ZH
EN
ES

рост полупроводникового материала

рост полупроводникового материала, Всего: 226 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к рост полупроводникового материала, являются: Изоляционные жидкости, Полупроводниковые материалы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Условия и процедуры испытаний в целом, Режущие инструменты, Испытание металлов, Электронные компоненты в целом, Печатные схемы и платы, Электронные устройства отображения, Полупроводниковые приборы, Словари, Аналитическая химия, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Механические конструкции электронного оборудования, Электрические провода и кабели, Керамика, Оптика и оптические измерения, Обработка поверхности и покрытие, Изоляционные материалы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Защита от поражения электрическим током, Электрооборудование для работы в особых условиях, Детали трубопроводов и трубопроводы, Вращающиеся машины, Продукция химической промышленности, Защита от огня.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, рост полупроводникового материала

GB/T 14264-1993 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 14264-2009 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 31469-2015 Смазочно-охлаждающая жидкость для полупроводниковых материалов
GB/T 14844-1993 Обозначения полупроводниковых материалов
GB/T 1550-1997 Стандартные методы измерения типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 4298-1984 Метод активационного анализа для определения элементарных примесей в полупроводниковых кремниевых материалах
GB/T 3048.3-1994 Методы испытаний определения электрических свойств электрических кабелей и проводов. Измерение объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.
GB/T 3048.3-2007 Методы испытаний электрических свойств электрических кабелей и проводов. Часть 3. Испытание объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.

Group Standards of the People's Republic of China, рост полупроводникового материала

T/CEMIA 023-2021 Кварцевый тигель для выращивания монокремния полупроводника
T/CEMIA 024-2021 Практика изготовления кварцевых тиглей для выращивания полупроводникового монокремния
T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
T/SHDSGY 135-2023 Новая энергетическая технология производства полупроводниковых кремниевых пластин
T/CNIA 0143-2022 Сосуды из сверхчистой смолы для анализа следов примесей в полупроводниковых материалах
T/ZJATA 0017-2023 Оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD) для получения полупроводниковых материалов из карбида кремния

RO-ASRO, рост полупроводникового материала

STAS 6360-1974 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПРИБОРЫ Терминология

HU-MSZT, рост полупроводникового материала

MSZ 771/5-1979 Механические свойства полупроводниковых материалов

Professional Standard - Electron, рост полупроводникового материала

SJ/T 11775-2021 Многоканатная пила, используемая для полупроводниковых материалов.
SJ/Z 3206.13-1989 Общие правила анализа спектра излучения полупроводниковых материалов
SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах

Indonesia Standards, рост полупроводникового материала

SNI 19-0429-1989 Руководство по отбору проб жидких и полутвердых материалов

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, рост полупроводникового материала

GB/T 14844-2018 Обозначения полупроводниковых материалов
GB/T 1550-2018 Методы испытаний типа проводимости примесных полупроводниковых материалов
GB/T 36646-2018 Оборудование для получения нитридных полупроводниковых материалов методом газофазной эпитаксии гидридов
GB/T 37131-2018 Нанотехнологии - метод испытания полупроводникового нанопорошка с использованием спектроскопии диффузного отражения УФ-ВИД.

German Institute for Standardization, рост полупроводникового материала

DIN 50437:1979 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; измерение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерференции
DIN 50447:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение поверхностного электрического сопротивления полупроводниковых слоев вихретоковым методом.
DIN 50445:1992 Испытание материалов для полупроводниковой техники; бесконтактное определение удельного электросопротивления полупроводниковых пластинок вихретоковым методом; однородно легированные полупроводниковые пластины
DIN 50441-1:1996 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 1. Толщина и изменение толщины.
DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
DIN 50439:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; Определение профиля концентрации легирующей примеси монокристаллического полупроводникового материала вольт-емкостным методом и ртутным контактом
DIN 50441-4:1999 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 4. Диаметр среза, изменение диаметра, диаметр плоских пластин, длина плоских пластин, глубина плоских пластин.
DIN 50441-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 2. Испытание краевого профиля.
DIN SPEC 1994:2017-02 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение анионов в слабых кислотах.
DIN 50442-1:1981 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение структуры поверхности круглых монокристаллических полупроводниковых пластинок; нарезанные и притертые ломтики
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN 50454-2:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 2: Фосфид индия
DIN 50454-3:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 3: Фосфид галлия
DIN 50443-1:1988 Испытание материалов для использования в полупроводниковой технике; обнаружение кристаллических дефектов и неоднородностей в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии
DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
DIN EN 60749-39:2007-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006 / Примечание: Быть...
DIN EN 62047-2:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
DIN EN 62047-10:2012-03 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на микростолбчатое сжатие материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011); Немецкая версия EN 62047-10:2011.
DIN 50433-2:1976 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение ориентации монокристаллов по фигуре оптического отражения
DIN EN 62047-18:2014-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (IEC 62047-18:2013); Немецкая версия EN 62047-18:2013
DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия
DIN 50433-3:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение ориентации монокристаллов методом обратного рассеяния Лауэ
DIN EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006); Немецкая версия EN 62047-2:2006.
DIN EN 62047-6:2010-07 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009); Немецкая версия EN 62047-6:2010.
DIN 50441-3:1985 Испытание материалов для полупроводниковой техники; измерение геометрических размеров полупроводниковых пластинок; определение отклонения от плоскостности полированных срезов методом многолучевой интерференции
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020).
DIN 50433-1:1976 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение ориентации монокристаллов методом рентгеновской дифракции
DIN 50452-1:1995-11 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 1. Микроскопическое определение частиц.
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Фотокатализ - Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий; Немецкая версия CEN/TS 16599:2014.
DIN EN 62047-14:2012-10 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012); Немецкая версия EN 62047-14:2012.
DIN 50435:1988 Испытание полупроводниковых материалов; определение изменения радиального удельного сопротивления пластинок кремния или германия четырехзондовым методом постоянного тока
DIN 50438-2:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасного поглощения; углерод
DIN 50452-1:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 1. Микроскопическое определение частиц.
DIN 50452-3:1995 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 3. Калибровка оптических счетчиков частиц.
DIN 50453-1:1990 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение скоростей травления травильных смесей; монокристаллы кремния; гравиметрический метод
DIN 50455-1:2009-10 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Методы характеристики фоторезистов. Часть 1. Определение толщины покрытия оптическими методами.
DIN 50455-2:1999-11 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Методы характеристики фоторезистов - Часть 2. Определение фоточувствительности позитивных фоторезистов
DIN EN 62047-21:2015-04 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (IEC 62047-21:2014).
DIN 50434:1986 Испытание материалов для полупроводниковой техники; обнаружение кристаллических дефектов в монокристаллическом кремнии методами травления на поверхностях {111} и {100}
DIN 50431:1988 Испытание полупроводниковых материалов; измерение удельного сопротивления монокристаллов кремния или германия четырехзондовым методом постоянного тока с коллинеарной матрицей
DIN 50452-3:1995-10 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 3. Калибровка оптических счетчиков частиц.
DIN 50456-3:1999 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод определения характеристик формовочных масс для электронных компонентов. Часть 3. Определение катионных примесей.
DIN 50455-1:2009 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Методы характеристики фоторезистов. Часть 1. Определение толщины покрытия оптическими методами.
DIN 50453-1:2023-08 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение скоростей травления травильных смесей. Часть 1. Монокристаллы кремния, гравиметрический метод.
DIN EN IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020); Английская версия prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2021); Немецкая версия EN IEC 60749-39:2022 / Примечание: DIN...
DIN 50452-2:2009-10 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 2. Определение частиц с помощью оптических счетчиков частиц.
DIN 50451-3:2014-11 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение следов элементов в жидкостях. Часть 3. Определение 31 элемента в азотной кислоте высокой чистоты методом ИСП-МС.
DIN 50451-7:2018-04 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение следов элементов в жидкостях. Часть 7. Определение 31 элемента в соляной кислоте высокой чистоты методом ИСП-МС.
DIN 50451-6:2014-11 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение следов элементов в жидкостях. Часть 6. Определение 36 элементов в растворе фторида аммония высокой чистоты (NH<(Index)4>F) и в травильных смесях аммония высокой чистоты. ..
DIN 50453-2:1990 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение скоростей травления травильных смесей; покрытие диоксидом кремния; оптический метод
DIN EN 62047-12:2012-06 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (IEC 62047-12:2011); Немецкая версия EN 62047-12:2011.
DIN 50440:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Измерение времени жизни носителей в монокристаллах кремния. Время жизни рекомбинационных носителей при малой инжекции методом фотопроводимости.
DIN 50452-2:2009 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Метод испытаний для анализа частиц в жидкостях. Часть 2. Определение частиц с помощью оптических счетчиков частиц.
DIN 50452-2:1991 Испытание материалов для полупроводниковой техники; метод испытаний для анализа частиц в жидкостях; определение частиц с помощью оптических счетчиков частиц
DIN 50451-4:2007 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение микроэлементов в жидкостях. Часть 4. Определение 34 элементов в сверхчистой воде методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой (ИСП-МС).
DIN 50450-4:1993 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение примесей в газах-носителях и легирующих газах; определение CC-углеводородов в азоте методом газовой хроматографии

British Standards Institution (BSI), рост полупроводникового материала

BS IEC 62899-203:2018 Печатная электроника. Материалы. Полупроводниковые чернила
BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
BS EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб
BS EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
21/30428334 DC БС ЕН МЭК 62899-203. Печатная электроника. Часть 203. Материалы. Полупроводниковые чернила
BS EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Испытание микростолбов на сжатие материалов MEMS
BS EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов
BS EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
BS EN IEC 60749-39:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов.
BS EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод измерения предела формования металлических пленочных материалов
20/30425840 DC БС ЕН МЭК 60749-39. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых деталей
BS PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерение этих условий
BS IEC 62047-31:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на четырехточечный изгиб для определения энергии межфазной адгезии слоистых МЭМС-материалов.
BS ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 13125:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS EN 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур
BS ISO 27447:2019 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS EN 50267-2-2:1999 Общие методы испытаний кабелей в условиях пожара. Испытания газов, выделяющихся при горении материалов кабелей. Методики. Определение степени кислотности газов для материалов путем измерения pH и проводимости.

International Electrotechnical Commission (IEC), рост полупроводникового материала

IEC 62899-203:2018 Печатная электроника. Часть 203. Материалы. Полупроводниковые чернила
IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
IEC 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
IEC 62047-6:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
IEC 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС; Исправление 1
IEC 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов.
IEC 62047-31:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 31. Метод испытания на четырехточечный изгиб для определения энергии межфазной адгезии слоистых материалов МЭМС.
IEC 62047-12:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

Building Officials and Code Administrators International(U.S.), рост полупроводникового материала

BOCA ARTICLE 18 NFPC COMM-1990 Производство полупроводников с использованием опасных производственных материалов
BOCA ARTICLE 18 NFPC-1990 Предприятия по производству полупроводников с использованием опасных производственных материалов. Восьмое издание.

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, рост полупроводникового материала

DB61/T 1250-2019 Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)

American Society for Testing and Materials (ASTM), рост полупроводникового материала

ASTM D3004-02 Стандартные спецификации для экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых, проводниковых и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D3004-97 Стандартные спецификации для экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых, проводниковых и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D3004-08(2020) Стандартные спецификации для сшитых и термопластичных экструдированных полупроводниковых, проводниковых и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-99 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-05 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-06 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12(2023) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12(2018) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6097-16 Стандартный метод испытаний относительной устойчивости к образованию водяных деревьев в твердых диэлектрических изоляционных материалах
ASTM F637-85(1994)e1 Стандартные спецификации на формат, физические свойства и методы испытаний тестируемых ленточных носителей диаметром 19 и 35 мм для полупроводниковых устройств с ленточным носителем по периметру

RU-GOST R, рост полупроводникового материала

GOST 22622-1977 Полупроводниковые материалы. Понятия и определения

American National Standards Institute （ANSI), рост полупроводникового материала

ANSI/ASTM D3004:2008 Спецификация на экструдированные сшитые и термопластичные полупроводниковые, проводниковые и изоляционные экранирующие материалы
ANSI/ASTM D6095:2012 Метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), рост полупроводникового материала

KS C 6520-2021 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
KS C 6520-2019 Компоненты и материалы полупроводникового производства. Измерение характеристик износа с помощью плазмы.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 62047-18:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-22:2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS L ISO 27447-2011(2016) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2011(2021) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

Association Francaise de Normalisation, рост полупроводникового материала

NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых в полупроводниковых компонентах.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний на изгиб тонкопленочных материалов.
NF ISO 14605:2013 Техническая керамика. Источники света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Методы испытаний тонкопленочных материалов на растяжение.
NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний на осевую усталость тонкопленочных материалов.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
NF EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
NF EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формования материалов с металлическими слоями.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения предела формирования металлических пленочных материалов.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
NF EN 62047-10:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие методом микростолбиков для МЭМС-материалов.
NF ISO 22197-4:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 4. Удаление формальдегида.
NF ISO 22197-5:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
NF EN 62047-11:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 11. Метод определения коэффициентов линейного теплового расширения автономных материалов для микроэлектромеханических систем.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), рост полупроводникового материала

JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.
JIS C 5630-2:2009 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
JIS C 5630-18:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
JIS C 5630-6:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
JIS R 1712:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
JIS C 5630-12:2014 Полупроводниковые приборы.Микроэлектромеханические устройства.Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

Danish Standards Foundation, рост полупроводникового материала

DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
DS/EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.
DS/EN 62047-2:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
DS/EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
DS/EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
DS/EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов.
DS/EN ISO 9080:2013 Системы пластиковых трубопроводов и воздуховодов. Определение долгосрочной гидростатической прочности термопластических материалов в форме труб путем экстраполяции.
DS/EN 62047-12:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытаний тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, рост полупроводникового материала

EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов.
EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.
EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов.
EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов МЭМС.

ES-UNE, рост полупроводникового материала

UNE-EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2022 г.).
UNE-EN 62047-10:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбиков материалов MEMS (одобрено AENOR в декабре 2011 г.).
UNE-EN 62047-18:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб (одобрено AENOR в ноябре 2013 г.).
UNE-EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN 62047-6:2010 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (одобрено AENOR в июне 2010 г.)
UNE-EN 62047-21:2014 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 21. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов (одобрен AENOR в ноябре 2014 г.)
UNE-EN 62047-14:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (одобрено AENOR в июне 2012 г.).
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
UNE-EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
UNE-EN 62047-12:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 12. Метод испытания тонкопленочных материалов на усталость при изгибе с использованием резонансной вибрации МЭМС-структур (одобрено AENOR в феврале 2012 г.)

KR-KS, рост полупроводникового материала

KS C IEC 62047-18-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS C IEC 62047-22-2016 Полупроводниковые приборы . Микроэлектромеханические устройства . Часть 18. Методы испытаний тонкопленочных материалов на изгиб.
KS L ISO 10677-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2023 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 14605-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., рост полупроводникового материала

T-32-645-2012 Метод испытаний для установления совместимости объемного сопротивления водоблокирующих компонентов с экструдированными полупроводниковыми экранирующими материалами

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), рост полупроводникового материала

ICEA T-32-645-2012 МЕТОД ИСПЫТАНИЙ ДЛЯ УСТАНОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ ВОДОБЛОКИРУЮЩИХ КОМПОНЕНТОВ С ЭКСТРУДИРОВАННЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ЭКРАНИРУЮЩИМИ МАТЕРИАЛАМИ

European Committee for Standardization (CEN), рост полупроводникового материала

PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.
CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.

Lithuanian Standards Office , рост полупроводникового материала

LST EN 60749-39-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62047-10-2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 10. Испытание на сжатие микростолбов для материалов МЭМС (IEC 62047-10:2011)
LST EN 61479-2002 Живая работа. Гибкие оболочки проводников (линейные шланги) из изоляционного материала (МЭК 61479:2001)
LST EN 62047-2-2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение (IEC 62047-2:2006).
LST EN 62047-6-2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 6. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость (IEC 62047-6:2009).
LST EN 61479-2002/A1-2002 Живая работа. Гибкие оболочки проводников (линейные шланги) из изоляционного материала (IEC 61479:2001/A1:2002)
LST EN 62047-14-2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 14. Метод измерения пределов формирования металлических пленочных материалов (IEC 62047-14:2012)

Standard Association of Australia （SAA）, рост полупроводникового материала

AS/NZS 1660.2.3:1998 Методы испытаний электрических кабелей, шнуров и проводников. Изоляция, экструдированные полупроводниковые экраны и неметаллические оболочки. Методы, специфичные для ПВХ и термопластических материалов, не содержащих галогенов.
AS/NZS 1660.2.2:1998 Методы испытаний электрических кабелей, шнуров и проводников. Изоляция, экструдированные полупроводниковые экраны и неметаллические оболочки. Методы, специфичные для эластомерных материалов, материалов из сшитого полиэтилена и поливинилхлорида.

AT-OVE/ON, рост полупроводникового материала

OVE EN IEC 60749-39:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV) (английская версия)

International Organization for Standardization (ISO), рост полупроводникового материала

ISO 13125:2013 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 27447:2019 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 14605:2013 Тонкая керамика (современная керамика, передовая техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
ISO 27447:2009 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

IEC - International Electrotechnical Commission, рост полупроводникового материала

IEC 62047-31:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 31. Метод испытания на четырехточечный изгиб для определения энергии межфазной адгезии слоистых МЭМС-материалов (Редакция 1.0).