ZH
RU
EN

memoria de acceso aleatorio

memoria de acceso aleatorio, Total: 23 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en memoria de acceso aleatorio son: Zapatillas, Dispositivos de almacenamiento de datos, Circuitos integrados. Microelectrónica, Materiales para la construcción aeroespacial., Radiocomunicaciones.

U.S. Air Force, memoria de acceso aleatorio

• AIR FORCE MIL-P-5515 D NOTICE 1-1996 BOMBA, HIDRÁULICA, RAM, IMPULSADA A MANO
• AIR FORCE MIL-P-5515 D-1991 BOMBA, HIDRÁULICA, RAM, IMPULSADA A MANO

Group Standards of the People's Republic of China, memoria de acceso aleatorio

• T/CIE 092-2020 Método de prueba para la memoria de acceso aleatorio magnético de par de transferencia de espín
• T/CIE 133-2022 Método de prueba para el tiempo de retención de datos de un dispositivo de memoria magnética de acceso aleatorio

Defense Logistics Agency, memoria de acceso aleatorio

• DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 MICROCIRCUITO, HÍBRIDO, MEMORIA, MEMORIA ESTÁTICA DE ACCESO ALEATORIO (SRAM) 256K X 16-BIT
• DLA SMD-5962-96743 REV A-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 1 MEG X 16 DRAM, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97545 REV E-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 512K x 16 BITS x 2 BANCOS, MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO DINÁMICO SINCRÓNICO (SDRAM), SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97536-1997 MICROCIRCUITO, DIGITAL, MICROCIRCUITO MULTICHIP, MICROPROCESADOR CON RAM ESTATICA, SILICIO
• DLA SMD-5962-96694 REV A-1996
• DLA SMD-5962-96695 REV A-1996
• DLA SMD-5962-90986-1992 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, VIDEO RAM 256K X 4, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95643 REV D-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, VIDEO RAM MULTIPUERTO 256K X 16, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, RAM ESTÁTICA 128K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-07210-2007 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 512K x 8 BITS (4M), ENDURECIDO POR RADIACIÓN, SRAM DE BAJO VOLTAJE, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 512K X 8 BITS (4M), SRAM ENDURECIDO POR RADIACIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-96766 REV A-1996 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS, RAM ESTÁTICA 256 X 8, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95845 REV C-2002 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS/SOI, RAM ESTÁTICA 32K X 8, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-97544-1997 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, RADIACIÓN ENDURECIDA, ROM PROGRAMABLE CON MÁSCARA DE 8K X 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-94748-1994 MICROCIRCUITO LINEAL, CONVERTIDORES D/A TRIPLES DE 8 BITS DE 135 MHZ CON RAM DE PALETA DE COLORES DE 256 PALABRAS, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-95823 REV A-1997 MICROCIRCUITO, MEMORIA, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS/SOS, RAM ESTÁTICA 8K X 8, SILICIO MONOLÍTICO

Professional Standard - Electron, memoria de acceso aleatorio

• SJ/T 10739-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio MOS.
• SJ/T 10740-1996 Circuitos integrados semiconductores: principios generales de métodos de medición para memorias de acceso aleatorio bipolares.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, memoria de acceso aleatorio

• GB/T 36474-2018 Circuito integrado semiconductor: métodos de medición para memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de velocidad de datos doble 3 (SDRAM DDR3)

Otros:   inspección aleatoria, memoria, Doble ciego aleatorio, cebadores aleatorios, aleatorio + línea de base, cartilla aleatoria, dopaje aleatorio, pseudoaleatorio, memoria de acceso aleatorio, Memoria y micromemoria, perturbación aleatoria, desequilibrio aleatorio, memoria de acceso aleatorio magnética, Archivos aleatorios, dirección aleatoria, orientación aleatoria, azúcar en la sangre al azar, Brazos aleatorios, Efectos aleatorios, Memoria de acceso aleatorio MOS de circuito integrado semiconductor.