BS EN 62417:2010
半导体器件 金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
- 标准号
- BS EN 62417:2010
- 发布
- 2010年
- 发布单位
- 英国标准学会
- 当前最新
- BS EN 62417:2010
- 适用范围
- 本标准提供了晶圆级测试程序，以确定金属氧化物半导体场效应晶体管中氧化物层中的正移动电荷量。 。 它适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。 移动电荷可能会导致微电子器件退化，例如通过改变 MOSFET 的阈值电压或通过双极晶体管中的基极反转。
BS EN 62417:2010相似标准
NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
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