마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

모두 77항목의 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 실험실 의학, 생물학, 식물학, 동물학, 의료 장비, 분석 화학, 농업 및 임업, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 개별 장치.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

GB/T 33752-2017 마이크로어레이 칩용 알데히드 기반 기판
GB/T 33806-2017 영역 배열 형광 이미징 마이크로어레이 칩 스캐너의 기술 요구 사항
GB/T 34324-2017 마이크로어레이 바이오칩 스포팅 장비의 기술 요구 사항
GB/T 35891-2018 마이크로어레이 바이오칩 세척 장비의 기술 요구 사항
GB/T 35895-2018 마이크로어레이 바이오칩 반응기의 기술 요구사항

Professional Standard - Medicine, 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

YY/T 1153-2009 체외진단용 DNA 마이크로어레이 칩
YY/T 1151-2009 체외진단용 단백질 마이크로어레이 칩

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

GB/T 28639-2012 DNA 마이크로어레이 칩의 일반적인 기술 조건
GB/T 28641-2012 단백질 마이크로어레이 칩의 일반적인 기술 조건

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

GB/T 35029-2018 마이크로어레이 칩을 기반으로 한 유전성 난청의 유전자 검출 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

T/COOA 7-2023 미세구조 안경렌즈 마이크로렌즈 어레이 렌즈
T/CI 156-2023 양식어류의 중요병원체에 대한 마이크로어레이 유전자칩 검출방법
T/CI 157-2023 중요 갑각류 병원체에 대한 마이크로어레이 유전자 칩 검출 방법
T/JSSIA 0001-2017 FCBGA(플립 칩 볼 그리드 어레이) 시리즈 유형 스펙트럼
T/JSSIA 0002-2017 FCBGA(플립칩 볼 그리드 어레이 패키지) 외형 치수
T/CIE 151-2022 FPGA(Field Programmable Gate Array) 칩의 동적 노화 테스트 방법
T/CIE 150-2022 FPGA(Field Programmable Gate Array) 칩 타이밍 신뢰성 테스트 사양

Defense Logistics Agency, 마이크로어레이 칩 마이크로어레이 칩

DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 1-2008 마이크로회로, 선형, 트랜지스터 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/108 A VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 선형, 트랜지스터 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89876 REV B-2002 실리콘 모놀리스, 트랜지스터 어레이, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-87777 REV B-2001 실리콘 모놀리식 트랜지스터 어레이/쌍을 이루는 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-88664 REV A-2002 실리콘 모놀리식 NPN 트랜지스터 어레이 고전류 선형 마이크로회로
DLA MIL-M-38510/600 VALID NOTICE 4-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 반맞춤형(게이트 어레이) 장치, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95527 REV A-2009 마이크로회로, 선형, 7채널 공통 소스 전력 DMOS 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89775-1991 실리콘 모놀리식, 4중 PNP 트랜지스터 어레이, 고속 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-89776 REV B-2007 실리콘 모놀리식, 4중 NPN 트랜지스터 어레이, 고속 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 실리콘 모놀리식, EE 프로그래밍 가능 논리 어레이, 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 쿼드 쇼트키 다이오드 어레이, 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-94730 REV E-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-97522 REV B-2008 모놀리식 실리콘 프로그래밍 가능 논리 어레이 CMOS 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-97523 REV B-2008 모놀리식 실리콘 프로그래밍 가능 논리 어레이 CMOS 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-97524 REV B-2008 모놀리식 실리콘 프로그래밍 가능 논리 어레이 CMOS 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-97525 REV B-2008 모놀리식 실리콘 프로그래밍 가능 논리 어레이 CMOS 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-94634-1995 실리콘 모놀리식, 8000-게이트 구성 가능 논리 어레이, 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 실리콘 모놀리식, 9000게이트 프로그래밍 가능 논리 어레이, 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-85065 REV B-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성, 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88637 REV D-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87528 REV A-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87530 REV A-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극성 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89841 REV K-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 프로그래밍 가능 어레이 로직(EEPLD), 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88504 REV D-2006 실리콘 모놀리식 현장 프로그래밍 가능 논리 어레이(FPLA) 양극화 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-98513 REV A-2008 모놀리식 실리콘 13000 게이트 프로그래밍 가능 어레이 로직 CMOS 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-92252 REV E-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS 5000 게이트 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88638 REV D-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 프로그래밍 가능 논리 셀 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95521 REV C-2013 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 10,000-게이트 프로그래밍 가능 로직 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89713 REV G-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS 4200 게이트 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89948 REV G-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS 2000 게이트, 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00543 REV C-2003 72,000-게이트 모놀리식 실리콘 디지털 메모리 마이크로회로 CMOS 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이
DLA SMD-5962-01508 REV D-2005 32,000 게이트 모놀리식 실리콘 디지털 메모리 마이크로 회로 CMOS 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이,
DLA SMD-5962-01515 REV E-2005 72,000-게이트 모놀리식 실리콘 디지털 메모리 마이크로회로 CMOS 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이
DLA SMD-5962-01518 REV D-2006 모놀리식 실리콘 32,000 게이트 디지털 메모리 마이크로회로 CMOS 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이
DLA SMD-5962-89684 REV A-2004 실리콘 모놀리식, 고전압 및 고전류 달링턴 트랜지스터 어레이, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-89685 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 고전압 및 고전류 달링턴 트랜지스터 어레이, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-89686 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 고전압 및 고전류 달링턴 트랜지스터 어레이, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-91695 REV A-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 프로그래밍 가능 논리 어레이(600 게이트), 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/508 A VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS 일회성 프로그래밍 가능 어레이 로직, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-91568 REV B-2013 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 일회성 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-07218 REV A-2008 모놀리식 실리콘 초고주파 NPN-PNP 조합 트랜지스터 어레이 방사선 내성 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-08224 REV A-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 4,000,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-01508 REV E-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 32,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-01515 REV F-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 72,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90965 REV H-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 2,000개 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-04220 REV D-2012 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 1,000,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-08224 REV B-2012 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 4,000,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-92156 REV K-2012 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 8000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-01515 REV G-2012 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 72,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93168 REV B-2013 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93247 REV B-2013 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능 논리 어레이, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-01508 REV H-2013 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 32,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87539 REV K-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS UV 삭제 가능, 프로그래밍 가능 어레이 로직, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95520 REV C-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 2500 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00543 REV D-2008 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 72,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-96837 REV A-2009 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이 8000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-04219 REV C-2009 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 250,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-04220 REV C-2009 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 1,000,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-04221 REV C-2009 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 2,000,000 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-08224-2009 마이크로회로, 메모리, 디지털, CMOS, 현장 프로그래밍 가능 게이트 어레이, 4,000,000 게이트, 모놀리식 실리콘