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磁性随机存储器

本专题涉及磁性随机存储器的标准有177条。

国际标准分类中，磁性随机存储器涉及到集成电路、微电子学、数据存储设备、泵、信息技术应用、航空航天制造用材料、音频、视频和视听工程、微处理机系统、金属材料试验、电气设备元件、磁性材料、接口和互连设备、机械试验、雾化剂罐。

在中国标准分类中，磁性随机存储器涉及到、半导体集成电路、集装箱、托盘、货架、微电路综合、数据媒体、金融、保险、计算机应用、航空与航天用金属铸锻材料、视频、脉冲系统设备、计算机设备、磁性元器件、计算机综合、泵。

中国团体标准，关于磁性随机存储器的标准

T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法
T/CIE 092-2020 自旋转移矩磁随机存储器测试方法
T/CIE 133-2022 磁随机存储器件数据保持时间测试方法
T/CIE 134-2022 磁随机存储芯片数据保持时间测试方法

(美国)空军，关于磁性随机存储器的标准

AIR FORCE MIL-P-5515 D NOTICE 1-1996 手控随机存储器水力泵
AIR FORCE MIL-P-5515 D-1991 手控随机存储器水力泵

美国国防后勤局，关于磁性随机存储器的标准

DLA SMD-5962-95600 REV J-2008 单片硅512Kx8静态随机存取存储器(SRAM),数字存储器微电路
DLA SMD-5962-95613 REV J-2008 单片硅512Kx8位静态随机存取存储器(SRAM),数字存储器微电路
DLA SMD-5962-86015 REV B-2005 硅单块 64K X1静态随机存取存储器数字主储存器微型电路
DLA MIL-M-38510/246 VALID NOTICE 4-2010 微电路、存储器、数字、NMOS、246,144 位、动态随机存取存储器（DRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-79018 REV D-2012 微电路、存储器、数字、CMOS 128 X 8 位随机存取存储器（RAM）、单片硅
DLA SMD-5962-94611 REV T-2012 微电路，混合，存储器，数字，512K x 32 位，静态随机存取存储器，CMOS
DLA SMD-5962-96795 REV D-2009 微电路、存储器、数字、256K X 16 静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-87703 REV A-2006 硅单块 256X9比特随机存取存储器,双极数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-86023 REV C-2005 硅单块双极256比特随机存取存储器,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-86051 REV C-2005 硅单块双极64比特随机存取存储器,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-86052 REV C-2006 硅单块双极256X8比特随机存取存储器,数字主储存器微型电路
DLA MIL-M-38510/240 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、存储器、数字、NMOS、16、384 位动态随机存取存储器（DRAM）、单晶硅
DLA MIL-M-38510/293 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、存储器、数字、CMOS、262、144 位静态随机存取存储器（SRAM）单片硅
DLA SMD-5962-38294 REV J-2010 微电路、存储器、数字、CMOS、8K x 8 静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-91593 REV A-2012 微电路、存储器、数字、BICMOS、16K x 4 静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-91594 REV A-2012 微电路、存储器、数字、BICMOS、8K x 8 静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-90617 REV C-2008 微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 4 动态随机存取存储器（DRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-95600 REV K-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8 静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-92154 REV B-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 1 静态随机存取存储器、（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-86020 REV C-2005 肖脱基双极随机存取存储器256X1比特低功率主储存器微型处理器
DLA SMD-5962-08241-2010 微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8、3.3 伏、抗辐射、非易失性随机存取存储器（NVRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-91662 REV B-2006 硅单块 4K X 16双门静态随机存取存储器,,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-90858 REV A-2011 微电路、存储器、数字、数字、CMOS 64K x 16 静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-81039 REV H-2012 微电路、存储器、数字、NMOS 16K（2048 X 8）位静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-82007 REV D-2012 微电路、存储器、数字、NMOS 16K（16,384 X 1）位静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-07237 REV B-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、1M x 4 位（4M）、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-86081 REV C-2010 微电路、存储器、数字、NMOS 16K（4096 X 4 位）静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-91508 REV D-2013 微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 8 双端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-08220-2009 微电路、存储器、数字、CMOS 1M X 16（16M）3.3 V、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-08240 REV A-2010 微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 8 带 ECC、3.3 伏、抗辐射、非易失性随机存取存储器（NVRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-86025 REV E-2005 硅单块随机存取存储器,2门16字4比特双极数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-96845 REV D-2008 单片硅CMOS4Kx8/9耐辐射双端口静态随机存取存储器(SRAM),数字存储器微电路
DLA SMD-5962-93128 REV B-2013 微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1 静态随机存取存储器（SRAM）、独立 I/O、单片硅
DLA SMD-5962-07234-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、256K x 8 位（2M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-07239-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、512K x 16 位（8M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-07235-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、128K x 16 位（2M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-07236-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、256K x 16 位（4M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-07238-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、512K x 8 位（4M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-07240 REV B-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、1M x 8 位（8M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-07241-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、1M x 4 位（4M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-08219-2009 微电路、存储器、数字、CMOS、2M x 8 位（16M）、静态随机存取存储器（SRAM）、（3.3 V）、单片硅
DLA SMD-5962-90696 REV A-2011 微电路、存储器、数字、CMOS、256 x 4 静态随机存取存储器（SRAM）带独立 I/O、单片硅
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、双极 256 位随机存取存储器（RAM）单片硅
DLA SMD-5962-92078 REV J-2008 CMOS,512K x 8-BIT静态随机访问存储器,数字式存储器,混合式微电子电路
DLA MIL-M-38510/244 B VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、NMOS、65,536 位、动态随机存取存储器（DRAM）、单片硅
DLA MIL-M-38510/289 A VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，CMOS 4096 位静态随机存取存储器（RAM）单片硅
DLA MIL-M-38510/291 B VALID NOTICE 1-2010 微电路，数字，CMOS 16,384 位静态随机存取存储器（RAM）单片硅
DLA MIL-M-38510/292 VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、CMOS、65,536 位静态随机存取存储器（SRAM）单片硅
DLA SMD-5962-91518-1993 硅单块 1K X 4静态随机存取存储器,发射极耦合逻辑,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-87002 REV E-2006 硅单块 2KX8双门静态随机存取存储器,氧化物半导体,数字主体储存器微型电路
DLA SMD-5962-97545 REV E-2007 单片硅同步动态随机存储器(SDRAM),512K x 16-BIT x 2-BANK,CMOS数字存储器微电路
DLA SMD-5962-92154 REV A-2001 硅单块 64K X 1静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
DLA SMD-5962-90847 REV F-2004 硅单块互补金属氧化物半导体1MEGX4动态随机存取存储器,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 硅单片,8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 静态随机存储器256K X 16-BIT混合记忆微电路
DLA SMD-5962-85152 REV F-2006 硅单块 256KX1动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-91612 REV B-2006 硅单块 256K X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-92078 REV H-2001 512KX8比特互补金属氧化物半导体,静态随机存取存储器,数字主储存器混合微型电路
DLA SMD-5962-92132 REV D-2006 硅单块 64K X4动态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-87712 REV B-1991 硅单块 512X8比特非易失性的静态随机存取存储器,数字主处理器微型电路
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 硅单片64比特双极随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-91593-1993 硅单块 16K X4静态随机存取存储器,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-91594-1994 硅单块 8K X8静态随机存取存储器,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-87593 REV C-2006 硅单块 256 X8比特随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
DLA SMD-5962-90858-1991 硅单块互补金属氧化物半导体64K X 16静态随机存取存储器,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-86875 REV D-2006 硅单块 1KX8双口静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
DLA SMD-5962-86705 REV F-2006 硅单块4X4比特静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主体存储器微型电路
DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 硅单片16千比特动态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 硅单片16千字节静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K X 16静态随机存储寄存器硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1动态随机存取存储器硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-90986-1992 硅单块 256K X 4图象随机存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-91508 REV C-2007 硅单块 16K X 8双门静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-87592 REV B-2000 硅单块 1K X4高速静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
DLA SMD-5962-86859 REV B-2006 硅单块互补金属氧化物半导体16比特X4静态随机存取存储器数字主体储存器微型电路
DLA SMD-5962-87513 REV C-2006 硅单块4K X1和1K X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字主存储器微型电路
DLA SMD-5962-94599 REV B-2006 硅单片,在功率损耗上装有自动储存的8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 硅单片,256K X 16多口视频随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 硅单片,装有OE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA MIL-M-38510/615 VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、VHSIC、CMOS、4096 位、4 端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-90510 REV A-2006 硅单片,装有256字节随机存取存储器,512字节电可擦除只读存储器的8位微处理器,HCMOS数字微型电路
DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 单片硅数字存储器微电路CMOS 16K X 1个静态随机存取记忆体(SRAM)
DLA SMD-5962-92344-1993 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA MIL-M-38510/613 VALID NOTICE 3-2006 微电路、数字、VHSIC、CMOS、65,536 位可选模式、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA MIL-M-38510/613-1988 微电路、数字、VHSIC、CMOS、65,536 位可选模式、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA MIL-M-38510/610 A VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、VHSIC、CMOS、65,536 位可选模式、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA MIL-M-38510/613 VALID NOTICE 4-2010 微电路、数字、VHSIC、CMOS、65,536 位可选模式、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-90696-1993 硅单块带别的输入输出256 X4静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体数字主储存器微型电路
DLA SMD-5962-11202-2012 微电路、存储器、数字、CMOS、2M X 36 位、1.8 伏、2 字和 4 字突发、抗辐射、同步静态随机存取存储器（SSRAM）、单片硅
DLA SMD-5962-96743 REV A-2006 1 MEG X 16动态随机存储器数字的硅单片电路微电路
DLA SMD-5962-81024 REV F-2005 硅单片4096比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-95600 REV H-2004 数字的512K X 8静电噪声随机存取存储器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-93128 REV A-1995 硅单片,256K X 1静态随机存取存储器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 128K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字混合微型电路
DLA MIL-M-38510/245 B VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、CMOS、4096 位、静态随机存取存储器（SRAM）、块状硅和蓝宝石上的硅
DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 硅单片,2K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 硅单片,8K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 硅单片,16K X 4BITS静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 硅单片,8K X 9静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 硅单片,装有OE及双重CE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 硅单片,4M X 1动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 硅单片,4M X 4动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93225-1994 硅单片,64K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 硅单片,16千比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 硅单块 32K X8静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-92172-1993 硅单片,独立I/O分址16K X 4静态随机存取存储器,BICMOS数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合及单片微型电路
DLA SMD-5962-97536-1997 多片状微电路静态随机存储器微处理器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 硅单片8千X8比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-87676 REV A-1988 硅单块 64K X4动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 硅单片,2K X 8双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 硅单片,4K X 9双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固CMOS,256K X8位静态随机存取存储器,单块硅
DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 硅单片,低功率128K X 8静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 硅单块 4096X4比特静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-98537 REV C-2006 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固,CMOS/SOI,128K X 8静态随机存取存储器,单块硅
DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅单片65536 X 1比特动态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-95624 REV C-2006 混合数字的512K X 32-BIT,静电噪声随机存取存储器互补金属氧化物半导体微电路
DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 硅单片,装有1K X 16随机存取存储器的运程终端,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅单片,1MX 8电可擦除可程序化随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-98615 REV A-2006 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固CMOS,低压,128K X 8位静态随机存取存储器,单块硅
DLA SMD-5962-90976-1992 硅单块带随机存取存储器芯片数据的8比特微控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构单芯片,微型电路
DLA SMD-5962-06203-2006 硅单片低压耐辐射静态随机存取存储器,512千 X 8比特氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 硅单片16千(2048 X 8)比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-05208 REV B-2006 硅单片低压耐辐射静态随机存取存储器,512千 X 8比特氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 硅单片,装有1K X 16随机存取存储器的运程终端接口,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96900 REV F-2003 单相128K X 16 BIT静态有分开数据总线随机储存器,128K X 16-BIT可擦可编程有分开数据总线只读存储器,混合数字微电路
DLA SMD-5962-90594 REV A-1995 硅单片,装有透明写入式及独立I/O分址的16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92316 REV D-2006 硅单片,装有独立I/O分址的1M X 1静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90664-1992 硅单片,装有透明写入式及独立I/O分址的64K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89790-1992 硅单片,装有独立式 I/O定址的4K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-95643 REV D-2006 数字256K X 16互补金属氧化物半导体录像随机存储器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互补金属氧化物半导体,128K X 8静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-03250 REV B-2006 硅单片18千独立静态随机存取存储器40000栅,现场可编程栅阵列氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-04227 REV B-2005 多芯片模块双电压耐辐射静态随机存取存储器,512千 X 32比特,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89935 REV B-2007 硅单片,装有独立I/O分址的64K X 4静态随机存取存储器,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-07210-2007 硅单片512千 X 8比特低压耐辐射静态随机存储器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 512千 X 8比特硅单片耐辐射静态随机存储器氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96766 REV A-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体,256 X 8静态随机存储器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-85525 REV B-1990 硅单块 8KX8静态随机存取存储器互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路取代DLA SMD-5962-38294 REV H,DLA SMD-5962-38294 REV G,DLA SMD-5962-38294 REV F,DLA SMD-5962-38294 REV E,DLA SMD-5962-38294 REV D,DL
DLA SMD-5962-94748-1994 有6个调色板的随机存储器的135赫兹三倍8-BIT直流电和交流电转换器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-95845 REV C-2002 抗辐射互补金属氧化物半导体数字32K X 8静态噪声随机存储器硅单片电路线型微电路

德国标准化学会，关于磁性随机存储器的标准

DIN 32744-1:2001 办公机器；储蓄存折磁条；第1部分:机械电磁性能
DIN 19242-8:1987 测量和控制.过程计算机系统的性能试验.时间测量.被测功能:对外围存储系统( 随机存取)I/O 操作

CZ-CSN，关于磁性随机存储器的标准

CSN 36 9402-1976 数据处理机器．磁盘存储装置
CSN 36 9401-1975 数据处理机器．磁带存储装置

行业标准-电子，关于磁性随机存储器的标准

SJ 50597/38-1995 半导体集成电路.JM2148H型NMOS 1024×4位静态随机存取存储器详细规范
SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理
SJ/T 10740-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理

AENOR，关于磁性随机存储器的标准

UNE 58913:1987 存储和检索机器可靠性和可用性
UNE 20587:1978 具有标称选择比 2:1 的重合电流矩阵存储和线性选择存储器中应用的磁芯

法国标准化协会，关于磁性随机存储器的标准

NF C86-253:1987 电子元件统一质量评审体系.集成电路动态可读可写随机存取存储器.分规范
NF C86-254:1987 电子元件统一质量评审体系.集成电路静态可读可写随机存取存储器.空白详细规范

RU-GOST R，关于磁性随机存储器的标准

GOST R 52005-2003 非破坏性测试使用金属磁存储器的方法一般要求
GOST 28043-1989 个人电子计算机.硬磁盘存储器移动头间的接口.一般要求

国际电工委员会，关于磁性随机存储器的标准

IEC 60281/AMD1:1975 具有标称选择比2:1的电流重合式矩阵存储器和线性选择存储器中应用的磁芯.第1次修改

IN-BIS，关于磁性随机存储器的标准

IS 7717-1974 用于标称选择比为 2：1 的重合电流矩阵存储器和线性选择存储器的磁芯的一般要求和测试

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于磁性随机存储器的标准

GB/T 36474-2018 半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

美国材料与试验协会，关于磁性随机存储器的标准

ASTM D6654-05 机械泵分配器基本储存稳定性的标准试验方法
ASTM D6654-05(2010) 机械泵分配器基本储存稳定性的标准试验方法
ASTM D6654-01 机械泵分配器基本储存稳定性的标准试验方法