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紫外線吸収半導体材料

紫外線吸収半導体材料は全部で 19 項標準に関連している。

紫外線吸収半導体材料 国際標準分類において、これらの分類：半導体材料、分析化学、光学および光学測定、セラミックス、食品と接触する物品および材料、原子力工学、ワイヤーとケーブル。

NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）を用いた半導体光触媒材料の検査用紫外線光源

DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
DIN 50438-1:1995 半導体プロセス材料の検査赤外吸収法によるシリコンの不純物含有量の測定その1：酸素
DIN 50449-1:1997 半導体プロセスで使用される材料の検査赤外吸収によるIII-V族半導体不純物の定量その1 ガリウムヒ素中の炭素
DIN 50446:1995 半導体プロセス材料の検査、シリコン結晶エピタキシャル層の欠陥種類と欠陥密度の測定
DIN 50443-1:1988 半導体プロセスで使用される材料の検査その1：X線形状測定による半導体単結晶シリコンの結晶欠陥や不均一性の検出
DIN 50451-1:2003 半導体プロセス材料の検査液体中の微量元素の測定原子吸光分析による硝酸溶媒中の銀、金、カルシウム、銅、鉄、カリウム、ナトリウムの測定
DIN 50451-1:2003-04 半導体技術材料の試験 - 液体中の微量元素の測定 - パート 1: 銀 (Ag)、金 (Au)、カルシウム (Ca)、銅 (Cu)、鉄 (Fe)、カリウム (K)、ナトリウム (Na) ) 硝酸中での原子吸光分析による

AS/NZS 1660.2.3:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法絶縁体、押出成形半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法 PVC およびハロゲン熱可塑性プラスチック材料
AS/NZS 1660.2.2:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法絶縁体、押出半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法エラストマー、XLPE および XLPVC 材料