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シリコンウエハーカーボン

シリコンウエハーカーボンは全部で 28 項標準に関連している。

シリコンウエハーカーボン 国際標準分類において、これらの分類:集積回路、マイクロエレクトロニクス、 半導体材料、 金属材料試験、 半導体ディスクリートデバイス。


Professional Standard - Electron, シリコンウエハーカーボン

  • SJ 20636-1997 IC用大口径薄型シリコンウェーハの酸素・炭素含有量の微小領域検査方法
  • SJ/T 11502-2015 炭化ケイ素単結晶研磨ウェーハの仕様
  • SJ/T 11504-2015 炭化珪素単結晶研磨ウェーハの表面品質試験方法
  • SJ/T 11503-2015 炭化珪素単結晶研磨ウェーハの表面粗さの試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, シリコンウエハーカーボン

  • GB/T 30656-2014 炭化珪素単結晶研磨ウェハ
  • GB/T 30656-2023 炭化珪素単結晶研磨ウェハ
  • GB/T 32281-2015 二次イオン質量分析によるソーラーグレードシリコンウェーハおよび材料中の酸素、炭素、ホウ素、リンの測定
  • GB/T 30866-2014 炭化珪素枚葉径試験方法
  • GB/T 32278-2015 炭化珪素枚葉平坦性試験方法
  • GB/T 30867-2014 炭化珪素枚葉ウェーハの厚みと総厚みばらつきの試験方法
  • GB/T 30868-2014 化学エッチング法による炭化ケイ素枚葉ウェーハのマイクロチューブ密度の測定
  • GB/T 42902-2023 炭化珪素エピタキシャルウェーハの表面欠陥検査のためのレーザー散乱法
  • GB/T 31351-2014 炭化ケイ素単結晶研磨ウェーハのマイクロチューブ密度の非破壊検査法
  • GB/T 43313-2023 共焦点微分干渉法を使用した炭化ケイ素研磨ウェーハの表面品質とマイクロチューブ密度の検査

Group Standards of the People's Republic of China, シリコンウエハーカーボン

  • T/IAWBS 005-2018 6インチ炭化ケイ素単結晶研磨ディスク
  • T/IAWBS 002-2017 炭化珪素エピタキシャルウェーハの表面欠陥検査方法
  • T/IAWBS 005-2024 6~8インチ炭化ケイ素単結晶研磨ウェーハ
  • T/CASAS 025-2023 インチ炭化ケイ素基板の基準マークと寸法
  • T/CASAS 003-2018 pチャネルIGBTデバイス用4H炭化ケイ素エピタキシャルウェーハ
  • T/IAWBS 013-2019 半絶縁性炭化珪素枚葉ウェーハの非接触抵抗率測定方法
  • T/IAWBS 014-2021 炭化珪素単結晶研磨ウェーハの転位密度の試験方法
  • T/CASAS 013-2021 炭化珪素ウェーハの転位密度検出法 画像認識法と組み合わせたKOH腐食
  • T/IAWBS 011-2019 導電性炭化ケイ素枚葉比抵抗測定法 非接触渦電流法
  • T/IAWBS 016-2022 炭化珪素単結晶ウェーハのX線ツインロッキングカーブの半値幅の試験方法
  • T/CNIA 0101-2021 グリーンデザイン製品評価技術仕様 炭化ケイ素単結晶研磨ウェーハ
  • T/CASAS 032-2023 誘導結合プラズマ質量分析法による炭化ケイ素ウェーハ表面の金属元素含有量の測定

Professional Standard - Electricity, シリコンウエハーカーボン

  • DL/T 2310-2021 電力システムにおける高電圧パワーデバイス用炭化珪素エピタキシャルウェーハの使用条件

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, シリコンウエハーカーボン

  • DB13/T 5118-2019 4H 炭化ケイ素 N 型ホモエピタキシャル ウェーハの一般的な技術要件




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