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memoria de acceso aleatorio magnética

memoria de acceso aleatorio magnética, Total: 176 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en memoria de acceso aleatorio magnética son: Circuitos integrados. Microelectrónica, Dispositivos de almacenamiento de datos, Zapatillas, Aplicaciones de la tecnología de la información., Materiales para la construcción aeroespacial., Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Sistemas de microprocesador, pruebas de metales, Componentes para equipos eléctricos., Materiales magnéticos, Equipos de interfaz e interconexión., Pruebas mecánicas, Contenedores de aerosoles.


Group Standards of the People's Republic of China, memoria de acceso aleatorio magnética

  • T/CIE 126-2021 Método de prueba del chip de memoria de acceso aleatorio magnético
  • T/CIE 092-2020 Método de prueba para la memoria de acceso aleatorio magnético de par de transferencia de espín
  • T/CIE 133-2022 Método de prueba para el tiempo de retención de datos de un dispositivo de memoria magnética de acceso aleatorio
  • T/CIE 134-2022 Método de prueba para el tiempo de retención de datos del chip de memoria de acceso aleatorio magnético

U.S. Air Force, memoria de acceso aleatorio magnética

Defense Logistics Agency, memoria de acceso aleatorio magnética

German Institute for Standardization, memoria de acceso aleatorio magnética

  • DIN 32744-1:2001 Máquinas de oficina. Bandas magnéticas en libros de ahorro. Parte 1: Propiedades mecánicas y electromagnéticas.
  • DIN 19242-8:1987 Medición y control; pruebas de rendimiento de sistemas informáticos de procesos; medición del tiempo; Función probada: operación de E/S en un sistema de almacenamiento periférico (acceso aleatorio)

CZ-CSN, memoria de acceso aleatorio magnética

Professional Standard - Electron, memoria de acceso aleatorio magnética

  • SJ 50597/38-1995 Circuitos integrados semiconductores. Especificación detallada de la memoria de acceso aleatorio estática tipo JM2148H NMOS de 1024 × 4 bits.
  • SJ/T 10739-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio MOS.
  • SJ/T 10740-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio bipolares.

AENOR, memoria de acceso aleatorio magnética

  • UNE 58913:1987 MÁQUINAS DE ALMACENAMIENTO Y RECUPERACIÓN. CONFIABILIDAD Y DISPONIBILIDAD
  • UNE 20587:1978 NÚCLEOS MAGNÉTICOS PARA APLICACIÓN EN ALMACENES DE MATRIZ DE CORRIENTE COINCIDENTE CON RELACIÓN DE SELECCIÓN NOMINAL 2:1 Y ALMACENES DE MEMORIA DE SELECCIÓN LINEAL

Association Francaise de Normalisation, memoria de acceso aleatorio magnética

  • NF C86-253:1987 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Mos lee/escribe memorias dinámicas en circuitos monolíticos de silicio. Especificación detallada en blanco.
  • NF C86-254:1987 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Mos lee/escribe memorias estáticas en circuitos monolíticos de silicio. Especificación detallada en blanco.

RU-GOST R, memoria de acceso aleatorio magnética

  • GOST R 52005-2003 Pruebas no destructivas. Método que utiliza memoria magnética metálica. Requerimientos generales
  • GOST 28043-1989 Computadoras personales. Interfaz de unidad de disco duro fijo con cabezales extraíbles. Requerimientos generales

International Electrotechnical Commission (IEC), memoria de acceso aleatorio magnética

  • IEC 60281/AMD1:1975 Núcleos magnéticos para aplicación en almacenes de matrices de corriente coincidente que tienen una relación de selección nominal de 2:1 y en almacenes de memoria de selección lineal.

IN-BIS, memoria de acceso aleatorio magnética

  • IS 7717-1974 REQUISITOS GENERALES Y PRUEBAS PARA NÚCLEOS MAGNÉTICOS PARA APLICACIÓN EN ALMACENES DE MATRICES DE CORRIENTE COINCIDENTES CON UNA RELACIÓN DE SELECCIÓN NOMINAL DE 2:1 Y EN ALMACENES DE MEMORIA DE SELECCIÓN LINEAL

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, memoria de acceso aleatorio magnética

  • GB/T 36474-2018 Circuito integrado semiconductor: métodos de medición para memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de velocidad de datos doble 3 (SDRAM DDR3)

American Society for Testing and Materials (ASTM), memoria de acceso aleatorio magnética

  • ASTM D6654-05 Método de prueba estándar para la estabilidad básica en almacenamiento de un dispensador de bomba mecánica
  • ASTM D6654-05(2010)
  • ASTM D6654-01 Método de prueba estándar para la estabilidad básica en almacenamiento de un dispensador de bomba mecánica




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