサイド半導体加工膜の組成と膜厚を定量分析するための標準的な試験方法
• ASTM F1894-98(2011) タングステンシリサイド半導体加工膜の組成と膜厚を定量分析するための標準的な試験方法
• ASTM F1894-98(2003) タングステンシリサイド半導体加工膜の組成と膜厚を定量分析するための標準的な試験方法
• ASTM D5754-95(2006) 重要なイオンおよび微量元素に関する地下水の化学分析の結果を表示するための標準ガイドライン 2 つ以上の分析質量の三重線形プロット。
• ASTM D7980-15(2023) 超純水 (UPW) 中の陰イオンのイオンクロマトグラフィー分析の標準ガイド 半導体業界からサンプルを採取
• ASTM D7980-15 半導体産業向けの超純水 (UPW) のランダム サンプル中の陰イオンのイオン クロマトグラフィー分析に関する標準ガイド
• ASTM D6052-97(2016) エネルギー分散型蛍光 X 線による液体有害廃棄物の調製および元素分析の標準試験方法
• ASTM D6052-97 エネルギー分散型蛍光X線による液体有害廃棄物の調製および元素分析の標準試験方法
• ASTM D6052-97(2003) エネルギー分散型蛍光X線による液体有害廃棄物の調製および元素分析の標準試験方法
• ASTM D6052-97(2008) エネルギー分散型蛍光X線による液体有害廃棄物の調製および元素分析の標準試験方法
• ASTM D6052-97(2023) エネルギー分散型蛍光 X 線による液体有害廃棄物の調製および元素分析の標準試験方法
• ASTM D8469-22 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による大麻マトリックス中の複数元素分析の標準試験法
• ASTM D846-84 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による大麻マトリックス中の複数元素分析の標準試験法
• ASTM D8110-17 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) による留出生成物の元素分析の標準試験方法

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, 半導体素子分析

• GJB 5914-2006 さまざまな品質レベルの軍用半導体デバイスの破壊物理解析手法

Lithuanian Standards Office , 半導体素子分析

• LST EN 60749-39-2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
• LST EN IEC 62435-8:2020 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 8: 受動電子部品 (IEC 62435-8:2020)
• LST EN IEC 62435-7:2021 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 7: マイクロ電気機械デバイス (IEC 62435-7:2020)
• LST EN 60749-7-2011 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 7: 内部水分含有量の測定およびその他の残留ガスの分析 (IEC 60749-7:2011)

中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会, 半導体素子分析

• GB/T 11713-1989 半導体ガンマ線分光計を使用した低比放射能ガンマ線放射性サンプルの標準分析方法

AT-ON, 半導体素子分析

• ONORM M 6279-1991 水質分析。 誘導結合プラズマ発光分光法 (ICP-AES) による 33 個の元素の測定

International Organization for Standardization (ISO), 半導体素子分析

• ISO 15632:2021 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
• ISO 15632:2012 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様
• ISO 15632:2002 マイクロビーム分析 - 半導体検出器を備えたエネルギー分散型 X 線分光計の機器仕様

Professional Standard - Commodity Inspection, 半導体素子分析

• SN/T 2698-2010 誘導結合プラズマ発光分析法によるタングステン製品中の不純物元素の分析

AT-OVE/ON, 半導体素子分析

• OVE EN IEC 60749-39:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV) (英語版)
• OVE EN IEC 62435-9:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 9: 特殊な状況 (IEC 47/2667/CDV) (英語版)

PL-PKN, 半導体素子分析

• PN-EN IEC 62435-3-2020-11 E 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 3: データ (IEC 62435-3:2020)
• PN-EN IEC 62435-7-2021-08 E 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 7: マイクロ電気機械デバイス (IEC 62435-7:2020)
• PN-EN IEC 62435-8-2021-04 E 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 8: 受動電子部品 (IEC 62435-8:2020)

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 半導体素子分析

• YS/T 473-2015 工業用ガリウム化学分析法 不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 473-2005 工業用ガリウム化学分析法 不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 474-2005 高純度ガリウムの化学分析法 微量元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 742-2010 酸化ガリウムの化学分析法 不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 870-2013 高純度アルミニウムの化学分析方法 微量不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析
• YS/T 896-2013 高純度ニオブの化学分析法 微量不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 892-2013 高純度チタンの化学分析法 微量不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析
• YS/T 898-2013 高純度タンタルの化学分析方法 微量不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析
• YS/T 900-2013 高純度タングステンの化学分析法 微量不純物元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 666-2008 工業用ガリウム化学分析法 不純物元素の定量 誘導結合プラズマ発光分析法
• YS/T 928.5-2013 ニッケル、コバルト、マンガンの水酸化物の化学分析方法 - パート 5: 誘導結合プラズマ質量分析による鉛含有量の測定

Professional Standard - Petroleum, 半導体素子分析

• SY/T 6404-1999 誘導結合プラズマ発光分析法による堆積岩中の金属元素の分析方法

Professional Standard - Agriculture, 半導体素子分析

• SN/T 5581-2023 元素分析による再生アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体のモノマー含有量の測定

工业和信息化部, 半導体素子分析

• YS/T 474-2021 高純度ガリウムの化学分析法 微量元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法
• YS/T 540.5-2018 バナジウムの化学分析法 第5部：誘導結合プラズマ発光分析法による不純物元素の定量
• YS/T 870-2020 純アルミニウムの化学分析方法 微量不純物元素含有量の測定 誘導結合プラズマ質量分析
• YS/T 1261-2018 ハフニウム化学分析法 不純物元素含有量の測定 高周波プラズマ発光分析法
• YS/T 630-2016 アルミナの化学分析方法 不純物元素含有量の定量 高周波プラズマ発光分析法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体素子分析

• EN 60749-7:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。

ZA-SANS, 半導体素子分析

• SANS 61643-341:2004 低電圧サージ保護デバイスのコンポーネント。 パート 341: 半導体スイッチング素子サージ抑制装置 (TSS) の仕様

BE-NBN, 半導体素子分析

• NBN C 63-269 FASC 4-DELL 4-1977 低圧ヒューズ遮断器 第４部 半導体装置保護のための交換部品に関する附則

European Committee for Standardization (CEN), 半導体素子分析

• EN 15111:2007 食品 微量元素の測定 ICP-MS (誘導結合プラズマ質量分析) によるヨウ素含有量の測定

国家能源局, 半導体素子分析

• SY/T 6404-2018 誘導結合プラズマ発光分析法および質量分析法による岩石中の金属元素の分析方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体素子分析

• JIS K 0400-52-30:2001 水質誘導結合プラズマ原子発光分析による 33 種類の元素の測定。

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体素子分析

• DB34/T 2127.4-2014 地域地球化学調査サンプル分析法 第 4 部：プラズマ質量分析による多元素含有量の測定

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体素子分析

• TS 62564-1-2016 アビオニクス プロセス管理「航空宇宙認定電子部品 (AQEC)」パート 1: 集積回路とディスクリート半導体 (バージョン 3.0)
• TS 62564-1-2011 アビオニクス プロセス管理「航空宇宙認定電子部品 (AQEC)」パート 1: 集積回路とディスクリート半導体 (バージョン 2.0)

Professional Standard - Geology, 半導体素子分析

• DZ/T 0064.80-2021 地下水水質分析法 第80部：リチウム、ルビジウム、セシウムなど40元素の定量 誘導結合プラズマ質量分析法

Defense Logistics Agency, 半導体素子分析

• DLA SMD-5962-96628 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 並列バイナリ カウンタまたは分周器 シリコン モノリシック回路 デジタル超小型回路

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体素子分析

• DB41/T 1439-2017 トロナの化学分析法 ナトリウム、カリウムなど11元素の定量 誘導結合プラズマ発光分析法

その他：   元素分析, 元素分析, ++++元素分析, ++++元素分析, 元素分析水素, 元素分析要素, 半導体素子分析, 元素分析:, 元素分析分析, 元素分析分析, 要素を分析する, 要素を分析する, 元素分析要素, 元素分析元素を分析する, 元素分析 元素分析, 半導体分析, 半導体素子分析, zn半導体素子, 元素分析、, 半導体ca素子.