Elektrodenpotentialfenster

Für die Elektrodenpotentialfenster gibt es insgesamt 359 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Elektrodenpotentialfenster die folgenden Kategorien: Oberflächenbehandlung und Beschichtung, analytische Chemie, Optik und optische Messungen, Elektronenröhre, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektronische Anzeigegeräte, Wasserqualität, Ausrüstung für die Öl- und Gasindustrie, Metallkorrosion, Nichteisenmetalle, medizinische Ausrüstung, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Film, Geologie, Meteorologie, Hydrologie, Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), Drahtlose Kommunikation, Netzwerk, Kraftwerk umfassend, Elektronische Geräte, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Kernenergietechnik, Batterien und Akkus, Stahlprodukte, Anwendungen der Informationstechnologie, Elektrotechnik umfassend, Metrologie und Messsynthese, Allgemeine Methoden der Lebensmittelprüfung und -analyse, Kohle, Telekommunikationssystem, Schnittstellen- und Verbindungsgeräte, Transport, Diskrete Halbleitergeräte, Automatisches Heimsteuergerät, Chemikalien, Flüssigkeitsspeichergerät, Stapel, Lagerhaltung, Bauteile, Fernbedienung, Telemetrie, Fernsehsendungen und Radiosendungen.

HU-MSZT, Elektrodenpotentialfenster

MNOSZ 10172-1952 Elektrodenpotential anordnen
MSZ 10352/1.lap-1964 Geräte zur Filmwiedergabe. Fenstergröße 1:1,1375 Position, im quadratischen Bildverhältnis
MSZ 10352/2.lap-1964 Filmprojektionsausrüstung. Fenstermaße Filmprojektionsfenster 1:1,28 Verhältnis 2:1 Breitenverhältnis
MSZ 10352/4.lap-1964 Geräte zur Filmwiedergabe. Fenstergröße Fenstergröße Projektion 1:1, 1375 Seitenverhältnis der Projektionsfläche
MSZ 10352/7.lap-1964 Filmkamera, Duplikator, Projektorfenstergröße 1:2, 55-Verhältnis, Projektorfenstergröße 1:2, anamorphes Verhältnis
MSZ 10352/5.lap-1964 Fenstergröße des Filmwiedergabegeräts 1 1,85 vorhergesagtes Bildseitenverhältnis
MSZ 10352/3.lap-1964 Geräte zur Filmwiedergabe. Fenstergröße und Thread-Platzierung seines Einkommens

American Society for Testing and Materials (ASTM), Elektrodenpotentialfenster

ASTM G215-17 Standardhandbuch für die Elektrodenpotentialmessung
ASTM G5-94 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-94(1999) Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G215-16 Standardhandbuch für die Elektrodenpotentialmessung
ASTM G5-94(1999)e1 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-94(2004) Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-94(2011)e1 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G220-20 Standardpraxis zum Ersetzen der gesättigten Kalomel-Referenzelektrode (SCE) zur Messung von Elektrodenpotentialen
ASTM G5-14(2021) Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-14e1 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-14 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G59-97(2003) Standardtestmethode zur Durchführung potentiodynamischer Polarisationswiderstandsmessungen
ASTM G59-97(2020) Standardtestmethode zur Durchführung potentiodynamischer Polarisationswiderstandsmessungen
ASTM G59-23 Standardtestmethode zur Durchführung potentiodynamischer Polarisationswiderstandsmessungen
ASTM G5-13e2 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-13 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM G5-13e1 Standard-Referenztestmethode zur Durchführung potentiodynamischer anodischer Polarisationsmessungen
ASTM C1165-22 Standardtestmethode zur Bestimmung von Plutonium durch Coulometrie mit kontrolliertem Potential in H2SO4 an einer Platin-Arbeitselektrode
ASTM C1165-90(2005) Standardtestmethode zur Bestimmung von Plutonium durch Coulometrie mit kontrolliertem Potential in H2SO4 an einer Platin-Arbeitselektrode
ASTM C1165-90(2000)e1 Standardtestmethode zur Bestimmung von Plutonium durch Coulometrie mit kontrolliertem Potential in H2SO4 an einer Platin-Arbeitselektrode
ASTM C1165-17 Standardtestmethode zur Bestimmung von Plutonium durch Coulometrie mit kontrolliertem Potential in H2SO4 an einer Platin-Arbeitselektrode
ASTM C1165-12 Standardtestmethode zur Bestimmung von Plutonium durch Coulometrie mit kontrolliertem Potential in H2SO4 an einer Platin-Arbeitselektrode
ASTM B764-04(2021) Standardtestverfahren zur gleichzeitigen Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelabscheidungen (STEP-Test)
ASTM B764-04(2014) Standardtestmethode zur gleichzeitigen Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen 40;STEP-Test41;
ASTM C1165-23 Standardtestmethode zur Bestimmung von Plutonium durch Coulometrie mit kontrolliertem Potential in H2SO4 an einer Platin-Arbeitselektrode

工业和信息化部, Elektrodenpotentialfenster

JB/T 13579-2018 Antireflex-Folienprojektionsfenster
YS/T 1472.1-2021 Methoden zur chemischen Analyse von Lithium-reichen Kathodenmaterialien auf Manganbasis Teil 1: Bestimmung des Mangangehalts durch potentiometrische Titration
YS/T 1472.2-2021 Methoden zur chemischen Analyse von Lithium-reichen Mangan-basierten Kathodenmaterialien Teil 2: Bestimmung des Kobaltgehalts durch potentiometrische Titration

CZ-CSN, Elektrodenpotentialfenster

CSN 84 0011-1982 Elektroden zur Aufnahme bioelektrischer Potentiale. Begriffe und Definitionen
CSN 35 7645-1964 Orientierungsplatten zur Erdelektrodenmarkierung
CSN 35 6522-1984 Elektronische Messgeräte. Schnittstellensystem IMS-2 (Byte seriell, Bit parallel)

RU-GOST R, Elektrodenpotentialfenster

GOST 19438.12-1975 Elektronische Röhren und Ventile mit geringem Stromverbrauch. Methoden zur Messung des Plattenstroms und der Ströme von Gittern mit positivem Potential
GOST 21803.3-1976 Vakuumgekapselte Prüfröhren. Verfahren zur Messung des Stroms eines Gitters mit positivem Potential gegenüber der Kathode
GOST 16286-1984 Potentiometrische Wandler SSI. Industrielle Hilfselektroden. Spezifikationen
GOST 25995-1983 Elektroden zur Messung bioelektrischer Potentiale. Allgemeine technische Anforderungen und Prüfmethoden
GOST 21106.6-1977 Oszillator-, Modulator- und Regelröhren mit einer Anodenverlustleistung über 25 W. Messmethoden für Anoden- und Gitterströme mit positiver Spannung relativ zur Kathode und null Anoden- und Gitterströmen
GOST R 8.702-2010 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messungen. Messelektroden zur Bestimmung des Oxidations-Reduktionspotentials (ORP). Überprüfungsverfahren
GOST R 51242-1998 Mechanische Schutzkonstruktionen und elektromechanische Schutzkonstruktionen für Tür- und Fensterlüftungen. Technische Anforderungen und Prüfverfahren zur Bruchfestigkeit

Defense Logistics Agency, Elektrodenpotentialfenster

DLA SMD-5962-86025 REV F-2011 MIKROSCHALTUNGEN, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 16-WORT-MAL-4-BIT, 2-PORT, RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91619 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, FENSTERSPANNUNGSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86023 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARER 256-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86051 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLARER 64-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digitale, bipolare TTL, Schieberegister, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-78015 REV J-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SPEICHER, 64-BIT-RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95583 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, 8-BIT-VERSCHIEBUNGSREGISTER MIT PARALLELLAST, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, STROMFEEDBACK-VERSTÄRKER, ULTRAHOHE GESCHWINDIGKEIT, AUSGANGSKLEMME, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87510 REV A-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, HEX-INVERTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88677 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-MIKROPROZESSOR-SCHEIBE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA A-A-55148 VALID NOTICE 3-2011 Steckverbinder, elektrisch, IEEE 488-kompatibel, rechteckig, Miniatur, polarisiertes Gehäuse, 24 Positionen, Back-to-Back-Schnittstellenbus, Kabelabschluss, Isolationsverdrängung, Schraubenverriegelung
DLA A-A-55141 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, PANELMONTAGE
DLA A-A-55141 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, PANELMONTAGE
DLA A-A-55141-1994 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, PANELMONTAGE
DLA A-A-55147 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, STECKER, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55147 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, STECKER, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55147-1994 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, STECKER, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA SMD-5962-88541 REV C-2010 Mikroschaltkreise, Speicher, digital, bipolar, 512 x 4-Bit-Prom, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-87788 REV E-2013 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL 256 X 4-BIT, BIPOLARES PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03202 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 1024 X 8-BIT BIPOLARER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-03203 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 2048 X 8-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARER HOCHLEISTUNGS-10-BIT-PUFFER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 8-BIT-GLEICHKOMPARATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87576 REV A-1992 MIKROKREISE, BIPOLAR, BIDIREKTIONALER I/O-PORT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA A-A-55142 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, STECKER, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55142 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, STECKER, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55142-1993 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, STECKER, NIEDRIGES PROFIL, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55148 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, 24 POSITIONEN, RÜCKEN AN RÜCKEN SCHNITTSTELLENBUS, KABELABSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55148 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, 24 POSITIONEN, RÜCKEN AN RÜCKEN SCHNITTSTELLENBUS, KABELABSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55148-1993 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, 24 POSITIONEN, RÜCKEN AN RÜCKEN SCHNITTSTELLENBUS, KABELABSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG
DLA A-A-55155 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG, KONSTRUKTION AUS LOSEN STÜCKEN
DLA SMD-5962-90513-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, PARITÄTSBUS-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01507 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/210 F-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 16.384 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA A-A-55140 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG, VORMONTIERTE KONSTRUKTION
DLA A-A-55140 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG, VORMONTIERTE KONSTRUKTION
DLA A-A-55140-1993 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG, VORMONTIERTE KONSTRUKTION
DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS, OFFENE KOLLEKTOR-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, TTL, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-85527 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 2K x 8-Bit, REGISTRIERTER PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/230 A VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltung, digitaler, bipolarer 256-Bit-Random-Access-Memory (RAM) monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-97587 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, 4-BIT-BINÄR-VOLLADDER MIT FAST CARRY, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/473 A-1983 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, MONOLITHISCHER 8-BIT-EINGANGS-/AUSGANGSPORT
DLA MIL-M-38510/473 A VALID NOTICE 3-2010 Mikroschaltungen, digital, CMOS, monolithischer 8-Bit-Eingangs-/Ausgangsport
DLA MIL-M-38510/473A VALID NOTICE 1-2001 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, MONOLITHISCHER 8-BIT-EINGANGS-/AUSGANGSPORT
DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 DIGITALE, BIPOLARE, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNGS-SCHOTTKY-, TTL-, OKTAL-BUS-TRANSCEIVERS UND -REGISTER MIT MIKROSCHALTUNG, MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS- UND OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MIKROKREISE, DIGITAL, 32.768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA A-A-55094 VALID NOTICE 3-2011 Steckverbinder, elektrisch, IEEE 488-kompatibel, rechteckig, Miniatur, polarisiertes Gehäuse, Stecker, 24 Positionen, diskreter Kabelanschluss, Bügelverriegelung
DLA SMD-5962-88711 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHER SCHOTTKY, 8-BIT-IDENTITÄTSVERGLEICHER MIT OFFENEN KOLLEKTOR-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 8-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86017 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 4-BIT-BIPOLAR-STATUS- UND SCHALTSTEUEREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87511 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, SHIFT REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/206 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltung, digital, 4096-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (PROM)
DLA SMD-5962-96812 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT ADRESSIERBARE SCAN-PORTS, MULTIDROP-ADRESSIERBARER IEEE STD 1149.1 (JTAG) TAP-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90720 REV B-2009 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCHES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 20-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA A-A-55142 VALID NOTICE 3-2011 Steckverbinder, elektrisch, IEEE 488-kompatibel, rechteckig, Miniatur, polarisiertes Gehäuse, Stecker, niedriges Profil, 24 Positionen, Flachkabelanschluss, Schneidklemmung, Schraubverriegelung
DLA SMD-5962-88516 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHLEISTUNGS-CMOS 9-WIDE- UND 10-WIDE-BUS-SCHNITTSTELLENREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, TTL, SYNCHRONER 4-BIT-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86851 REV B-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITALER BIPOLARER 8-BIT-E/A-PORT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90502-1990 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCED SHOTTKY TTL, 8-BIT BIDIREKTIONALES UNIVERSAL-SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-01507-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER HOCHGESCHWINDIGKEITS-LOOK-AHEAD-TRAGSGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88698 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, SYNCHRONER 4-BIT-AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/202 B VALID NOTICE 3-2010 Mikroschaltungen, digital, 1024 Bit bipolarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher (P-ROM), monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88712 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87544 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, BIPOLARER SYNCHRONER VIER-BIT-BINÄR-AUF-AB-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT NICHT-INVERTIERENDEN UND INVERTIERENDEN EINGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA A-A-55138 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, 24 POSITIONEN, KABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBEN- ODER BÜGELVERRIEGELUNG, DICKER FLANSCH
DLA A-A-55138 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, 24 POSITIONEN, KABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBEN- ODER BÜGELVERRIEGELUNG, DICKER FLANSCH
DLA A-A-55138-1993 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, 24 POSITIONEN, KABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBEN- ODER BÜGELVERRIEGELUNG, DICKER FLANSCH
DLA A-A-55139 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, 24 POSITIONEN, KABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBEN- ODER BÜGELVERRIEGELUNG, DÜNNER FLANSCH
DLA A-A-55139 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, 24 POSITIONEN, KABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBEN- ODER BÜGELVERRIEGELUNG, DÜNNER FLANSCH
DLA A-A-55139-1993 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, 24 POSITIONEN, KABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBEN- ODER BÜGELVERRIEGELUNG, DÜNNER FLANSCH
DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY TTL, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCHES MIT DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88710-1988 MIKROKREISE, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, 8-Bit-Identitätskomparator, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88710 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/347 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, 8-Bit-Identitätskomparator, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, binäre 4-Bit-Volladdierer mit schnellem Übertrag, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, 8-BIT-SCHIEBEREGISTER MIT EINGANGSLATCHES, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, binäre 4-Bit-Volladdierer mit schnellem Übertrag, monolithisches Silizium
DLA A-A-55155 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG, KONSTRUKTION AUS LOSEN STÜCKEN
DLA A-A-55155-1994 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, FLACHKABELANSCHLUSS, ISOLIERVERSCHIEBUNG, SCHRAUBENVERRIEGELUNG, KONSTRUKTION AUS LOSEN STÜCKEN
DLA SMD-5962-89680 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, OKTAL GENERAL INTERFACE BUS TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89681 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, OKTAL GENERAL INTERFACE BUS TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96758 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 175 MHz, 64-BIT, VIDEO-SCHNITTSTELLENPALETTE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA W-C-596/35 D VALID NOTICE 1-2013 Steckverbinder, Stecker, Elektrik, Allzweck, Kabelausgang, 3-polig, 3-adrig, 30 Ampere, 125/250 Volt, 50/60 Hertz
DLA SMD-5962-88602 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 16-BIT, SERIELLER EIN-, SERIELLER AUSGANG, SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88607 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, NIEDRIGER ENERGIE-SCHOTTKY-TTL, 16-BIT, PARALLEL-IN, SERIELLER AUSGANG, SHIFT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-77056-1977 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, CMOS, HEX, OPEN DRAIN, N-KANAL-PUFFER
DLA SMD-5962-89573 REV D-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, 8-BIT-UNIVERSALREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 512 X 4-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/204 F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 2048-BIT, SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/209 E VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltung, digital, 8192-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Prom), monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/210 E VALID NOTICE 1-2011 Mikroschaltung, digital, 16.384 Bit Schottky, bipolar, programmierbarer Festwertspeicher (PROM) aus monolithischem Silizium
DLA MIL-M-38510/203 E VALID NOTICE 1-2012 Mikroschaltungen, digital, 1024-Bit-Schottky, bipolar, programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Prom), monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/209 G-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, 8192-BIT, SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMIERBARER NUR-LESE-SPEICHER (PROM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-88627 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88556 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DOPPELPOLIG, VIER POSITIONIERUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/336 B VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA W-C-596/14 D VALID NOTICE 2-2011 Steckverbinder, Kabelausgang, Elektrik, Allzweck, Krankenhausqualität, Kabelverbindung, Erdung, 2-polig, 3-adrig, 15 Ampere, 125 Volt, 50/60 Hertz
DLA W-C-596/18 D-2012 STECKER, KABELAUSGANG, ELEKTRISCH, ALLGEMEINER ZWECK, ALLGEMEINE GÜTE, KABELVERBINDUNG, ERDUNG, 2 POLIG, 3 DRAHT, 15 AMPERE, 250 VOLT, 50/60 HERTZ
DLA A-A-55513 VALID NOTICE 3-2011 Steckverbinder, elektrisch, IEEE 488-kompatibel, rechteckig, Miniatur, polarisiertes Gehäuse, Stecker, 24 Positionen, EMI-abgeschirmt, Kabelabschluss, Schraubverriegelung
DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89757 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, 8-BIT-MAGNITUDENKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-90503 REV C-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, OKTAL-SPEICHERREGISTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88627 REV B-1993 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89545 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY, 8-BIT BIDIREKTIONALER BINÄRZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/306 E VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Schieberegister, kaskadierbar, monolithisches Silizium
DLA W-C-596/156 B-2012 STECKER, KABELAUSGANG, ELEKTRISCH, SPEZIFISCHER ZWECK, KABELVERBINDUNG, VERRIEGELUNG, ERDUNG, 3 POLIG, 4 DRAHT, 30 AMPERE, 120 VOLT, 400 HERTZ, 3 PHASE
DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 10-BIT-ZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90541 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, DUAL CARRY-SAVE-VOLLADDER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89526 REV B-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, SYNCHRONES 8-BIT, AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88578 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87754 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, ANALOGER MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER, DREIFACH EINPOLIG, DOPPELPOSITION, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, SYNCHRONER 8-BIT, AUF-/ABZÄHLER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY MIT NIEDRIGER LEISTUNG, TTL, DUAL CARRY-SAVE-VOLLADDER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA W-C-596/27 D VALID NOTICE 1-2013 Steckverbinder, Stecker, Elektrik, Allzweck, Kabelausgang, allgemeine Qualität, 3-polig, 3-adrig, 20 Ampere, 125/250 Volt, 50/60 Hertz
DLA SMD-5962-93204 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12-BIT SERIELLER DACPORT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY, TTL, BUS-SCHNITTSTELLE FLIP-FLOP, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA A-A-55146 VALID NOTICE 2-2006 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, RECHTER WINKEL, DRUCKPLATTENANSCHLUSS, BÜGELVERRIEGELUNG
DLA A-A-55146 VALID NOTICE 1-2001 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, RECHTER WINKEL, DRUCKPLATTENANSCHLUSS, BÜGELVERRIEGELUNG
DLA A-A-55146-1994 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, IEEE 488-KOMPATIBEL, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, BUCHSE, GESCHIRMT, 24 POSITIONEN, RECHTER WINKEL, DRUCKPLATTENANSCHLUSS, BÜGELVERRIEGELUNG
DLA SMD-5962-97591 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-TTL, 8-BIT-IDENTITÄTSVERGLEICHER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-DTL-15743/17 B VALID NOTICE 1-2012 Schalter, drehbar, gekapselt, tauchfähig (15 Fuß), Kontaktgeber, sechs Pole, zwei Positionen, Federrückstellung, 125 Volt Wechselstrom, 10 Ampere, Symbol 2638.1
DLA MIL-DTL-15743/16 B VALID NOTICE 1-2012 Schalter, drehbar, gekapselt, tauchfähig (15 Fuß), Kontaktgeber, sechspolig, zwei Positionen, Federrückstellung, 125 Volt Wechselstrom, 10 Ampere, Symbol 2637.1
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88578 REV B-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, ERWEITERTER SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, 8-BIT-IDENTITÄTSKomparator, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA W-C-596/101 D-2012 STECKER, STECKER, ELEKTRISCH, SPEZIALZWECK, KABELAUSGANG, ERDUNG, VERRIEGELUNG, 2 POLIG, 3 DRAHT, 15 AMPERE, 125 VOLT, 50/60 HERTZ
DLA W-C-596/105 C-2012 STECKER, STECKER, ELEKTRISCH, SPEZIALZWECK, KABELAUSGANG, VERRIEGELUNG, ERDUNG, 2 POLIG, 3 DRAHT, 30 AMPERE, 277 VOLT, 50/60 HERTZ
DLA W-C-596/109 C-2012 STECKER, STECKER, ELEKTRISCH, SPEZIALZWECK, KABELAUSGANG, VERRIEGELUNG, ERDUNG, 2 POLIG, 3 DRAHT, 20 AMPERE, 277 VOLT, 50/60 HERTZ
DLA W-C-596/114 C-2012 STECKER, STECKER, ELEKTRISCH, SPEZIALZWECK, KABELAUSGANG, ERDUNG, VERRIEGELUNG, 2 POLIG, 3 DRAHT, 15 AMPERE, 277 VOLT, 50/60 HERTZ
DLA W-C-596/159 A VALID NOTICE 3-2011 Steckverbinder, Kabelausgang, Elektrik, Spezialzweck, Kabelverbindung, Verriegelungserdung, 4-polig, 5-adrig, 30 Ampere, 120/208 Volt, 3-Phasen-Y, 400 Hertz
DLA W-C-596/159 A VALID NOTICE 2-2006 Steckverbinder, Kabelausgang, Elektrik, Spezialzweck, Kabelverbindung, Verriegelungserdung, 4-polig, 5-adrig, 30 Ampere, 120/208 Volt, 3-Phasen-Y, 400 Hertz
DLA SMD-5962-89668 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY TTL, SYNCHRONER 8-BIT-AUF-/ABZÄHLER MIT ASYNCHRONEM, KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIZIUM
DLA SMD-5962-99582 REV A-2002 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, 12-BIT-ANALOG-DIGITAL-KONVERTER MIT MIKROPROZESSOR-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA W-C-596/118 C-2012 STECKER, STECKER, ELEKTRISCH, SPEZIALZWECK, KABELAUSGANG, VERRIEGELUNG, ERDUNG, 3 POLIG, 4 DRAHT, 30 AMPERE, 125/250 VOLT, 50/60 HERTZ
DLA W-C-596/30 D VALID NOTICE 1-2013 Steckverbinder, Stecker, Elektrik, Allzweck, Kabelausgang, allgemeine Qualität, 4-polig, 4-adrig, 20 Ampere, 3-Phasen-WYE, 120/208 Volt, 50/60 Hertz
DLA SMD-5962-88741 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE NIEDRIGE LEISTUNG SCHOTTKY, TTL, 8-BIT ADRESSIERBARE LATCHES, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, BIPOLAR, 1K x 8-Bit, REGISTRIERTER PROM MIT PROGRAMMIERBARER INITIALISIERUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENE SCHOTTKY-, TTL-, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOPS MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA W-C-596/153 A VALID NOTICE 3-2011 Steckverbinder, Kabelausgang, elektrisch, spezieller Zweck, einzeln, Erdung, verriegelbar, 2-polig, 3-adrig, 30 Ampere, 120 Volt, 400 Hertz, 1 Phase
DLA W-C-596/122 B VALID NOTICE 2-2011 Steckverbinder, Stecker, elektrisch, spezieller Zweck, Kabelausgang, Verriegelung, Erdung, 3-polig, 4-adrig, 20 Ampere, 125/250 Volt, 50/60 Hertz
DLA W-C-596/130 C-2012 ANSCHLUSS, STECKER, ELEKTRISCH, SPEZIALZWECK, KABELAUSGANG, VERRIEGELUNG, ERDUNG, 3 POLIG, 4 DRAHT, 30 AMPERE, 250 VOLT, 50/60 HERTZ, 3 PHASIG
DLA W-C-596/8 D VALID NOTICE 1-2013 Steckverbinder, Stecker, elektrisch, spezieller Zweck, Kabelausgang, allgemeine Qualität, verriegelbar, 2-polig, 2-adrig, 15 Ampere, 125 Volt, 50/60 Hertz
DLA W-C-596/21 C VALID NOTICE 3-2013 Steckverbinder, Stecker, elektrisch, spezieller Zweck, Kabelausgang, verriegelbar, allgemeine Qualität, 2-polig, 2-adrig, 20 Ampere, 250 Volt, 50/60 Hertz
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 96-BIT-FLOATING-POINT-DUAL-PORT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98614-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL-LINEAR, 16-BIT-ANALOG-DIGITAL-KONVERTER MIT SERIELLER SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/250 VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, digital, CMOS, 512 x 9 Bit, First-In-First-Out-Dual-Port-Speicher (FIFO), monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 8192 BIT, SCHALTBAR, SCHOTTKY, BIPOLARER PROM MIT TRI-STATE-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-32-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3 V ABT 16-BIT TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-DTL-24308/27 E-2009 STECKVERBINDER, ELEKTRISCH, RECHTECKIG, MINIATUR, POLARISIERTES GEHÄUSE, RACK UND PANEL, ISOLIERUNGSVERDRUCK, BUCHSENKONTAKTE, NICHTUMWELTSCHUTZ

Association Francaise de Normalisation, Elektrodenpotentialfenster

NF T90-008:1953 WASSERTEST. ELEKTROMETRISCHE PH-MESSUNG MIT DER GLASELEKTRODE.
NF A05-403*NF EN ISO 17475:2008 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen.
NF A91-055*NF EN 16866:2017 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelabscheidungen (STEP-Test)
NF C47-745:1995 Automatische elektrische Steuerungen für den Haushalt und ähnliche Zwecke. Teil 2: Besondere Anforderungen an automatische elektrische Wasserstandssensorsteuerungen für Schwimmer vom Typ Elektrodensensor, die in Kesselanwendungen verwendet werden.
NF T73-293*NF EN 14880:2005 Oberflächenaktive Mittel – Bestimmung des anorganischen Sulfatgehalts in anionischen oberflächenaktiven Mitteln – Potentiometrische bleiselektive Elektrodentitrationsmethode.
NF EN ISO 16866:2022 Metallische und andere anorganische Beschichtungen - Gleichzeitige Bestimmung der Dicke und des Elektrodenpotentials einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelabscheidungen (STEP-Test)
NF EN 14880:2005 Tenside – Bestimmung des anorganischen Sulfatgehalts in anionischen Tensiden – Potentiometrische Titrationsmethode mit bleiselektiver Membranelektrode
NF C47-745/A11:2005 Automatische elektrische Steuerungen für den Hausgebrauch und ähnliche Zwecke – Teil 2-15: Besondere Anforderungen für automatische elektrische Steuerungen zur Wasserstandserkennung vom Schwimmer- oder Elektrodensensortyp, die in Kesselanwendungen verwendet werden.

Professional Standard - Petroleum, Elektrodenpotentialfenster

SY/T 6973-2013 Instrument zur Messung des durch Erdölkerne induzierten Polarisationspotentials
SY 6973-2013 Messgerät für durch Erdölgestein induziertes Polarisationspotential

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Elektrodenpotentialfenster

KS D ISO 17475-2017(2022) Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfmethoden – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
KS D ISO 2376:2012 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
KS D ISO 2376:2013 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
KS C IEC 61000-3-2:2010 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Teil 3-2: Grenzwerte – Grenzwerte für harmonische Stromemissionen (Geräteeingangsstrom ≤ 16 A pro Phase)
KS A ISO 466:2003 Kinematographie – durch 16-mm-Film erzeugtes Bild – Blende der Bildkamera – Position und Abmessungen
KS A ISO 5768:2003 Kinematographie – Bild, das durch die Kamerablende Typ W auf 16-mm-Kinofilm erzeugt wird – Position und Abmessungen
KS D ISO 17475:2008 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfmethoden – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
KS D ISO 17475:2017 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfmethoden – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
KS D 0269-2020 Potentiostatisches Polarisationstestverfahren zur Bestimmung der kritischen Lochfraßtemperatur für rostfreie Stähle
KS D 0269-2009 Potentiostatisches Polarisationstestverfahren zur Bestimmung der kritischen Lochfraßtemperatur für rostfreie Stähle
KS D 0280-2005 Standardtestmethode zur Durchführung zyklischer potentiodynamischer Polarisationsmessungen zur lokalen Korrosionsanfälligkeit von Legierungen auf Eisen-, Nickel- oder Kobaltbasis
KS X ISO 17575-3:2018 Intelligente Verkehrssysteme – Elektronische Gebührenerhebung – Definition der Anwendungsschnittstelle für autonome Systeme – Teil 3: Kontextdaten:

KR-KS, Elektrodenpotentialfenster

KS D ISO 17475-2017 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfmethoden – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
KS D ISO 17475-2023 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
KS D ISO 2376-2012 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotenzials
KS X ISO 17575-3-2018 Intelligente Verkehrssysteme – Elektronische Gebührenerhebung – Definition der Anwendungsschnittstelle für autonome Systeme – Teil 3: Kontextdaten:
KS D 2614-2023 Beschleunigte Bewertungsmethode für die Korrosionsschutzleistung von lackierten Stahlaufhängungsteilen unter zyklischen Nass- (potentiostatischen und galvanostatischen Polarisationen) und Trockenbedingungen

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Elektrodenpotentialfenster

GB/T 24196-2009 Korrosion von Metallen und Legierungen. Elektrochemische Prüfmethoden. Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
GB 5874-1986 Die Position und Größe des Bildes, das durch das Filmfenster einer 16-mm-W-Filmkamera erzeugt wird
GB/T 8754-2006 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Isolationsprüfung durch Messung des Durchschlagpotentials
GB 25325-2014 Die Norm des Energieverbrauchs für vorgebackene Anodenprodukte für die Elektrolyse von Aluminium
GB 25325-2010 Die Norm des Energieverbrauchs für vorgebackene Anodenprodukte für die Elektrolyse von Aluminium
GB/T 4635-2000 Bildbereich, der durch die Kamerablende auf einem 35-mm-Kinofilm erzeugt wird – Position und Abmessungen
GB 25324-2014 Die Norm des Energieverbrauchs für Kathodenkohlenstoffblöcke zur Aluminiumelektrolyse
GB 25324-2010 Die Norm des Energieverbrauchs für Kathodenkohlenstoffblöcke zur Aluminiumelektrolyse
GB 8754-1988 Methode zur Messung des Durchschlagspotenzials der anodischen Oxidation von Aluminium und Aluminiumlegierungen zur Prüfung der Isolierung
GB 14536.17-2005 Automatische elektrische Steuerungen für den Hausgebrauch und ähnliche Zwecke. Besondere Anforderungen für automatische elektrische Wasserstandserkennungssteuerungen vom Schwimmer- oder Elektrodensensortyp, die in Kesselanwendungen verwendet werden

British Standards Institution (BSI), Elektrodenpotentialfenster

BS EN ISO 2376:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
BS ISO 5768:1999 Kinematographie – Bild, das mit der Kamerablende Typ W auf 16-mm-Kinofilm erzeugt wird – Position und Abmessungen
BS ISO 3079:2022 Zwei-Elektroden-Methode mit Essigsäure zur Messung des Lochfraßpotentials von Aluminium und Aluminiumlegierungen in Chloridlösungen
BS EN ISO 17475:2006 Korrosion von Metallen und Legierungen. Elektrochemische Prüfmethoden. Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
BS EN ISO 17475:2008 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
21/30408318 DC BS ISO 3079. Eine Zwei-Elektroden-Methode mit Essigsäure zur Messung des Lochfraßpotentials von Aluminium und Aluminiumlegierungen in Chloridlösungen
BS EN ISO 16866:2022 Metallische und andere anorganische Beschichtungen. Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test)
BS ISO 2467:2004 Kinematographie – Bildfläche, die durch eine Blende von Kinofilmkameras mit 65 mm/5 Perforationen erzeugt wird, und maximal projizierbare Bildfläche auf Kinofilmabzügen mit 70 mm/5 Perforationen – Positionen und Abmessungen
19/30402378 DC BS ISO 16866. Metallische und andere anorganische Beschichtungen. Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test)

Danish Standards Foundation, Elektrodenpotentialfenster

DS/EN ISO 2376:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials
DS/EN ISO 17475:2009 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
DS/EN 14880:2005 Oberflächenaktive Mittel – Bestimmung des anorganischen Sulfatgehalts in anionischen oberflächenaktiven Mitteln – Potentiometrische bleiselektive Elektrodentitrationsmethode

PL-PKN, Elektrodenpotentialfenster

PN D79684-1959 Koffer und Koffersätze für den Export von Kohlenstoffelektroden
PN C04576-10-1986 Wasser- und Abwassertests auf Stickstoff. Bestimmung von Nitratstickstoff durch potentiometrische Methode mit ionenselektiver Elektrode
PN C04603-04-1986 Wasser- und Abwassertests auf Cyanide. Bestimmung der kombinierten Frec- und Gesamtcyanide durch potentiometrische Methode mit ionenselektiver Elektrode

European Committee for Standardization (CEN), Elektrodenpotentialfenster

EN ISO 17475:2008 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen
EN 16866:2017 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelabscheidungen (STEP-Test)
EN ISO 16866:2022 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test) (ISO 16866:2020)

German Institute for Standardization, Elektrodenpotentialfenster

DIN EN ISO 17475:2008-07 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen (ISO 17475:2005+Cor. 1:2006); Deutsche Fassung EN ISO 17475:2008
DIN EN ISO 17475:2008 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Leitfaden zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen (ISO 17475:2005+Cor. 1:2006); Englische Fassung von DIN EN ISO 17475:2008-07
DIN 45910-127:1994-01 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten; Detailspezifikation: Polare Aluminium-Elektrolytkondensatoren mit nicht festem Elektrolyt, DC 40 bis 100 V (geeignet für V-Wechselstromlast ohne Verwendung eines Polarisationspotentials), Allzweck-Kondensatoren ...
DIN 85005-17:2001-07 Schiffe und Meerestechnik – Grafische Symbole für die technische Dokumentation – Teil 17: Türen, Luken, Öffnungen, Fenster, Treppen, Aufzüge
DIN EN ISO 16866:2023-01 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test) (ISO 16866:2020); Deutsche Fassung EN ISO 16866:2022
DIN EN ISO 16866:2023 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test) (ISO 16866:2020)

International Organization for Standardization (ISO), Elektrodenpotentialfenster

ISO 466:1976 Kinematographie; Bild, das mit einer 16-mm-Filmkameraöffnung erzeugt wird; Position und Abmessungen
ISO 5768:1998 Kinematographie – Bild, das mit der Kamerablende Typ W auf 16-mm-Kinofilm erzeugt wird – Position und Abmessungen
ISO 5768:1981 Kinematographie; Bild erzeugt durch Kamerablende Typ W auf 16-mm-Kinofilm; Position und Abmessungen
ISO 5768:1996 Kinematographie – Bild, das mit der Kamerablende Typ W auf 16-mm-Kinofilm erzeugt wird – Position und Abmessungen
ISO 2906:1984 Kinematographie; Durch die Kamerablende erzeugter Bildbereich auf 35-mm-Kinofilm; Position und Abmessungen
ISO 3079:2022 Zwei-Elektroden-Methode mit Essigsäure zur Messung des Lochfraßpotentials von Aluminium und Aluminiumlegierungen in Chloridlösungen
ISO 1780:1984 Kinematographie; Filmkamerakartusche, 8 mm Typ S Modell I; Blende, Kamera-Blendenprofil, Filmposition, Druckpolster und Druckpolster-Ebenheit; Abmessungen und Spezifikationen
ISO 2467:1972 Titel fehlt – Altes Papierdokument
ISO 2467:1980 Kinematographie; Bildbereich, der durch 65-mm- und 70-mm-Kinokameraöffnung erzeugt wird, und maximal projizierbarer Bildbereich auf 70-mm-Kinofilmkopien; Positionen und Abmessungen
ISO/PAS 28005-1:2012 Schiffe und Meerestechnik – Elektronische Hafenabfertigung (EPC) – Teil 1: Nachrichtenstrukturen – Implementierung eines maritimen Single-Window-Systems
ISO 2467:2004 Kinematographie – Bildfläche, die durch eine Blende von Kinofilmkameras mit 65 mm/5 Perforationen erzeugt wird, und maximal projizierbare Bildfläche auf Kinofilmabzügen mit 70 mm/5 Perforationen – Positionen und Abmessungen
ISO 3645:1976 Kinematographie – Bildbereich, der durch 8 mm Blende einer Typ-S-Filmkamera und maximal projizierbaren Bildbereich erzeugt wird – Positionen und Abmessungen
ISO 74:1976 Kinematographie; Bildbereich, der durch die Kameraöffnung und den maximal projizierbaren Bildbereich auf einem 8-mm-Kinofilm vom Typ R erzeugt wird; Positionen und Abmessungen
ISO 3645:1984 Kinematographie; Bildbereich, erzeugt durch 8 mm Blende einer Typ-S-Filmkamera und maximal projizierbaren Bildbereich; Positionen und Abmessungen
ISO 16866:2020 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelabscheidungen (STEP-Test)

Professional Standard - Ocean, Elektrodenpotentialfenster

HY/T 192-2015 Prüfverfahren zur potentiodynamischen Polarisationsbeständigkeit metallischer Werkstoffe in Meerwasser
HY/T 197-2015 Bestimmung der Gesamtalkalität in Meerwasser mittels potentiometrischer Titration mittels offenzelliger Titration

Professional Standard - Post and Telecommunication, Elektrodenpotentialfenster

YDN 004-1996 Technische Spezifikationen für das elektronische System des Postgeschäftsfensters (Testimplementierung)

Lithuanian Standards Office , Elektrodenpotentialfenster

LST EN ISO 2376:2010 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials (ISO 2376:2010)
LST EN ISO 17475:2008 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen (ISO 17475:2005/Cor 1:2006)
LST EN 14880-2006 Oberflächenaktive Mittel – Bestimmung des anorganischen Sulfatgehalts in anionischen oberflächenaktiven Mitteln – Potentiometrische bleiselektive Elektrodentitrationsmethode

AENOR, Elektrodenpotentialfenster

UNE-EN ISO 2376:2011 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen – Bestimmung des elektrischen Durchschlagspotentials (ISO 2376:2010)
UNE-EN ISO 17475:2009 Korrosion von Metallen und Legierungen – Elektrochemische Prüfverfahren – Richtlinien zur Durchführung potentiostatischer und potentiodynamischer Polarisationsmessungen (ISO 17475:2005/Cor 1:2006)
UNE 112015:1994 BIOLOGISCHE KORROSION. EXPERIMENTELLES VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DES PIT-POTENZIALS IN EDELSTAHL, UNTER VERWENDUNG SULFATREDUZIERENDER BAKTERIENKULTUREN MITTELS DER POTENTIODYNAMISCHEN ANODISCHEN POLARISATIONSTECHNIK.
UNE 84103:2000 Kosmetikprodukte. Mundspülungen. Bestimmung des pH-Wertes. Potentiometrische Methode.
UNE-EN 14880:2006 Oberflächenaktive Mittel – Bestimmung des anorganischen Sulfatgehalts in anionischen oberflächenaktiven Mitteln – Potentiometrische bleiselektive Elektrodentitrationsmethode

American National Standards Institute （ANSI), Elektrodenpotentialfenster

ANSI/SCTE 23-2-2012 DOCSIS 1.1 Teil 2: Baseline Privacy Plus-Schnittstelle
ANSI T1.403.02a-2001 Netzwerk- und Kundeninstallationsschnittstellen – DS1 Robbed-Bit-Signalisierungsstatusdefinitionen
ANSI/AWWA D104-2010 Automatisch gesteuerter kathodischer Schutz mit eingeprägtem Strom für die inneren, unter Wasser liegenden Oberflächen von Wasserspeichertanks aus Stahl
ANSI/TIA/EIA 530-A-1992 25-polige Hochgeschwindigkeitsschnittstelle für Datenendgeräte und Datenstromkreis-Abschlussgeräte, einschließlich alternativem 26-poligen Steckverbinder
ANSI/SMPTE 259M-1997 Fernsehen – 10-Bit-4:2:2-Komponenten- und 4fsc-NTSC-Composite-Digitalsignale – serielle digitale Schnittstelle

ES-AENOR, Elektrodenpotentialfenster

UNE 21 086 Unterscheidungsfarben und Drehrichtungsmarkierungen an Wechselstrom-Phasen- und Gleichstrom-Elektroden
UNE 26-299-1986 Kraftfahrzeuge. Relais und intermittierende Kraftwerke. Installation und Positionsmessung von Anschlüssen und Sitzsteinöffnungen für Relais und intermittierende Kraftwerke

Society of Motion Picture and Television Engineers (SMPTE), Elektrodenpotentialfenster

SMPTE 299M-2004 Fernsehen – Digitales 24-Bit-Audioformat für die bitserielle Schnittstelle SMPTE 292M
SMPTE 292M-1998 Fernsehen – Bitserielle digitale Schnittstelle für hochauflösende Fernsehsysteme
SMPTE 299M-1997 Fernsehen – 24-Bit-Digital-Audioformat für die bitserielle HDTV-Schnittstelle
SMPTE 334M-2000 Fernsehen – Vertikale Zusatzdatenzuordnung für die bitserielle Schnittstelle
SMPTE 244M-2003 Fernsehen – System M/NTSC Composite-Videosignale – Bitparallele digitale Schnittstelle
SMPTE ST 244M-2003 Fernsehen – System M/NTSC Composite-Videosignale – Bitparallele digitale Schnittstelle
SMPTE 260M-1999 Television 1125/60 High-Definition-Produktionssystem – digitale Darstellung und bitparallele Schnittstelle
SMPTE ST 260M-1999 Television 1125/60 High-Definition-Produktionssystem – digitale Darstellung und bitparallele Schnittstelle
SMPTE ST 294M-2001 Fernseher 720 x 483 Active Line bei 59,94 Hz Progressive Scan-Produktion – Bit-serielle Schnittstellen
SMPTE 261M-1993 Fernsehen – 10-Bit serielle digitale Fernsehsignale: 4:2:2 Component und 4fsc NTSC Composite – AMI-Übertragungsschnittstelle
SMPTE 267M-1995 Fernsehen – Bitparallele digitale Schnittstelle – Komponentenvideosignal 4:2:2 16x9 Seitenverhältnis
SMPTE 294M-2001 Fernseher 720 x 483 Active Line bei 59,94 Hz Progressive Scan-Produktion – Bit-serielle Schnittstellen
SMPTE 259M-1997 Fernsehen – 10-Bit-4:2:2-Komponenten- und 4fsc-Composite-Digitalsignale – serielle digitale Schnittstelle
SMPTE RP 165-1994 Prüfwörter und Statusflags zur Fehlererkennung zur Verwendung in bitseriellen digitalen Schnittstellen für das Fernsehen

Professional Standard - Electricity, Elektrodenpotentialfenster

DL/T 253-2012 Messverfahren für Erdwiderstand, Erdpotentialverteilung, Stufenspannung und Stromteilung an Erdelektroden

International Electrotechnical Commission (IEC), Elektrodenpotentialfenster

IEC 61000-3-2:1995 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Teil 3: Grenzwerte – Abschnitt 2: Grenzwerte für Oberschwingungsstromemissionen (Geräteeingangsstrom 16 A pro Phase)
IEC 61000-3-2/AMD1:1997 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Teil 3: Grenzwerte – Abschnitt 2: Grenzwerte für Oberschwingungsstromemissionen (Geräteeingangsstrom 16 A pro Phase); Änderung 1
IEC 61000-3-2/AMD2:1998 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Teil 3-2: Grenzwerte – Grenzwerte für Oberschwingungsstromemissionen (Geräteeingangsstrom 16 A pro Phase); Änderung 2
IEC TR 63036:2016 Elektrische Schnittstellenspezifikation für Phasenanschnittsdimmer in phasenabschnittsgedimmten Beleuchtungssystemen

Group Standards of the People's Republic of China, Elektrodenpotentialfenster

T/CSTM 01024-2023 Fehleranalyseverfahren zur wärmebildgestützten Positionierung eines leitfähigen anodischen Filaments
T/CEC 131.11-2020 Sekundärnutzung von Blei-Säure-Batterien Teil 11: Technische Spezifikationen für die Plattenfehlererkennung – Potenzialdifferenzmethode

SE-SIS, Elektrodenpotentialfenster

SIS 94 21 01-1971 Elektroinstallationen in Wohnungen. Standort der Filialen usw.

Professional Standard - Chemical Industry, Elektrodenpotentialfenster

HG/T 4543-2013 Chemikalien zur Wasseraufbereitung. Bestimmung der Korrosionshemmleistung. Potentiodynamische Polarisationsmethode

Professional Standard - Commodity Inspection, Elektrodenpotentialfenster

SN/T 3593-2013 Bestimmung des Gehalts an flüchtigen Bestandteilen in hochgekohltem Graphitelektrodenbruch und Kohlenstoffzusatz
SN/T 3014-2011 Bestimmung des Fluor- und Chlorgehalts in Chromerzen für den Import und Export. Ionenselektive Elektrodenmethode
SN/T 4779.1-2017 Bestimmung von Fluorid in abgefülltem Wasser für den Export – Methode durch ionenselektive Elektrodenflussinjektionsanalyse
SN/T 4779.2-2017 Bestimmung von Chlorid in abgefülltem Wasser für den Export – Methode durch ionenselektive Elektrodenflussinjektionsanalyse
SN/T 0254-2011 Potentiometrische Titrationsmethode zur Bestimmung von säurelöslichem Chlorid in importiertem und exportiertem leicht gebranntem Magnesium
SN/T 3596-2013 Prüfverfahren für Gesamtfluor in Kohle durch die Sauerstoffbombenverbrennungs-ionenselektive Elektrodenmethode
SN/T 3469.2-2013 Bestimmung von Fluor in importiertem Kupferstein oder gesintertem Kupfermaterial mittels ionenselektiver Elektrode

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Elektrodenpotentialfenster

EN 61000-3-2:2014 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Teil 3-2: Grenzwerte – Grenzwerte für Oberschwingungsstromemissionen (Geräteeingangsstrom ≤ 16 A pro Phase)
HD 564 S1-1990 Nennabmessungen zylindrisch bearbeiteter Graphitelektroden mit Gewindebuchsen und -nippeln zur Verwendung in Lichtbogenöfen
EN 61000-3-2:2006 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) – Teil 3-2: Grenzwerte – Grenzwerte für Oberschwingungsstromemissionen (Geräteeingangsstrom kleiner oder gleich 16 A pro Phase) (Enthält Änderung A2: 2009; bleibt Strom)

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Elektrodenpotentialfenster

EN 61000-3-2:1995 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) Teil 3: Grenzwerte Abschnitt 2: Grenzwerte für harmonische Stromemissionen (Geräteeingangsstrom kleiner Tnan oder gleich 16 A pro Phase) (Enthält Änderung A12: 1996)
EN 61000-3-2:2000 Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) Teil 3-2: Grenzwerte – Grenzwerte für harmonische Stromemissionen (Geräteeingangsstrom bis einschließlich 16 A pro Phase) (Enthält Änderung A2: 2005)

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Elektrodenpotentialfenster

TIA-1113-2008 Mittelschnelle (bis zu 14 Mbit/s) Power Line Communications (PLC)-Modems mit Fenster-OFDM

Hunan Provincial Standard of the People's Republic of China, Elektrodenpotentialfenster

DB43/T 1591-2019 Grenzwert für den Energieverbrauch des Lithiumbatterie-Kathodenmaterials und Berechnungsmethode pro Produkteinheit

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Elektrodenpotentialfenster

JEDEC JESD8-2-1993 Standard für Betriebsspannungen und Schnittstellenpegel für integrierte Niederspannungsschaltkreise mit emittergekoppelter Logik (ECL).

AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials, Elektrodenpotentialfenster

T 373M/T 373-2017 Standardtestmethode zur vergleichenden qualitativen Korrosionscharakterisierung von Stahlstäben zur Betonverstärkung (lineare Polarisationswiderstands- und potentiodynamische Polarisationstests)

IN-BIS, Elektrodenpotentialfenster

IS 8554-1977 Verfahren zur Überprüfung der Isolationseigenschaften von Eloxalschichten durch Messung des Durchschlagspotenzials

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Elektrodenpotentialfenster

DB22/T 2910-2018 Bestimmung des Fluorgehalts in importierter Kohle durch Alkalifusion-Fluorionen-selektive Elektrodenmethode

ATIS - Alliance for Telecommunications Industry Solutions, Elektrodenpotentialfenster

T1.403.02-1999 Telekommunikation – Netzwerk- und Kundeninstallationsschnittstellen – DSI – Robbed-Bit-Signalisierungszustandsdefinitionen

Liaoning Provincial Standard of the People's Republic of China, Elektrodenpotentialfenster

DB21/T 2176.3-2013 Hafenerklärung Elektronischer Datenaustausch Teil 3: Liegeplatzantragsnachricht
DB21/T 2176.3-2023 Elektronischer Datenaustausch der Hafenschiffserklärung Teil 3: Nachricht zur Liegeplatzbewerbung

Professional Standard - Medicine, Elektrodenpotentialfenster

YY/T 0695-2008 Standardtestmethode zur Durchführung zyklischer potentiodynamischer Polarisationsmessungen zur Bestimmung der Korrosionsanfälligkeit kleiner Implantatgeräte

未注明发布机构, Elektrodenpotentialfenster

BS ISO 16866:2020 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test)

ES-UNE, Elektrodenpotentialfenster

UNE-EN 16866:2018 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelabscheidungen (STEP-Test)
UNE-EN ISO 16866:2023 Metallische und andere anorganische Beschichtungen – Gleichzeitige Dicken- und Elektrodenpotentialbestimmung einzelner Schichten in mehrschichtigen Nickelablagerungen (STEP-Test) (ISO 16866:2020)

Professional Standard - Aviation, Elektrodenpotentialfenster

HB/Z 5104.2-1999 Analytische Methode der anodischen Schwefelsäure-Oxidationslösung einer Aluminiumlegierung – Bestimmung des Aluminiumgehalts durch potentiometrische Titration
HB/Z 339.2-1999 Analysemethode einer Chromsäure-Anodisierungslösung für Aluminiumlegierungen zur Bestimmung des Chloridionengehalts durch potentiometrische Titration
HB/Z 5104.3-1999 Analysemethode für Sulfid-Säure-Anodisierungslösung aus Aluminiumlegierung. Bestimmung des Chloridionengehalts durch potentiometrische Titration

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, Elektrodenpotentialfenster

TS 101 725-2001 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2+); Location Services (LCS) Mobile Radio Interface Layer 3 Location Services (LCS) Spezifikation (3GPP TS 04.71 Version 8.2.0 Release 1999)

Standard Association of Australia （SAA）, Elektrodenpotentialfenster

AS 2805.5.2:2009 Die Schnittstelle für den elektronischen Geldtransfer erfordert den Betriebsmodus „Passwort-n-stelliger Blockverschlüsselung“.

Professional Standard - Radio Television Film, Elektrodenpotentialfenster

GY/T 101-1991 Die Position und Größe des Bildes, das auf dem Filmfenster einer 35-mm-Filmkamera mit runder Leinwand erzeugt wird, und die Freigabekopie können projiziert werden

TIA - Telecommunications Industry Association, Elektrodenpotentialfenster

EIA-530-1987 Hochgeschwindigkeitsschnittstelle mit 25 Positionen für Datenendgeräte und Datenstromkreis-Abschlussgeräte