극단적인 부분

모두 272항목의 극단적인 부분와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 극단적인 부분와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 금속 부식, 정보 기술 응용, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 항공우주 제조용 재료, 고무 및 플라스틱 제품, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 반도체 개별 장치, 도로 차량 장치, 열역학 및 온도 측정, 복합강화재료, 콘덴서.

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 극단적인 부분

EIA_ECA-953-2006 폴리머 음극을 사용한 성형 탄탈륨 칩 커패시터
EIA/ECA-953-2006 폴리머 음극을 사용한 성형 탄탈륨 칩 커패시터
ECA EIA/ECA-955-2007 폴리머 음극을 사용한 표면 실장형 알루미늄 전자 칩 커패시터(인증 사양)
ECA SP 4984-2005 ANSI/EIA/ECA-955로 공개된 폴리머 음극을 사용한 표면 실장 알루미늄 전해 커패시터 칩

International Organization for Standardization (ISO), 극단적인 부분

ISO 22426:2020 테스트 피스 측정을 기반으로 한 음극 보호 효과 평가

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 극단적인 부분

JEDEC JESD2-1982 칩 캐리어용 디지털 양극 논리 단자 배열
JEDEC JESD51-50-2012 단일 칩 및 다중 칩, 단일 및 다중 PN 접합 발광 다이오드(LED)에 대한 열 측정 방법 개요

British Standards Institution (BSI), 극단적인 부분

BS ISO 22426:2020 쿠폰 측정을 기반으로 음극 방식의 효율성 평가
BS EN ISO 8092-1:1998 도로 차량 차량의 전기 배선 하니스 연결 단극 연결 커넥터용 러그 치수 및 특수 요구 사항

German Institute for Standardization, 극단적인 부분

DIN 41622-1:1965-01 블레이드 접점이 3 × 1mm인 다극 커넥터, 측면
DIN 41618-1:1966-10 블레이드 접점이 있는 다극 커넥터 2.5mm × 1mm, 측면
DIN 41618-3:1974-05 블레이드 접점이 2.5mm × 1mm인 다극 커넥터, 위치 지정 및 제동 구성 요소
DIN CEN/TR 16625:2014-03*DIN SPEC 18449:2014-03 방수용 연질시트에 대한 제조업체의 한계값 및 신고값(MLV 및 MDV)의 통계적 정의 95% 통계적
DIN 41618-4:1976-02 블레이드 접점이 있는 다극 커넥터 2.5mm × 1mm, 커넥터 DIN 41618 및 DIN 41622용 하우징 및 잠금 장치
DIN EN 2995-006:2023-06 항공우주 시리즈 회로 차단기 단극 온도 보상 전류 정격 1A ~ 25A 부품 006: 6,3mm 및 2.8mm 블레이드 단자 제품 표준(편극 신호 접점 포함)
DIN 16196:2015 전기적 한계 접촉 장치가 있는 포인터 온도계 충진 시스템 온도계 및 바이메탈 스트립 온도계
DIN 16196:2013 전기적 한계 접촉 장치가 있는 포인터 온도계 충진 시스템 온도계 및 바이메탈 스트립 온도계
DIN EN 2995-006:2020 항공우주 시리즈 회로 차단기, 단극, 온도 보상, 정격 전류 1A ~ 25A 부품 006: 극성 신호 접점이 있는 6,3mm 및 2,8mm 블레이드 단자에 대한 제품 표준, 영어 버전 prEN 2995-006:2020

Association Francaise de Normalisation, 극단적인 부분

NF A81-304:1994 수동 금속 아크 전극용 코팅 전극봉 화학 분석을 위한 용접 금속 패드 증착
NF EN ISO 2128:2010 알루미늄 및 그 합금의 양극산화 양극층 두께 측정 광학 단면 현미경의 비파괴 방법
FD R13-438:1996 도로 차량용 하우징 잠금 장치가 있는 다극 3mm 플랫 플러그 연결의 치수 특성
NF R13-440:1992 도로 차량 플랫 블레이드 빠른 연결 장치 2부: 단극 연결 성능에 대한 테스트 및 요구 사항

Defense Logistics Agency, 극단적인 부분

DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 저전력 Shawkent 트랜지스터, 포지티브 NAND 게이트 및 단일 실리콘 다이를 갖춘 고급 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 모놀리식 실리콘 선형 마이크로회로 양극을 위한 5V 조정 가능한 정밀 전압 레퍼런스
DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 모놀리식 실리콘 선형 미세 회로 포지티브 고정 2.5V 저드롭아웃 전압 조정기
DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 고정 양극이 있는 모놀리식 실리콘 선형 마이크로 회로 3.3V 저드롭아웃 전압 조정기
DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 고정 양극이 있는 모놀리식 실리콘 선형 마이크로 회로 5V 저드롭아웃 전압 조정기
DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 4중 2입력 전용 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 매우 빠른 실리콘 모놀리식 회로 전류 피드백(피드백) 증폭 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-01507-2001 모놀리식 실리콘 양극화 디지털 초소형 회로 고속 예측 캐리 생성기
DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 모놀리식 실리콘 6개 반전 드라이버 수정된 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 사전 설정 및 투명한 모놀리식 실리콘을 갖춘 듀얼 JK 플립플롭
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 실리콘 모놀리식 512 x 4비트 양극 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 오픈 드레인 출력을 갖춘 16진수 인버터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 매우 낮은 잡음 쿼드 채널, 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 미세 회로, 선형, 방사선 경화, 매우 낮은 잡음 쿼드 채널, 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 개방형 컬렉터 출력을 갖춘 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 8진 버퍼 및 라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 매우 빠른 실리콘 모놀리식 출력 클램프 회로 전류 피드백(피드백) 증폭 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-88523 REV B-2008 모놀리식 실리콘 Six 2 입력 또는 드라이버, 수정된 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-06250-2006 실리콘 모놀리식 다중 채널 게이트리스 하이브리드 마이크로회로, 쇼트키 바이폴라 TTL 디지털 마이크로회로
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 단일 실리콘 조각에 3상태 출력을 갖춘 고급 양극 CMOS 전자 마이크로 회로 16비트 버스 트랜시버,
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 3상태 순방향 출력, 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버스 트랜시버
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 양극 저전력 트랜지스터 육각형 슈미트 트리거 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88727 REV C-2008 모놀리식 실리콘 8방향 버스 트랜시버로 개선된 저전력 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 36비트 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 3상 비반전 출력, 모놀리식 실리콘을 갖춘 마이크로 회로, 디지털, 양극, 8진 버스 트랜시버
DLA SMD-5962-03202-2003 실리콘 모놀리식 1024 x 8비트 양극 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-03203-2003 실리콘 모놀리식 1048 x 8비트 양극 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리 디지털 메모리 마이크로회로
DLA SMD-5962-88728 REV C-2008 모놀리식 실리콘 8엣지 D형 플립플롭 개선된 저전력 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88741 REV C-2008 모놀리식 실리콘 8비트 주소 지정 가능 래치 개선 저전력 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 마이크로회로, 메모리, 디지털, 양극, 1K x 8비트, 프로그래밍 가능 초기화 기능이 있는 등록된 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V 16비트 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87647 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 오픈 드레인 출력을 갖춘 쿼드 2입력 NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95537 REV B-2008 투명 모놀리식 실리콘을 갖춘 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 쿼드 D형 플립플롭
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 양극성 고급 트랜지스터, 4중 클래스 D 쌍안정 멀티바이브레이터 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ 에너지 스위칭 반도체 장치용 트랜지스터, 플라스틱, 트랜지스터 및 실리콘 웨이퍼에 대한 표준 사양
DLA SMD-5962-91726 REV A-2008 3상태 출력 모놀리식 8진 버퍼를 갖춘 미세회로 디지털 바이폴라 CMOS 스캐닝 테스트 장비
DLA SMD-5962-84061-1984 실리콘 모놀리식 출력 버퍼용 게이트 인버터, TTL 쇼트키 고급 저전력 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 마이크로회로, 메모리, 디지털, 8192비트, 전환 가능, 쇼트키, 3상태 출력을 갖춘 양극 PROM, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 36비트 등록 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90686 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 오픈 드레인 출력을 갖춘 16진수 인버터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 쿼드 2입력 포지티브 또는 TTL 호환 입력이 있는 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 쿼드 버스 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 쿼드 버스 버퍼, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 미세 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 미세 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 2N930, 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC 저손실 반도체 장치, 트랜지스터, 트랜지스터 및 실리콘 웨이퍼에 대한 표준 사양
DLA SMD-5962-96697 REV A-2008 모놀리식 실리콘 TTL 호환 입력 1라인 - 8라인 클록 드라이버, 향상된 양극성 CMOS 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-86709 REV F-2008 양극성 디지털 마이크로회로 메모리, 16×48×8 도메인 프로그래밍 가능 논리 시퀀서 및 모놀리식 실리콘의 제품 사양
DLA SMD-5962-88590 REV C-2008 고급 저전력 쇼트키 TTL 시리즈(ALS) 양극 디지털 마이크로일렉트로닉스 포지티브 NAND 게이트 및 모놀리식 실리콘에 대한 세부 사양
DLA SMD-5962-90590 REV C-2008 고급 COS 시리즈 디지털 마이크로 회로, 오픈 드레인 출력 및 단일 실리콘 다이를 갖춘 육각형 인버터에 대한 세부 사양
DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 실리콘 모놀리식 드라이버/수신기용 8비트 버퍼, 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 1라인~10라인 클록 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-84031 REV D-2005 실리콘 모놀리식, 출력 버퍼가 있는 논리 게이트, TTL 쇼트키 고급 저전력 양극 디지털 마이크로회로
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3.3V ABT 18비트 범용 버스 드라이버, 3상태 출력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 미세 회로, 디지털, 양극성 CMOS, 8진수 버퍼가 있는 스캔 테스트 장비, 반전 3상태 출력, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 빠른 캐리 기능을 갖춘 4비트 이진 전가산기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/79 D VALID NOTICE 1-2010 마이크로 회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 데이터 선택기/멀티플렉서, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 마이크로 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키, TTL, 입력 래치가 있는 8비트 시프트 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 마이크로회로, 디지털, 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진수 등록 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 2-2013 미세 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 육각형 버스 드라이버, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 쿼드 버스 버퍼 게이트, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 빠른 캐리 기능을 갖춘 4비트 이진 전가산기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88621 REV C-2008 ALS(Advanced Schottky TTL Series) 양극 디지털 마이크로회로용 모놀리식 실리콘이 포함된 쿼드 2입력 XOR 게이트에 대한 세부 사양
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 36비트 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 16비트 등록 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87621 REV B-2011 마이크로 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 입력 레지스터가 있는 8비트 이진 카운터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 3상태 출력을 갖춘 6개의 버스 드라이버를 갖춘 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 양극 디지털 마이크로회로
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 바이폴라 디지털 마이크로회로(3상태 출력 포함 쿼드 버스 버퍼 게이트 포함)
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 3상태 출력 8버스 버퍼 게이트를 갖춘 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 양극 디지털 마이크로 회로
DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 데이터 선택기/멀티플렉서, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 양극성 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 16비트 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 모놀리식 실리콘 TTL 호환 입력, 8개의 버퍼/드라이버 역방향 3상태 비반전 출력, 향상된 양극성 CMOS 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-88626 REV D-2008 고급 쇼트키 TTL 시리즈(ALS) 양극 디지털 마이크로회로 데이터 선택기/다중화 및 삼중 출력을 갖춘 모놀리식 실리콘에 대한 세부 사양
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 반전 3상태 출력을 갖춘 16비트 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 10비트 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 클록 활성화 기능이 있는 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 모놀리식 실리콘 TTL 호환 입력, 20비트 버스 인터페이스 3상 출력을 갖춘 D형 래치, 향상된 양극성 CMOS 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 3상태 출력 TTL 호환 출력을 갖춘 모놀리식 18비트 버스 트랜시버가 장착된 초소형 디지털 고급 바이폴라 CMOS 스캐닝 테스트 장비
DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 이중 활성화 기능이 있는 8진 래칭 트랜시버, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 16비트 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 10비트 버스 인터페이스 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 16비트 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀딩 및 3상태 출력을 갖춘 8진 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키, TTL, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 비반전 및 반전 입력이 있는 10비트 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 실리콘 모놀리식, D형 이중 포지티브 에지 트리거 플립플롭(리셋 클리어 키 포함), TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 3상태 출력 증폭기 드라이버와 8비트 버퍼, 수정된 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-89668 REV B-2006 동기식 리셋 키가 장착된 실리콘 모놀리식 동기식 8비트 값 증가 및 값 감소 카운터, 향상된 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90582 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 리셋 버튼과 마이크로파 타이머가 장착된 업/다운 카운터, 개선된 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93148 REV B-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 클럭 활성화 기능이 있는 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 삼중 상태 출력을 갖춘 모놀리식 실리콘 8진수 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력
DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀딩 및 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93148 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 클럭 활성화 기능이 있는 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 10비트 버스 인터페이스 3상태 출력을 갖춘 D형 래치, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-91716 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 클록 드라이버, 전파 지연이 일치하는 쿼드 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 반전 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-89722-1989 실리콘 모놀리식, 8비트 전송 라인 및 백플레인 트랜시버(3상태 출력을 갖춘 개방형 컬렉터), 개선된 쇼트키 TTL 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96698 REV A-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 18비트 트랜시버/레지스터를 갖춘 스캐닝 테스트 장비, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 역삼상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 래치 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 3상태 출력, 수정된 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식, 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터
DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀드오버 기능이 있는 3.3V 16비트 등록 트랜시버, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94672 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 18비트 범용 버스 트랜시버를 갖춘 스캐닝 테스트 장비, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 고전압 개방형 컬렉터 출력 저전력 트랜지스터 트랜지스터 논리 디지털 마이크로회로(버퍼/드라이버 포함)
DLA SMD-5962-90741 REV C-2013 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진수 버퍼 및 라인 드라이버/MOS 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90562 REV A-2005 3상태 출력, 수정된 쇼트키 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 1/16 데이터 생성기/멀티플렉서
DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼 및 라인 드라이버, 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로
DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 3상태 출력 및 25ohm 풀다운 저항기를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96761-1996 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 1~8행 클록 드라이버, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀드오버 기능이 있는 3.3V 옥탈 버스 트랜시버, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀드오버 기능이 있는 3.3V 16비트 버퍼/드라이버, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 옥탈 레지스터 버스 트랜시버를 갖춘 스캐닝 테스트 장비, 3레벨 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 8진 버스 트랜시버 및 반전 3상태 출력을 갖춘 레지스터, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-90939 REV D-2013 반전 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버/MOS 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 이중 활성화 및 3상태 출력을 갖춘 8비트 래치형 트랜시버, 향상된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 실리콘 모놀리식, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 등록된 버스 트랜시버를 위한 스캔 테스트 설정
DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 10비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로 장착
DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터, 개선된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 포지티브 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로 장착
DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로가 장착된 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 타이밍 및 대기 상태 발생기 회로, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 쿼드 버스 3상태 출력 버퍼, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀드 기능이 있는 3.3V 16비트 투명 D-래치, 3상태 출력 및 TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 18비트 버스 트랜시버 및 레지스터를 갖춘 스캐닝 테스트 장비, 3상태 출력 및 TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 직렬 저항기 및 3상태 출력을 갖춘 16비트 비반전 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-94616 REV B-2013 마이크로회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 옥탈 버스 트랜시버 및 레지스터를 갖춘 스캐닝 테스트 장비, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 고속 상보성 금속 산화물 반도체 구조, 3상태 출력을 갖춘 쿼드 버스 버퍼 게이트로 구성된 고급 바이폴라 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 고속 상보성 금속 산화물 반도체 구조, 3상태 출력을 갖춘 쿼드 버스 버퍼 게이트로 구성된 고급 바이폴라 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
DLA SMD-5962-95647 REV C-2008 모놀리식 실리콘 TTL 호환 입력, 3상 출력, 버스 홀드 기능이 있는 3.3V 16비트 에지 트리거 D형 플립플롭, 향상된 양극성 CMOS 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 실리콘 모놀리식, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 8비트 버스 트랜시버용 스캔 테스트 설정
DLA SMD-5962-96747-1997 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 8비트 양방향 데이터 버스 스캔 경로 선택기 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 3상태 출력, TTL 호환 입력 버스 트랜시버 및 레지스터 스캔 테스트 설정, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 클록 활성화 기능이 있는 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 3상태 출력, 수정된 저전력 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식, 10비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭
DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 역삼상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 트랜시버 및 래치, 향상된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 8비트 ~ 9비트 3상태 출력 버스 트랜시버, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 3.3V 팔각형 버스 수신기 및 레지스터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 25Ω 시리즈 저항기 및 반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀딩 기능이 있는 3.3V 옥탈 버스 트랜시버 및 레지스터, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-PRF-19500/394 M-2008 2N4150, 2N5237, 2N5238, 2N4150s, 2N5237S, 2N5238s, An, JANTX, Jans, Jansm, Jansd, Jansl, Jansr, Jansg, Janhca, Janhcb, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, Jankca B, Jankcm, JankC 에너지 변환 반도체 소자, 트랜지스터, 삼극관 및 실리콘 웨이퍼에 대한 표준 사양
DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터 스캔 테스트 설정, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 3상태 출력, TTL 호환 입력 18비트 버스 트랜시버 및 레지스터 스캔 테스트 설정, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 9비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 버스 인터페이스 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-89663-1989 버스 드라이버 패리티 I/O 포트가 있는 실리콘 모놀리식 9비트 패리티 생성기/검사기, 수정된 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 동기식 리셋 클리어 키가 있는 듀얼 네거티브 에지 트리거 JK 플립플롭, 수정된 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 10비트 버스 인터페이스 클래스 D 3상태 출력 래칭 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 3.3V 16비트 투명 3상태 출력 클래스 D 래칭 장치, 트랜지스터 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 D형 에지 트리거 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 3상태 출력, TTL 호환 입력 16비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
DLA SMD-5962-88591 REV C-2008 저전력 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 로직, 반전 8진 버퍼 및 3상태 출력을 갖춘 라인 드라이버를 사용하는 고급 양극 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로

National Association of Corrosion Engineers (NACE), 극단적인 부분

NACE RP0104-2004 음극 보호 모니터링 애플리케이션에 쿠폰 사용 프로젝트 번호 21105
NACE 35201-2001 음극으로 보호된 금속 구조물의 평가를 위한 외부 쿠폰 데이터의 적용 및 설명에 관한 기술 보고서 제품 번호 24213

Society of Automotive Engineers (SAE), 극단적인 부분

SAE AMS6546E-1991 경질 소모성 전극 용융 강판 스트립 및 플레이트 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
SAE AMS6524D-1991 경질 소모성 전극 용융 강판 및 스트립 및 플레이트 1.0Cr 7.5Ni 4.5Co 1.0Mo 0.09V (0.29-0.34C)
SAE AMS6439B-1988 경질 소모성 전극 진공 용해 강판, 스트립 및 플레이트 1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 0.48C)
SAE AMS6520D-1995 용체화 처리, 소모전극 용융 마텐자이트 강판, 조, 판재 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
SAE MAM5914A-2003 용체화 열처리된 소모성 전극 또는 진공 유도 용융 정밀 냉간 압연 부식 및 내열성 니켈 합금 시트, 스트립 및 포일 52.5Ni 19Cr 3.0Mo 5.0Cb 0.90Ti 0.50Al 18Fe
SAE AMS5605F-2013 소모성 전극의 982℃(1800°F) 용체화 처리 또는 니켈 합금 시트, 스트립 및 플레이트의 유도 용해 41.5Ni-16Cr-37Fe-2.9Cb-1.8Ti
SAE AMS5605E-2006 982°C(1800°F) 용액 열처리된 소모성 전극 또는 유도 용융 니켈 합금 시트, 스트립 및 플레이트 41.5Ni 16Cr 37Fe 2.9Cb(Nb) 1.8Ti
SAE AMS5605D-2000 1800\mDF (982\mDC) 용체화 열처리 소모성 전극 또는 유도 용해 니켈 합금 시트 및 스트립 및 플레이트 41.5Ni 16Cr 37Fe 2.9Cb 1.8Ti
SAE J2223/3-1998 온보드 도로 차량 전기 배선 장치의 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223/1-1998 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223/1-2011 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223/1-2005 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223/3-1994 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특수 요구 사항
SAE J2223/3-2003 온보드 도로 차량 전기 배선 장치의 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223/1-2003 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223/1-1994 온보드 도로 차량 전기 배선 장치의 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특수 요구 사항
SAE J2223-3-2011 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특수 요구 사항
SAE AMS5872D-2000 48Ni 20Cr 20Co 5.9Mo 2.2Ti 0.45Al 소모성 전극 또는 진공유도 용해액 열처리 내열, 내식성 니켈 합금 시트, 스트립, 플레이트
SAE AMS5606D-2000 41.5Ni 16Cr 37Fe 2.9Cb 1.8Ti 소모성 전극 또는 진공 유도 용해 1750\mDF (954\mDC) 용액 열처리 내식성 및 내열성 합금 시트, 스트립 및 플레이트
SAE AMS5597F-2009 내식성 및 내열성 52.5Ni 19Cr 3.0Mo 5.1Cb (Nb) 0.90Ti 0.50Al 18Fe 니켈 합금 스트립, 시트 및 플레이트는 소모성 전극 또는 1950°F (1066°C)에서 용체화 열처리에 의한 진공 유도로 용해됩니다.
SAE AMS5914A-2001 조성은 UNS N07719와 유사하며 52.5Ni - 19Cr - 3.0Mo - 5.0Cb - 0.90Ti - 0.50Al - 18Fe, 소모성 전극 또는 진공 유도 용해, 정밀 냉간 압연 및 용체화 열처리 내식성 및 내열성 니켈을 함유하고 있습니다. 합금 시트, 스트립 및 포일

U.S. Military Regulations and Norms, 극단적인 부분

ARMY MIL-PRF-55365/12 D (2)-2008 신뢰성과 비신뢰성이 확립된 유형 CWR15 극성 탄탈륨 고정 칩 커패시터
ARMY MIL-PRF-55365/12 E-2011 커패시터, 칩, 고정, 탄탈룸, 극성, 결정된 신뢰성 및 미결정된 신뢰성, 유형 CWR15
ARMY MIL-PRF-55365/13 A-2011 커패시터, 칩, 고정, 탄탈륨, 극성, 결정된 신뢰성 및 미결정된 신뢰성, 유형 CWR16
ARMY MIL-PRF-55365/8 H-2011 커패시터, 칩, 고정, 탄탈륨, 극성, 결정된 신뢰성, 결정되지 않은 신뢰성 및 높은 신뢰성, 유형 CWR11(미터법)
ARMY MIL-PRF-55365/4 H-2011 커패시터, 칩, 고정, 탄탈륨, 극성 확립된 신뢰성, 미확립된 신뢰성 및 높은 신뢰성 유형 CWR06 및 CWR09
ARMY MIL-PRF-55365/11 C-2011 커패시터, 칩, 고정, 탄탈륨, 극성, 확립된 신뢰성, 확립되지 않은 신뢰성 및 높은 신뢰성, 모델 CWR19 및 CWR29

SAE - SAE International, 극단적인 부분

SAE AMS6546F-2001 경질 소모성 전극 용융 강판 스트립 및 플레이트 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
SAE AMS6546E-1995 경질 소모성 전극 용융 강판 스트립 및 플레이트 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
SAE AMS6524E-2003 경질 소모성 전극 용융 강판 및 스트립 및 플레이트 1.0Cr 7.5Ni 4.5Co 1.0Mo 0.09V (0.29-0.34C)
SAE AMS6520D-2001 용체화 처리, 소모전극 용융 마텐자이트 강판, 조, 판재 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
SAE AMS6520C-1995 용체화 처리, 소모전극 용융 마텐자이트 강판, 조, 판재 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
SAE AMS6520E-2016 용체화 처리, 소모전극 용융 마텐자이트 강판, 조, 판재 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
SAE AMS5605G-2019 소모성 전극의 982℃(1800°F) 용체화 처리 또는 니켈 합금 시트, 스트립 및 플레이트의 유도 용해 41.5Ni-16Cr-37Fe-2.9Cb-1.8Ti
SAE J2223-1-2005 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항
SAE J2223-3-1998 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특수 요구 사항
SAE J2223-3-2006 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스의 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특수 요구 사항
SAE J2223/3 DRAFT-1994 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스 연결 3부: 다극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항에 대한 기술 보고서
SAE J2223/1 DRAFT-1994 온보드 도로 차량 전기 배선 하니스 연결 1부: 단극 커넥터의 플랫 블레이드 단자에 대한 치수 특성 및 특정 요구 사항에 대한 기술 보고서

American Society for Testing and Materials (ASTM), 극단적인 부분

ASTM D1830-17 곡면전극법에 의한 전기절연용 유연시트의 내열성 표준시험방법
ASTM D1830-99 아크 전극 방법에 의한 전기 절연성 유연한 시트 재료의 열 안정성에 대한 표준 테스트 방법
ASTM D1830-99(2005) 아크 전극 방법에 의한 전기 절연성 유연한 시트 재료의 열 안정성에 대한 표준 테스트 방법

American National Standards Institute （ANSI), 극단적인 부분

ANSI/ASTM D1830:1999 아크전극법에 의한 전기절연성 유연시트재료의 내열성 시험방법(10.01)
ANSI/EIA 580AOOO:1991 금속화 전극 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트 유전체가 있는 고정 칩 커패시터에 대한 하위 사양 참고: 승인 1991-11-07

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 극단적인 부분

KS C IEC 60130-5-2003(2008) 3MHz(Mc/s) 미만 주파수용 커넥터 5부: 블레이드 접점이 있는 직사각형 다중극 커넥터
KS C IEC 60130-6-2003(2008) 3MHz(Mc/s) 미만 주파수용 커넥터 6부: 블레이드 접점이 있는 직사각형 소형 다극 커넥터
KS R ISO 8092-3-2003(2018) 도로 차량용 온보드 전기 배선 하니스 연결 3부: 다극 연결을 위한 러그 치수 및 특수 요구 사항
KS C IEC 60748-2-1:2001 반도체 장치 집적 회로 2부: 디지털 집적 회로 섹션 1: 양극성 모놀리식 디지털 집적 게이트 회로(독립 논리 어레이 제외)
KS C 6384-3101-2013 전자기기용 고정 커패시터 제3부: 개별 사양: 고체 전해질과 다공성 양극 형상을 갖춘 표면 실장형 탄탈륨 칩 커패시터 I 평가 수준 E

SE-SIS, 극단적인 부분

SIS SS 06 11 01-1990 용접 전극. 탄소강, 탄소-망간 합금강, 미세 합금강, 저합금강의 가스 금속 아크 용접 및 금속 아크 용접용 용접 전극 및 관형 전극입니다. 용융 금속 시편의 용접 금속 테스트
SIS SS CECC 32200-1988 하위 표준. DC용 금속 전극과 폴리에틸렌 테레프탈레이트 유전체를 갖춘 칩 고정 커패시터
SIS SS 06 13 01-1990 소모품. 탄소강, 탄소망간강, 미세합금강, 저합금강의 서브머지 아크 용접용 용접 전극 및 플럭스입니다. 용융 금속 시편의 용접 금속 테스트
SIS SS CECC 32201-1988 자세한 사양은 공백입니다. DC용 금속 전극과 폴리에틸렌 테레프탈레이트 유전체를 갖춘 칩 고정 커패시터

Danish Standards Foundation, 극단적인 부분

DS/EN ISO 8092-1:1999 도로 차량용 온보드 전기 배선 하니스 연결 Del 1: 단극 커넥터의 치수 및 특정 요구 사항
DS/EN ISO 8092-3:2000 도로 차량용 온보드 전기 배선 하니스 연결 3부: 다극 커넥터의 치수 및 특수 요구 사항
DS/IEC 574-18:1989 시청각, 비디오 및 텔레비전 장비 및 시스템 18부: 자동 슬라이드 프로젝터용 커넥터 및 시청각 애플리케이션용 내장 트라이악 스위치

YU-JUS, 극단적인 부분

JUS N.R2.624-1980 보호층 없이 소결된 양극과 고체 상수 전해질을 갖춘 극성 탄탈륨 커패시터. 탄탈륨 칩 커패시터(유형 3A2) 6, 3~35V d. 씨. 기후 심각도: 55/125

BE-NBN, 극단적인 부분

NBN-EN 28092-2-1992 교통 수단. 슬라이더로 빠르게 연결하세요. 2부: 단극 연결 연결을 위한 실험 및 요구 사항(ISO 8092:2:1989)

未注明发布机构, 극단적인 부분

DIN 16196 E:2013-01 전기적 한계 접촉 장치가 있는 다이얼 표시 온도계 - 충진 시스템 온도계 및 바이메탈 온도계

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 극단적인 부분

DB13/T 5026.3-2019 그래핀 전도성 슬러리의 물성 측정 방법 3부: 슬러리 극편 저항률 측정 4탐침 방법

KR-KS, 극단적인 부분

KS R ISO 8092-3-2003(2023) 도로 차량용 온보드 전기 배선 하니스 연결 3부: 다극 연결을 위한 러그 치수 및 특수 요구 사항

Lithuanian Standards Office , 극단적인 부분

LST EN ISO 8092-3:2002 도로 차량용 온보드 전기 배선 장치 연결 3부: 다극 커넥터의 치수 및 특정 요구 사항(ISO 8092-3:1996)
LST EN ISO 8092-1:2002 도로 차량용 온보드 전기 배선 하니스 연결 1부: 단극 커넥터의 치수 및 특정 요구 사항(ISO 8092-1:1996)

PT-IPQ, 극단적인 부분

NP 2955/6-1985 전자 부품. 모놀리식 집적 회로에 사용하기 위한 프로그래밍 가능 양극 읽기 전용 메모리, 세부 사양

ES-UNE, 극단적인 부분

UNE-EN 2995-006:2023 항공우주 시리즈 - 회로 차단기, 단극, 온도 보상, 정격 전류 1A ~ 25A - 부품 006: 극성 신호 접점이 있는 6,3mm 및 2,8mm 블레이드 단자 - 제품 표준(Asociación Española de Normalización 승인) 나...

European Committee for Standardization (CEN), 극단적인 부분

EN 2995-006:2023 항공우주 시리즈 회로 차단기 단극 온도 보상 전류 정격 1A ~ 25A Part 006: 6.3mm 및 6.3mm 2.8mm 블레이드 단자 극성 신호 접점이 있는 제품 표준

ECIA - Electronic Components Industry Association, 극단적인 부분

580A000-1992 전자 장비에 사용하기 위한 금속화 전극과 폴리에틸렌 테레프탈레이트 유전체를 갖춘 고정 칩 커패시터 사양

Underwriters Laboratories (UL), 극단적인 부분

UL 1681 CRD-2013 배선 장비 구성에 대한 UL 안전 표준 섹션/단락 참조: 새로운 그림 C3.2 제목: 극성 중성 블레이드 프로파일을 사용하는 정격 15A, 125V의 2극 3선 접지 유형 연결 플러그(제4판: 2012년 4월 10일) , 2019)

PL-PKN, 극단적인 부분

PN M01002-01-1992 절단 및 연삭의 기본 수량입니다. 절삭 공구 활성 부분의 기하학적 치수입니다. 일반 용어. 기준 시스템, 도구 및 작업 각도, 칩 회로 차단기

TH-TISI, 극단적인 부분

TIS 1903-1999 전자 장비에 사용되는 고정 커패시터 파트 3-101: 고체 전해질 및 다공성 양극을 갖춘 표면 실장형 고정 탄탈륨 칩 커패시터 유형 I. 평가 수준 E