BS EN 62417:2010
半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
BS EN 62417:2010 发布历史
BS EN 62417:2010由英国标准学会 GB-BSI 发布于 2010-06-30，并于 2010-06-30 实施。
BS EN 62417:2010 在中国标准分类中归属于: L56 半导体集成电路，在国际标准分类中归属于: 31.080.30 三极管。
BS EN 62417:2010的历代版本如下：
- 2010年 BS EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
本标准提供了晶圆级测试程序，以确定金属氧化物半导体场效应晶体管中氧化物层中的正移动电荷量。 。 它适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。 移动电荷可能会导致微电子器件退化，例如通过改变 MOSFET 的阈值电压或通过双极晶体管中的基极反转。
