Polarfigur aus Kristall

Für die Polarfigur aus Kristall gibt es insgesamt 441 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Polarfigur aus Kristall die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, erziehen, Diskrete Halbleitergeräte, Elektrische und elektronische Prüfung, grafische Symbole, Baumaterial, Wortschatz, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Klebstoffe und Klebeprodukte, Integriertes digitales Dienstenetz (ISDN), Solartechnik, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Übertragungs- und Verteilungsnetze, medizinische Ausrüstung, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Optoelektronik, Lasergeräte, Prüfung von Metallmaterialien, technische Zeichnung, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Elektronenröhre, Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), Umfangreiche elektronische Komponenten, Flughafengebäude, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Metallkorrosion, Schweißen, Hartlöten und Niedertemperaturschweißen, analytische Chemie, Farben und Lacke.

IT-UNI, Polarfigur aus Kristall

UNI 6966-1971 Bestimmung der Anzahl polarer Muster in Polykristallen durch Röntgenbeugung
UNI 6239-1968 Diagrammkopie. Kristallbildschirm zur Reproduktion

RO-ASRO, Polarfigur aus Kristall

STAS 11381/10-1980 Grafische Symbole für elektrische Diagramme PIEZOELEKTRISCHE KRISTALLE ELEKTRET
STAS 10326-1981 BIPOLARE TRANSISTOREN Grenzwerte und Nomenklatur der grundlegenden elektrischen Parameter
STAS 11200/88-1979 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR PIEZOELEKTRISCHEN AUFnehmer, KRISTALL ODER KERAMIK
STAS 12124/1-1982 Halbleiterbauelemente BIPOLARTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
STAS 11200/462-1981 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR WIG-SCHWEISSEN
STAS 11200/40-1978 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR DIPOL
STAS 11200/6-1978 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR MINUS; NEGATIVE POLARITÄT
STAS SR CEI 747-4-1995 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
STAS 7128/2-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE MIKROKREISE, Symbole für Bipolartransistoren
STAS 11200/463-1981 Grafische Symbole GRAFISCHES SYMBOL FÜR DEN HANUAL-METALLLICHTBOGENSCHWEIßELEKTRODENHALTER

CZ-CSN, Polarfigur aus Kristall

CSN 35 8757 Cast.8-1985 Transistoren. Messmethoden der Basis-Emitter-Spannung
CSN 35 8741-1964 Transistor. Messung der Kollektor-Emitter-Restspannung
CSN 35 8757 Cast.1-1985 Transistoren. Messverfahren für die Kollektor-Basis- und Emitter-Basis-Durchbruchspannung
CSN 35 8757 Cast.12-1989 Blpolartransistoren. Impulsmessmethode der Durchbruchspannung Kollektor-Emltter
CSN 35 8757 Cast.5-1985 Transistoren. Verfahren zur Messung der Kapazität einer Kollektor- und Emitter-Sperrschicht
CSN 35 8752-1976 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messmethoden für die gemeinsame Basis-Ausgangskapazität.
CSN 35 8757 Cast.10-1986 Transistoren. Methoden zur Messung der Ausgangskapazität in gemeinsamer Basisverbindung
CSN 35 8757 Cast.4-1985 Transistoren. Methoden zur Messung des Kollektor-Abschaltstroms, des Emitter-Abschaltstroms und des Kollektor-Emitter-Abschaltstroms
CSN 35 8761-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des fotoelektrischen Stroms
CSN 35 8762-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des Dunkelstroms
CSN IEC 747-7:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren
CSN 35 8757 Cast.2-1985 Transistoren. Messmethode für das Durchlassstromübertragungsverhältnis von Kleinsignalen mit gemeinsamem Emitter und Kurzschlüssen
CSN 35 8751-1970 Transistoren. Verfahren zur Messung der Kurzschlusseingangsadmittanz in Basisschaltung bei höheren Frequenzen
CSN 35 8753-1970 Transistoren. Methode zur Messung der Kurzschlusseingangsadmittanz in der gemeinsamen Emitterkonfiguration bei höheren Frequenzen
CSN 35 8750-1964 Transistor. Messung von h-Parametern

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Polarfigur aus Kristall

GB/T 8756-2018 Sammlung von Metallographen über Defekte von Germaniumkristallen
GB/T 8110-2020 Drahtelektroden und Schweißgut zum Schutzgasschweißen von unlegierten Stählen und Feinkornstählen

YU-JUS, Polarfigur aus Kristall

JUS N.R1.450-1981 Bipolartransistoren. Messmethoden
JUS N.R1.471-1985 Bipolartransistoren. Referenzmessmethoden
JUS N.R1.330-1979 ipolare Transistoren. Definitionen von Streuparametern
JUS N.R1.373-1980 Halbleiterdioden. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften. Signaldioden mit geringem Stromverbrauch
JUS N.R1.390-1979 Bipolarer Tnmmton. Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften: BW-Leistungssignaltransistoren
JUS N.R1.353-1979 Buchstabensymbol für Halbleiterbauelemente. Bipolar- und Feldeffekttransistoren.
JUS N.R1.323-1979 Begriffsdefinitionen für Halbleiterbauelemente. Bipolar- und Feldeffekttransistoren.
JUS N.R1.391-1979 Bvpolartransistoren. Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften: Leistungstransistoren

Professional Standard - Machinery, Polarfigur aus Kristall

JB/T 8951.1-1999 Bipolartransistor mit isoliertem Gate
JB/T 8951.2-1999 Arm und Paar von Bipolartransistormodulen mit isoliertem Gate
JB/T 6307.4-1992 Testverfahren für Leistungshalbleitermodule. Arm und Armpaar eines Bipolartransistors
JB/T 6307.5-1994 Testmethoden für Leistungshalbleitermodule, Bipolartransistoren, Einphasenbrücke und Dreiphasenbrücke

GOST, Polarfigur aus Kristall

GOST R 71054-2023 Bipolartransistoren. Parametersystem

Professional Standard - Education, Polarfigur aus Kristall

JY/T 0006-2011 Transistor-Charakteristik-Tracer
JY 6-1985 Technische Daten des Transistorcharakteristik-Tracers

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Polarfigur aus Kristall

CNS 8105-1981 Testmethode für Transistor-Kollektor – Emitter-Sättigungsspannung
CNS 6809-1989 Beschreibt Zeichenmethoden für Transistoren
CNS 7013-1981 Messung der Kleinsignal-HF-VHF- und UHF-Leistungsverstärkung von Transistoren
CNS 7012-1981 Prüfverfahren für die Kollektor-Basis-Zeitkonstante und für den Widerstandsteil der gemeinsamen Emitter-Eingangsimpedanz

PL-PKN, Polarfigur aus Kristall

PN T01210-01-1992 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Bipolartransistoren Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
PN T01504-22-1987 Transistoren Messmethoden Kollektor-Basis- und Emitter-Basis-Kapazitäten Ccbo und Cebo
PN T01208-03-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Messmethoden
PN T01504-10-1987 Transistoren Messprinzip Kollektor-Emitter-Erhaltungsspannung UcEO(sm) und Uceiusus)
PN T01207-01-1992 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente BipoLar-Transistoren Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für die Iow- und Hochfrequenzverstärkung
PN T01208-01-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Terminologie und Buchstabensymbole
PN T01208-02-1992 Halbleiterbauelemente Bipolartransistoren Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
PN T01504 ArkusZ26-1974 Transislors rbb' Measuremen?s

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Polarfigur aus Kristall

JEDEC JESD24-12-2004 Messung der thermischen Impedanz für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (Delta VCE(on)-Methode) (Dies ist eine alternative Methode zum JEDEC-Standard Nr. 24-6)
JEDEC JESD24-4-1990 Wärmeimpedanzmessungen für Bipolartransistoren (Delta-Basis-Emitter-Spannungsmethode) Nachtrag zu JEDEC JESD 24
JEDEC JESD24-6-1991 Wärmeimpedanzmessungen für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, Nachtrag zu JEDEC JESD 24
JEDEC JESD4-1983 Definition der externen Luft- und Kriechstrecken diskreter Halbleitergehäuse für Thyristoren und Gleichrichterdioden

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Polarfigur aus Kristall

GB/T 35316-2017 Sammlung von Metallographen über Defekte an Saphirkristallen

GOSTR, Polarfigur aus Kristall

GOST 18604.19-1988 Bipolartransistoren. Methode zur Messung der Schwellenspannung

RU-GOST R, Polarfigur aus Kristall

GOST 20398.13-1980 Feldeffekttransistoren. Technik zur Messung des Drain-Source-Widerstands
GOST 18604.4-1974 Transistoren. Verfahren zur Messung des Kollektorrückstroms
GOST 18604.0-1983 Bipolartransistoren. Allgemeine Anforderungen für die Messung elektrischer Parameter
GOST 18604.6-1974 Transistoren. Verfahren zur Messung des Emitter-Rückstroms
GOST 18604.3-1980 Bipolare Transistoren. Methoden zur Messung von Kollektor- und Emitterkapazitäten
GOST 18604.15-1977 Bipolare Mikrowellenoszillatortransistoren. Techniken zur Messung kritischer Ströme
GOST 18604.20-1978 Bipolare Transistoren. Methoden zur Messung der Rauschzahl bei niedrigen Frequenzen
GOST 20398.12-1980 Feldeffekttransistoren. Technik zur Messung des Ableitungsfehlerstroms
GOST 17466-1980 Bipolare und Feldeffekttransistoren. Grundparameter
GOST 18604.10-1976 Bipolare Transistoren. Technik zur Messung des Eingangswiderstands
GOST 18604.26-1985 Bipolartransistoren. Methoden zur Messung von Zeitparametern
GOST 15172-1970 Transistoren. Liste der grundlegenden und Referenz-elektrischen Parameter
GOST 18604.27-1986 Leistungsfähige Hochspannungs-Bipolartransistoren. Messung der Kollektor-Basis-(Emitter-Basis)-Durchbruchspannung bei Emitter-(Kollektor-)Abschaltstrom
GOST 20003-1974 Bipolartransistoren. Begriffe, Definitionen und Parametersymbole
GOST 18604.2-1980 Bipolare Transistoren. Methoden zur Messung des statischen Koeffizienten der Stromübertragung
GOST 18604.23-1980 Bipolartransistoren. Verfahren zur Messung von Kombinationsfrequenzen
GOST 20398.8-1974 Feldeffekttransistoren. Drainstrom für V(Gs)=0-Messtechnik
GOST 18604.1-1980 Bipolare Transistoren. Verfahren zur Messung der Kollektor-zu-Basis-Zeitkonstante bei hohen Frequenzen
GOST 20398.10-1980 Feldeffekttransistoren. Drainstrom für Vgs=0-Impulsmesstechnik
GOST 18604.22-1978 Bipolare Transistoren. Methoden zur Messung der Kollektor-Emitter- und Basis-Emitter-Sättigungsspannung
GOST 18604.14-1977 Bipolare Mikrowellenoszillatortransistoren. Techniken zur Messung des Koeffizientenmoduls der inversen Spannungsübertragung im Stromkreis mit allgemeiner Basis bei hoher Frequenz
GOST 18604.16-1978 Bipolare Transistoren. Methode zur Messung des Spannungsrückkopplungsverhältnisses bei Niedersignalbedingungen
GOST 18604.11-1988 Bipolare Transistoren. Methode zur Messung der Rauschzahl bei hohen und ultrahohen Frequenzen
GOST 18604.9-1982 Bipolare Transistoren. Methoden zur Bestimmung der Grenzfrequenz und der Übergangsfrequenz
GOST 26169-1984 Elektromagnetische Verträglichkeit radioelektronischer Geräte. Standards für Intermodulationskomponentenkoeffizienten für bipolare Hochfrequenz-Lineartransistoren mit hoher Leistung
GOST 18604.24-1981 Bipolare Hochfrequenztransistoren. Techniken zur Messung von Ausgangsleistung, Leistungsverstärkung und Kollektoreffizienz

SCC, Polarfigur aus Kristall

BS 6493-1.7:1989 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Empfehlungen für Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2000 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise - Bipolartransistoren
AS 2547.1.7:1989 Halbleiterbauelemente, Teil 1.7: Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren
BS IEC 60747-4:2007 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Mikrowellendioden und Transistoren
BS IEC 60747-9:1998 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
BS IEC 60747-4-1:2000 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Mikrowellendioden und Transistoren. Mikrowellen-Feldeffekttransistoren. Blanko-Detailspezifikation-BDS für Mikrowellen-Feldeffekttransistoren
BS 3494-2:1966 Empfehlungen zu Halbleiterbauelementen. Methoden zur Messung der Eigenschaften von Diaden und Transistoren
IEC 60747-7:1988/AMD2:1994 Änderung 2 – Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:1988/AMD1:1991 Änderung 1 – Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-9:1998/AMD1:2001 Änderung 1 – Halbleiterbauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-9:1998+AMD1:2001 CSV Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
07/30164950 DC IEC 60747-7. Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Teil 7. Bipolartransistoren (BTRs)
BS 6493-1.4:1992 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente - Empfehlungen für Mikrowellendioden und -transistoren - Empfehlungen für Mikrowellenbauelemente
BS 9343:1977 Regeln für die Erstellung von Bauartspezifikationen für Halbleiterbauelemente bewerteter Qualität: Gehäusebewertete bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs)
DANSK DS/EN ISO 6284:1999 Konstruktionszeichnungen – Angabe der Grenzabweichungen
IEC 60747-4:1991/AMD2:1999 Änderung 2 – Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
IEC 60747-4:1991/AMD1:1993 Änderung 1 – Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
DIN IEC 60747-7 E:2007 Entwurf eines Dokuments – Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren (BTRs) (IEC 47E/324/CD:2007)
04/30113287 DC IEC 60747-9 ED.2. Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Teil 9. Bipolartransistoren mit isolierter Gateelektrode (IGBTS)
04/30118741 DC IEC 60747-4 ED.2. Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Teil 4. Mikrowellendioden und -transistoren
05/30135225 DC IEC 60749-9 ED 2. Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Teil 9. Bipolartransistoren mit isolierter Gateelektrode (IGBTs)
NS-EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018)
DANSK DS/EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018)
DIN IEC 60747-4 E:2005 Dokumententwurf – Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren (IEC 47E/265/CD:2004)
BS QC 750104:1991 Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bipolar transistors for switching applications
DANSK DS/IEC 63275-2:2022 Halbleiterbauelemente – Verfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von diskreten Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Prüfverfahren für bipolare Degradation aufgrund des Betriebs einer Body-Dioden
DANSK DS/EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität – Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren

British Standards Institution (BSI), Polarfigur aus Kristall

BS IEC 60747-7:2011 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2010 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Bipolartransistoren
BS IEC 60747-7:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Bipolartransistoren
BS IEC 60747-4:2008 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Mikrowellendioden und -transistoren
BS IEC 60747-9:2007 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Mikrowellendioden und -transistoren
BS IEC 60747-9:2019 Halbleitergeräte – Diskrete Geräte. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
BS IEC 60747-4:2007+A1:2017(2020) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
BS EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate. Intraokularlinsen. Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
BS EN ISO 11979-7:2024 Augenimplantate. Intraokularlinsen – Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
BS IEC 60747-7-5:2005 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7 – 5: Bipolartransistoren für Leistungsschaltanwendungen
BS EN ISO 6284:1999(2000) Konstruktionszeichnungen – Angabe der Grenzabweichungen
BS EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate. Intraokularlinsen. Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
BS EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit geprüfter Qualität - Kristalleinheiten mit Thermistoren
BS EN ISO 6284:1999 Konstruktionszeichnungen – Angabe von Grenzabweichungen
23/30453001 DC BS EN ISO 11979-7. Augenimplantate. Intraokularlinsen – Teil 7. Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
BS EN ISO 10215:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsbeschichtungen. Diagrammmaßstabsmethode

International Electrotechnical Commission (IEC), Polarfigur aus Kristall

IEC 60747-7:2000 Halbleiterbauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7-3:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt 3: Vordruck für Bauartspezifikationen für Bipolartransistoren für Schaltgeräte
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2010 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2019 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
IEC 60747-7-4:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren zur Hochfrequenzverstärkung
IEC 60747-7-2:1989 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
IEC 60747-7-1:1989 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 7: Bipolartransistoren; Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren zur Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
IEC 60747-9:2001 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-9:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 9: Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-9:1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-9:2007 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
IEC 60747-4:2007 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
IEC 60747-4:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 4: Mikrowellendioden und Transistoren
IEC 60747-4-1:2000 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4-1: Mikrowellendioden und -transistoren; Mikrowellen-Feldeffekttransistoren; Leere Detailspezifikation
IEC 60747-7-5:2005 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7-5: Bipolartransistoren für Leistungsschaltanwendungen
IEC 60747-9/AMD1:2001 Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs); Änderung 1
IEC 60747-4/AMD2:1999 Halbleiterbauelemente - Diskrete Bauelemente - Teil 4: Mikrowellenbauelemente; Änderung 2
IEC 60747-4/AMD1:1993 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren; Änderung 1
IEC 60747-5-7:2016 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
IEC 60747-7/AMD1:1991 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise; Teil 7: Bipolartransistoren; Änderung 1
IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
IEC 60747-7/AMD2:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise - Teil 7: Bipolartransistoren; Änderung 2
IEC 63275-2:2022 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs
IEC 60747-6-2:1991 Halbleiterbauelemente; diskrete Geräte; Teil 6: Thyristoren; Abschnitt 2: Blanko-Bauartspezifikation für bidirektionale Trioden-Thyristoren (Triacs), Umgebungs- oder Gehäuse-Thyristoren, bis zu 100 A

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Polarfigur aus Kristall

KS C IEC 60747-7:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7:2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-3:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-3-2021 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-3-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-3-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
KS C IEC 60747-7-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-4-2021 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-2-2021 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C 7023-1978 Prüfmethoden für rückwärts sperrende Triodenthyristoren
KS C IEC 60747-7-1-2021 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7:2022 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
KS C IEC 60747-4:2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
KS C IEC 60747-4:2022 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4 – 1: Mikrowellendioden und -transistoren – Mikrowellen-Feldeffekttransistoren – Blanko-Bauartspezifikation
KS C IEC 60747-4-1-2020 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4 – 1: Mikrowellendioden und -transistoren – Mikrowellen-Feldeffekttransistoren – Blanko-Bauartspezifikation
KS C IEC 60747-7-1:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren – Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
KS C IEC 60747-4-1:2002 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4 – 1: Mikrowellendioden und -transistoren – Mikrowellen-Feldeffekttransistoren – Blanko-Bauartspezifikation
KS C IEC 60747-6-2:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 6: Thyristoren – Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Trioden-Thyristoren (Triacs), Umgebungs- oder Gehäusebemessung, bis zu 100 A
KS C 7023-2020 Prüfmethoden für rückwärts sperrende Triodenthyristoren
KS D ISO 8993-2012(2017) Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertungssystem zur Bewertung von Lochfraß – Diagrammmethode
KS P ISO 11979-7:2021 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
KS C 6024-2002 MESSVERFAHREN FÜR TRANSISTOREN
KS C 7021-2002 ALLGEMEINE REGELN FÜR TRANSISTOREN
KS C IEC 60747-6-3:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 6: Thyristoren – Abschnitt drei: Blanko-Detailspezifikation für rückwärts sperrende Triodenthyristoren, umgebungsfest und gehäusefest, für Ströme über 100 A
KS P ISO 11979-10:2019 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
KS D ISO 8993:2012 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertungssystem zur Bewertung von Lochfraß – Diagrammmethode
KS A 1241-1994 VERPACKUNG UND VERPACKUNG VON TRANSISTOREN
KS C IEC 60122-4:2022 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität – Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren

TH-TISI, Polarfigur aus Kristall

TIS 1867-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
TIS 1864-2009 Halbleiterbauelemente. Teil 7: Bipolartransistoren
TIS 1866-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 2: Blanko-Detailspezifikation für bipolare Transistoren mit Gehäuseangabe für die Niederfrequenzverstärkung
TIS 1868-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 4: Blanko-Detailspezifikation für bipolare Transistoren mit Gehäuseangabe für die Hochfrequenzverstärkung
TIS 1865-1999 Halbleiterbauelemente – diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 1: Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
TIS 2122-2002 Halbleiterbauelemente.diskrete Bauelemente.Teil 8: Feldeffekttransistoren Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für Einzelgate-Feldeffekttransistoren, bis zu 5 W und 1 GHz
TIS 2125-2002 Oberflächenmontagetechnologie. Diskrete Geräte. Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Polarfigur aus Kristall

GB/T 43612-2023 Karte der Materialdefekte von Siliziumkarbidkristallen
GB/T 17007-1997 Messmethoden für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
GB/T 17008-1997 Terminologie und Buchstabensymbole für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
GB/T 6217-1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt Eins – Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren zur Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
GB/T 6218-1996 Blanko-Bauartspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
GB/T 4587-2023 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren
GB/T 7576-1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt 4 – Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
GB/T 7577-1996 Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren zur Niederfrequenzverstärkung
GB/T 29332-2012 Halbleiterbauelemente.Diskrete Bauelemente.Teil 9:Insulated-Gate-Bipolartransistoren (IGBT)
GB/T 4587-1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren
GB/T 21039.1-2007 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 4-1: Mikrowellendioden und -transistoren – Mikrowellen-Feldeffekttransistoren Vordruck für Detailspezifikation
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB/T 6590-1998 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
GB/T 15651.7-2024 Halbleiterbauelemente Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente Fotodioden und Fototransistoren
GB/T 17103-1997 Metallmaterial – Methode zur quantitativen Herstellung von Polfiguren
GB 3769-1983 Skalen und Größen zur Darstellung von Frequenzcharakteristiken und Polardiagrammen

Danish Standards Foundation, Polarfigur aus Kristall

DS/IEC 747-7-3:1993 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt drei: Blanko-Bauartspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
DS/IEC 747-7-2:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt zwei: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
DS/IEC 747-7-4:1993 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt vier: Blanko-Detailspezifikation für gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung
DS/IEC 747-7-1:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 7: Bipolartransistoren. Abschnitt eins: Blanko-Detailspezifikation für umgebungsbeständige Bipolartransistoren für Nieder- und Hochfrequenzverstärkung
DS/EN ISO 6284:2000 Konstruktionszeichnungen – Angabe von Grenzabweichungen
DS/EN ISO 10215:2011 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsbeschichtungen – Diagrammmaßstabsmethode

CU-NC, Polarfigur aus Kristall

NC 66-29-1984 Elektronik. Messmethoden für Bipolartransistoren
NC 66-27-1984 Elektronik Hochfrequenz-Bipolartransistoren, Typ BF 310 Qualitätsspezifikationen
NC 66-28-1984 Elektronik. Hochfrequenz-Bipolartransistoren. Typ BF 199. Qualitätsangaben
NC 66-25-1987 Elektronische und elektrotechnische Industrie. Hochfrequenz-Bipolartransistoren. Qualitätsspezifikationen
NC 66-26-1984 Elektronik. Hochleistungs-Bipolar-Schalttransistor, Typ BU 208. Qualitätsspezifikationen
NC 66-23-1984 Elektronik. Hochleistungs- und Niederfrequenz-Bipolartransistoren, Typ 2N 3055. Qualitätsspezifikationen
NC 66-17-1987 Elektrotechnische und elektronische Industrie. Bipolartransistoren für hohe Spannung und mittlere Leistung. Qualitätsspezifikationen
NC 66-15-1987 Elektronischer und elektrotechnischer Wortschatz. Niederfrequenz- und Leistungs-Bioolartransistoren. Qualitätsspezifikationen
NC 66-14-1987 Elektronische und elektrotechnische Industrie. Kunststoffgekapselte Bipolartransistoren. Allgemeine Qualitätsspezifikationen
NC 66-16-1987 Rauscharme und leistungsstarke Bipolartransistoren für die elektronische und elektrotechnische Industrie. Qualitätsspezifikationen

Defense Logistics Agency, Polarfigur aus Kristall

DLA SMD-5962-85508 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, TTL-zu-ECL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87508 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL-TO-TTL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, HEX TTL-ZU-ECL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, HEX-ECL-TO-TTL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, VIERFACH-BUS-PUFFER-GATE, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, SYNCHRONER 4-BIT-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87595 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87711 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, DUAL MONOSTABLE MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, PUFFER, DREI-ZUSTAND, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, LINEARE, BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92075 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, 68030/40 ECL/TTL-TAKTTREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-S-19500/438 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Trioden-Thyristor (bidirektional), Silizium, Typen 2N5806 bis 2N5809
DLA SMD-5962-91738 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, OKTAL-D-TYP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87683 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR ALS TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, DECODER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92066 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, OKTAL ECL/TTL, BI-DIREKTIONALER ÜBERSETZER MIT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92046 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, NIEDRIGER LEISTUNGSSCHOTTKY, TTL, SPANNUNGSGESTEUERTER OSZILLATOR, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86838 REV C-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86841 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG UND GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86844 REV D-2006 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, NOR GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 10-BIT-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97593 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91661-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, VIERFACH-TRIDIREKTIONALER BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86837 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR ADVANCED LOW POWER, SCHOTTKY TTL, NAND GATES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86840 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86869 REV C-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, PUFFER/TREIBER, OFFENER KOLLEKTOR-AUSGANG, HOCHSPANNUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 Halbleiterbauelement, Transistor, NPN, Silizium, Doppelemittertypen 3N74, TX3N74, 3N75, TX3N75, 3N76, TX3N76, 3N127, TX3N127
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, BENUTZERDEFINIERT, FELDEFFEKTRANSISTOR, 500 VOLT, MIT GATE-SCHUTZ
DLA SMD-5962-91597-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, DREIFACH BIDIREKTIONALER VERRIEGELTER BUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSVERGLEICHER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY, TTL, BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, DREIFACH, 3-EINGÄNGE, POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97588 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, VIERFACH POSITIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, NIEDRIGE LEISTUNG, TYPEN 2N930 UND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC und JANKC
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, NPN, Silizium, Schalten, Typ 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ
DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, VIERFACHER NAND-TREIBER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97584 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL, POSITIVES NAND-GATE MIT DOPPELTEM 4-EINGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88596 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, PUFFER/TREIBER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, TTL-KOMPATIBEL, OCTAL D-TYP EDGE-GETriggertes FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92090 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEARE BI-FET-OPERATIONSVERSTÄRKER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL-VIERFACH, POSITIV-ODER-GATE MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, MONOSTABILER MULTIVIBRATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, POSITIVE NAND-GATE MIT 8 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90800 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, 8-BIT-REGISTRIERUNG MIT Sukzessiver Approximation, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90780 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT NICHT-INVERTIERENDEN UND INVERTIERENDEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, BENUTZERDEFINIERT, FELDEFFEKTRANSISTOREN, 600 VOLT ODER 500 VOLT, MIT GATE-SCHUTZ
DLA SMD-5962-87621 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 8-BIT-BINÄRZÄHLER MIT EINGANGSREGISTERN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, VIERFACH POSITIVE NAND-PUFFER MIT 2 EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL-WECHSELRICHTER MIT NIEDRIGER LEISTUNG, HEX-SCHMITT-TRIGGER-WECHSELRICHTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91725-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTAL-D-TYP-LATCH, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHER SCHOTTKY-, TTL-, OKTAL-PUFFER MIT AKTIVER LOW-FREIGABE, DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERTE AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, QUAD 2-EINGANG POSITIV-ODER-GATE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, DREIFACH, 3-EINGÄNGE, POSITIV UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97582 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 3-ZEILEN-BIS 8-ZEILEN-DECODER/DEMULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97583 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, DUAL 1-VON-4-DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88625 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ALS SCHOTTKY TTL, VIERFACH, 1 VON 2 DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Polarfigur aus Kristall

QC 750104-1991 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 7: Bipolartransistoren, Abschnitt drei – Blanko-Detailspezifikation für Bipolartransistoren für Schaltanwendungen (IEC 747-7-3 ED 1)
QC 750103-1989 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 7: Bipolartransistoren, Abschnitt 2 – Blanko-Detailspezifikation für gehäusebewertete Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102-1989 Halbleiterbauelemente, diskrete Bauelemente, Teil 7: Bipolartransistoren, Abschnitt eins – Blanko-Detailspezifikation für umgebungstaugliche Bipolartransistoren für die Nieder- und Hochfrequenzverstärkung (IEC 747-7-1 ED 1)
QC 750107-1991 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 7: Bipolartransistoren Abschnitt 4 – Blanko-Detailspezifikation für Gehäusetransistoren für die Hochfrequenzverstärkung (IEC 747-7-4 ED 1)
QC 750115-2000 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4-1: Mikrowellendioden und -transistoren – Mikrowellen-Feldeffekttransistoren – Blanko-Bauartspezifikation (IEC 60747-4-1:2000)
QC 750112-1987 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 8: Feldeffekttransistoren Abschnitt eins – Blanko-Detailspezifikation für Single-Gate-Feldeffekttransistoren bei bis zu 5 W und 1 GHz (IEC 747-8-1 ED 1)
QC 750103/ CN 0001-1992 Detail Specification for Electronic Components Case-Rated Bipolar Transistors for Low-Frequency Amplification Type 3DD870

Professional Standard - Electron, Polarfigur aus Kristall

SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ/T 10439-1993 Testmethoden für Bipolartransistor-DC-Parametertester
SJ 20230-1993 Überprüfungsregelung des Transistor-Hfe-Testers Modell BJ2951A (JS-5A).
SJ 3254-1989 Methoden zum Screening von Proben von Transistoren mittlerer bis niedriger Leistung für Messungen
SJ/T 10438-1993 Allgemeine Spezifikation für Bipolartransistor-DC-Parametertester
SJ 50033/146-2000 Diskrete Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für den Silizium-Bipolar-Leistungstransistor Typ 3DA601 C
SJ/T 11081-1996 Erstellung von Umrisszeichnungen von Kathodenstrahlröhren
SJ 2672.7-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA307
SJ 3123-1988 Detailspezifikation für elektronische Komponenten – Umgebungstaugliche Bipolartransistoren für die Hochfrequenzverstärkung, Typ 3DG1779
SJ/T 10049-1991 Detailspezifikation für elektronische Komponenten. Bipolartransistor mit Gehäusenennung für Silizium-NPN-Hochfrequenzverstärkung für Typ 3DA1162
SJ/T 10050-1991 Detailspezifikation für elektronische Komponenten. Bipolartransistor mit Gehäusenennung für Silizium-NPN-Hochfrequenzverstärkung für Typ 3DA1722
SJ/T 10051-1991 Detailspezifikation für elektronische Komponenten. Bipolartransistor mit Gehäusenennung für Silizium-NPN-Hochfrequenzverstärkung für Typ 3DA 2688
SJ/T 10052-1991 Detailspezifikation für elektronische Komponenten. Bipolartransistor mit Gehäusenennung für Silizium-PNP-Niederfrequenzverstärkung für Typ 3CD 507
SJ 2672.2-1986 Detailspezifikation für elektronische Komponenten – 175 MHz Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren, Typ 3DA302
SJ 2672.3-1986 Detailspezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA303
SJ 2672.4-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA304
SJ 2672.5-1986 Detailspezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA305
SJ 2672.6-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA306
SJ 2672.8-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA308
SJ 2672.9-1986 Detailspezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA309
SJ 2673.1-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 470-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA311
SJ 2673.2-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 470-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA312
SJ 2673.3-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 470-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA313
SJ 2673.4-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 470-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA314
SJ 2673.5-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – 470-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA315
SJ 2673.6-1986 Detaillierte Spezifikation für elektronische Komponenten – gehäusetaugliche 470-MHz-Niederspannungs-Bipolartransistoren, Typ 3DA316
SJ 2672.1-1986 Detailspezifikation für elektronische Komponenten – 175-MHz-Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistoren mit Gehäusenennung, Typ 3DA301

KR-KS, Polarfigur aus Kristall

KS C IEC 60747-7-2022 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-7-2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
KS C IEC 60747-4-2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
KS C IEC 60747-4-2022 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
KS P ISO 11979-7-2021 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
KS P ISO 11979-10-2019 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
KS C IEC 60122-4-2022 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität – Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren

GSO, Polarfigur aus Kristall

GSO IEC 60747-7:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
BH GSO IEC 60747-7:2016 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 7: Bipolartransistoren
GSO IEC 60747-9:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
GSO IEC 60747-4:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
OS GSO IEC 60747-4:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren
OS GSO IEC 60747-9:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
GSO IEC 60747-5-7:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
BH GSO IEC 60747-5-7:2022 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
BH GSO ISO 6284:2016 Konstruktionszeichnungen – Angabe von Grenzabweichungen
OS GSO ISO 10215:2015 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsbeschichtungen – Diagrammmaßstabsmethode
BH GSO ISO 10215:2016 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsbeschichtungen – Diagrammmaßstabsmethode

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Polarfigur aus Kristall

EN 150004:1991 Blanko-Detailspezifikation: Bipolartransistoren für Schaltanwendungen
EN 150003:1991 Blanko-Detailspezifikation: Gehäusetaugliche Bipolartransistoren für die Niederfrequenzverstärkung
EN 150007:1991 Blank Detail Specification: Case-Rated Bipolar Transistors for High Frequency Amplification

Group Standards of the People's Republic of China, Polarfigur aus Kristall

T/FSI 121-2023 Silikongele für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
T/CSTM 00461-2022 Testverfahren für die Elektrodenschälfestigkeit von kristallinen Silizium-PV-Zellen
T/CEC 155-2018 Allgemeine Anforderungen für Crimp-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) zur flexiblen Energieübertragung
T/CES 085-2021 Testspezifikation der Hochtemperatur-Sperrvorspannung für Press-Pack-Bipolartransistormodule mit isoliertem Gate

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Polarfigur aus Kristall

JJG(电子) 04014-1988 Versuchsverifizierungsvorschriften für Transistor-Charakteristik-Tracer
JJG 838-1993 Verifizierungsregelung des Kalibrators für Transistorspezifitäts-Oszilloskope
JJG(电子) 04026-1989 Verifizierungsvorschriften für Wartungsspannungsprüfer vom Typ BJ2985 mit Kristalltriode
JJG(电子) 310007-2006 Spezifikation zur Verifizierung eines DC-Parametertestsystems für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate
JJG(电子) 04009-1987 BJ2983-Typ-Kristalltriode in Durchlassrichtung vorgespannter sekundärer Durchschlagstester, Versuchsverifizierungsvorschriften
JJG(电子) 04016-1988 BJ2984 (QR-3) Versuchsverifizierungsvorschriften für den transienten Wärmewiderstandstester von Kristalltransistoren
JJG(电子) 04022-1989 Spezifikation für die Überprüfung von Hochfrequenz-Tiodentransistor-Ft-Standardmessgeräten des Modells Q01 mit geringer Leistung
JJG 516-1987 Verifizierungsverordnung des digitalen DC-Charakterisierungstesters Modell BJ2920(HQ2) für Bipol-Transistoren
JJG(电子) 04018-1988 BJ2901 Bipolartransistor-Sperrdurchbruchspannung Standard-Verifizierungsvorschriften für Instrumentenversuche

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Polarfigur aus Kristall

GJB/Z 41.6-1993 Militärischer Bipolartransistor mit diskretem Halbleiterbauelement der Serie Spectrum
GJB/Z 41.5-1993 Militärische diskrete Halbleitergeräteserie mit Spektrum-Gleichrichterdioden und Thyristoren

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Polarfigur aus Kristall

JJF(电子) 21-1982 Verifizierungsmethode des JT-l-Transistorcharakteristik-Grafikinstruments

European Standard for Electrical and Electronic Components, Polarfigur aus Kristall

CECC 50 002- 250 ISSUE 2-1988 NL CECC 50 002-250 Ausgabe 2; Bipolartransistoren BFT92, BFT92R (En)
CECC 50 004- 045 UTE C 86-614/045 Ausgabe 2; Bipolartransistoren für Schaltanwendungen (Fr)

Association Francaise de Normalisation, Polarfigur aus Kristall

UTE C86-614:1977 Elektronische Bauteile - Bipolare Schalttransistoren - Sammlung spezieller Spezifikationen.
NF C96-007:1989 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren.
NF EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
NF S94-750-7*NF EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
NF C86-712:1981 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Leere Detailspezifikation. Single-Gate-Feldeffekttransistoren.
NF EN ISO 11979-10:2018 Ophthalmologische Implantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
NF C86-614:1981 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Vordruck für Bauartspezifikation: Bipolartransistoren für Schaltanwendungen.
NF S94-750-10*NF EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
NF A91-494*NF EN ISO 10215:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsbeschichtungen – Diagrammmaßstabsmethode

American Society for Testing and Materials (ASTM), Polarfigur aus Kristall

ASTM F528-99 Standardtestverfahren zur Messung der Gleichstromverstärkung mit gemeinsamem Emitter von Sperrschichttransistoren
ASTM F528-99(2005) Standardtestverfahren zur Messung der Gleichstromverstärkung mit gemeinsamem Emitter von Sperrschichttransistoren
ASTM F769-00 Standardtestverfahren zur Messung von Transistor- und Diodenleckströmen (zurückgezogen 2006)

GB-REG, Polarfigur aus Kristall

REG NASA-LLIS-0414-1996 Gewonnene Erkenntnisse – Verschlechterung der HF-Ausgangsleistung des Erregers auf dem Mariner Mars'71, verursacht durch Emitter-zu-Basis-Zenering in HF-Transistoren (~1971)

U.S. Military Regulations and Norms, Polarfigur aus Kristall

ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,01 Hz BIS 15,0 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, CMOS
ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 50 Hz BIS 50 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, TTL
ARMY QPL-46320-30-1992 STROMVERSORGUNG, 10516158 (TRANSISTORISIERT)

International Organization for Standardization (ISO), Polarfigur aus Kristall

ISO/DIS 11979-7 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
ISO/FDIS 11979-7:2011 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie
ISO 11979-1:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen
ISO 8993:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertungssystem zur Bewertung der Lochfraßkorrosion – Diagrammmethode
ISO 8993:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertungssystem zur Bewertung der Lochfraßkorrosion – Diagrammmethode

German Institute for Standardization, Polarfigur aus Kristall

DIN EN ISO 11979-7:2018-08 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018); Deutsche Fassung EN ISO 11979-7:2018
DIN 4000-19:1988-12 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Transistoren und Thyristoren
DIN EN ISO 11979-7:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018)
DIN EN ISO 11979-10:2018-08 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen (ISO 11979-10:2018); Deutsche Fassung EN ISO 11979-10:2018
DIN EN ISO 11979-7:2023-04 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO/DIS 11979-7:2023); Deutsche und englische Version prEN ISO 11979-7:2023 / Hinweis: Ausgabedatum 03.03.2023*Als Ersatz gedacht...
DIN EN ISO 10215:2018-06 Anodisieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsbeschichtungen – Diagrammmaßstabsmethode (ISO 10215:2018); Deutsche Fassung EN ISO 10215:2018
DIN 55659-2:2012 Farben und Lacke - Bestimmung des pH-Wertes - Teil 2: pH-Elektroden mit ISFET-Technologie
DIN EN IEC 60122-4:2019-10 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität - Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren (IEC 60122-4:2019); Deutsche Fassung EN IEC 60122-4:2019

ES-UNE, Polarfigur aus Kristall

UNE-EN ISO 11979-7:2018 Ophthalmologische Implantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2018) (gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Juni 2018.)
UNE-EN ISO 11979-10:2018 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 10: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Fehlsichtigkeiten bei phaken Augen (ISO 11979-10:2018) (gebilligt von der Asociación Española de Normalización im Juni 2018.)
UNE-EN ISO 10215:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit anodischer Oxidationsschichten – Diagrammmaßstabsmethode (ISO 10215:2018)
UNE-EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität – Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2019.)

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., Polarfigur aus Kristall

ASHRAE AB-10-015-2010 Kristallisationsgrenzen von LiCl-Wasser- und MgCl2-Wasser-Salzlösungen als Betriebsflüssigkeitstrockenmittel im RAMEE-System

FI-SFS, Polarfigur aus Kristall

SFS 3888-1978 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. 45°-Reflexion. Gesamtreflexion. klares Bild

AGMA - American Gear Manufacturers Association, Polarfigur aus Kristall

01FTM2-2001 „Das ultimative Bewegungsdiagramm für „geräuschlose“ Zahnräder“

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Polarfigur aus Kristall

YB/T 5360-2006 Bestimmung quantitativer Polzahlen metallischer Werkstoffe

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Polarfigur aus Kristall

JIS C 7030:1993 Messmethoden für Transistoren

IN-BIS, Polarfigur aus Kristall

IS 4400 Pt.7-1971 Messmethoden für Halbleiterbauelemente Teil Ⅶ Rückwärts sperrender Triodenthyristor
IS 3700 Pt.7-1970 Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen Teil Ⅶ Rückwärts sperrende Trioden und Thyristoren

未注明发布机构, Polarfigur aus Kristall

DIN EN ISO 11979-7 E:2017-03 Ophthalmologische Implantate, Intraokularlinsen, Teil 7: Klinische Studien zu Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (Entwurf)
DIN EN ISO 11979-7 E:2012-07 Ophthalmologische Implantate, Intraokularlinsen, Teil 7: Klinische Studien zu Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (Entwurf)
DIN EN ISO 11979-7 E:2023-04 Ophthalmologische Implantate, Intraokularlinsen, Teil 7: Klinische Studien zu Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (Entwurf)
DIN EN ISO 11979-7 E:2013-07 Ophthalmologische Implantate, Intraokularlinsen, Teil 7: Klinische Studien zu Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (Entwurf)
ISO 10125:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Visuelle Bestimmung der Bildklarheit von anodischen Oxidationsbeschichtungen – Diagrammmaßstabsmethode

IEC - International Electrotechnical Commission, Polarfigur aus Kristall

IEC 60747-4:2017 Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets – Teil 4: Dioden und Transistoren mit hoher Frequenz (Ausgabe 2.1; Konsolidierter Nachdruck)

SE-SIS, Polarfigur aus Kristall

SIS SEN 01 27 08-1971 Symbole für elektrische Diagramme. Piezoelektrische Kristalle. Magnetostriktive Geräte. Verzögerungsleitungen

European Committee for Standardization (CEN), Polarfigur aus Kristall

EN ISO 11979-7:2024 Augenimplantate – Intraokularlinsen – Teil 7: Klinische Untersuchungen von Intraokularlinsen zur Korrektur von Aphakie (ISO 11979-7:2024)
EN ISO 8993:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertungssystem zur Bewertung der Lochfraßkorrosion – Diagrammmethode (ISO 8993:2010)

CEN - European Committee for Standardization, Polarfigur aus Kristall

EN ISO 8993:2018 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bewertungssystem zur Bewertung der Lochfraßkorrosion – Diagrammmethode
EN IEC 60122-4:2019 Quarzkristalleinheiten mit bewerteter Qualität - Teil 4: Kristalleinheiten mit Thermistoren

International Telecommunication Union (ITU), Polarfigur aus Kristall

ITU-R INFORME BT.2042-1 SPANISH-2006 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder Tecnologs para las imánes de muy alta resoluci髇
ITU-R REPORT BT.2042-2-2007 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder
ITU-R REPORT BT.2042-3-2009 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, Polarfigur aus Kristall

REPORT BT.2042-1-2006 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder
REPORT BT.2042-3-2009 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder
REPORT BT.2042-2004 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder
REPORT BT.2042-2-2007 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder
REPORT BT.2042-4-2010 Technologien im Bereich extrem hochauflösender Bilder
INFORME BT.2042 SPANISH-2004 Technologien für Bilder mit hoher Auflösung

ZA-SANS, Polarfigur aus Kristall

SANS 12004:1997 Metallische Werkstoffe – Richtlinien zur Bestimmung von Grenzformänderungsdiagrammen

HU-MSZT, Polarfigur aus Kristall

MNOSZ 24141-1955 Transparentes Kristallkalzium. Analysezweck