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半導体材料のUV分析

半導体材料のUV分析は全部で 152 項標準に関連している。

半導体材料のUV分析 国際標準分類において、これらの分類：半導体材料、総合電子部品、光学および光学測定、分析化学、セラミックス、電子および通信機器用の電気機械部品、プリント回路およびプリント回路基板、プラスチック、磁性材料、半導体ディスクリートデバイス、絶縁流体、ワイヤーとケーブル、電子機器用機械部品、集積回路、マイクロエレクトロニクス、消防。

Professional Standard - Electron, 半導体材料のUV分析

SJ 20744-1999 半導体材料中の不純物含有量の赤外吸収分光分析に関する一般ガイドライン
SJ/Z 3206.13-1989 半導体材料の発光スペクトル解析法の一般原則
SJ/T 11818.2-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 2: チップ仕様
SJ/T 11818.3-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 3: デバイス仕様
SJ/T 11818.1-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 1: 試験方法
SJ/T 11067-1996 赤外線検出材料のうち、半導体光電子材料と焦電材料の共通用語と用語
SJ/T 1505-1997 磁性回転フェライト材料の完成品および半製品の化学分析方法

Association Francaise de Normalisation, 半導体材料のUV分析

NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）を用いた半導体光触媒材料の検査用紫外線光源
NF T51-223:1985 プラスチック製品半結晶材料熱分析による従来の融点の測定。
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
NF EN 62047-2:2006 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法
NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
NF EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半導体デバイス用微小電気機械デバイス第6回薄膜材料の軸疲労試験方法
NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第21回：薄膜MEMS材料のポアソン比の試験方法
NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14部金属層材料の形成限界の測定方法
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス・微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
NF C96-022-32*NF EN 60749-32:2003 半導体デバイス機械的および気候試験方法パート 32: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘起)
NF C96-022-32/A1*NF EN 60749-32/A1:2011 半導体デバイスの機械的及び気候的試験方法第32部：プラスチック封止デバイスの可燃性（外部誘導）
NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: マイクロピラー技術を使用した MEMS 材料の圧縮試験
NF ISO 22197-4:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法パート 4: ホルムアルデヒド除去

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体材料のUV分析

GB/T 37131-2018 ナノテクノロジー半導体ナノ粉末材料の紫外可視拡散反射率スペクトルの試験方法
GB/T 36646-2018 窒化物半導体材料を作製するための水素化物気相成長装置

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体材料のUV分析

T/CNIA 0143-2022 半導体材料の微量不純物分析用超高純度樹脂容器
T/ZJATA 0017-2023 炭化ケイ素半導体材料を製造するための化学気相成長 (CVD) エピタキシャル装置
T/CWAN 0029.3-2021 ニッケル基溶接材料の化学分析法第３部窒素含有量の測定不活性ガス溶融熱伝導率法

KR-KS, 半導体材料のUV分析

KS L ISO 10677-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）半導体光触媒材料検査用紫外線光源
KS C IEC 62899-203-2023 プリンテッドエレクトロニクスパート 203: 材料、半導体インク
KS C IEC 62047-18-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 60749-32-2021 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 32: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘導)

British Standards Institution (BSI), 半導体材料のUV分析

BS ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）、半導体光触媒材料試験用紫外光源
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイスパート 14-11 半導体センサー表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイスパート 14-11 半導体センサー表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 プリンテッドエレクトロニクスパート 203 材料半導体インク
BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半導体デバイスの機械的および気候試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用する有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
BS ISO 22601:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス）半導体光触媒材料中のフェノールの酸化分解性能を判定するための全有機炭素（TOC）の定量分析試験方法

German Institute for Standardization, 半導体材料のUV分析

DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
DIN 50443-1:1988 半導体プロセスで使用される材料の検査その1：X線形状測定による半導体単結晶シリコンの結晶欠陥や不均一性の検出
DIN 50441-1:1996 半導体プロセス材料の検査半導体ウェーハの幾何学的寸法測定パート 1: 厚さと厚さのばらつき
DIN 50449-1:1997 半導体プロセスで使用される材料の検査赤外吸収によるIII-V族半導体不純物の定量その1 ガリウムヒ素中の炭素
DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
DIN 50438-1:1995 半導体プロセス材料の検査赤外吸収法によるシリコンの不純物含有量の測定その1：酸素
DIN 50446:1995 半導体プロセス材料の検査、シリコン結晶エピタキシャル層の欠陥種類と欠陥密度の測定
DIN 50441-2:1998 半導体プロセス材料の試験半導体チップの幾何学的寸法の測定パート 2: 角のある断面の試験
DIN 50452-1:1995 半導体プロセスで使用される材料の検査液体中の粒子分析の試験方法第 1 部: 粒子の顕微鏡測定
DIN 50452-3:1995 半導体プロセス材料の検査液体中の粒子分析の試験方法パート 3: 光学式粒子計数器の校正
DIN 50452-3:1995-10 半導体技術材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - パート 3: 光学式粒子計数器の校正
DIN 50452-2:2009-10 半導体技術材料の試験液中の粒子分析の試験方法第 2 部：光学式粒子計数器による粒子の測定
DIN 50454-2:1994 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物半導体単結晶の転位腐食ピット密度の測定その2：リン化インジウム
DIN 50454-3:1994 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物半導体単結晶の転位腐食ピット密度の測定その3 リン化ガリウム
DIN EN 60749-39:2007-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
DIN 50452-2:2009 半導体技術で使用される材料の試験液体中の粒子分析の試験方法パート 2: 光学式粒子計数器を使用した粒子の測定
DIN EN 62047-2:2007-02 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法
DIN EN 62047-10:2012-03 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
DIN 51456:2013-10 半導体テクノロジー材料試験水性分析溶液中の多元素測定のための誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用したシリコンウェーハの表面分析
DIN EN 60749-39:2007 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
DIN EN 62047-18:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
DIN 51456:2013 半導体技術用材料の検査、誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS) を使用した水分析溶液の多元素測定によるシリコンウェーハの表面分析
DIN EN 62047-2:2007 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
DIN EN 62047-6:2010-07 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
DIN 50454-1:2000 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物単結晶の転位の測定その1 ガリウムヒ素
DIN 50433-3:1982 半導体プロセス材料の検討その3：ラウエ後方散乱法による単結晶方位の決定
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020)
DIN 50441-3:1985 半導体プロセス材料の検査その3: 半導体スライスの幾何学的寸法の測定その3: 多線干渉法による研磨スライスの面ずれの測定
DIN 50441-4:1999 半導体プロセスで使用される材料の試験半導体ウェーハの幾何学的寸法の決定パート 4: ウェーハ直径、直径変動、ウェーハ直径、ウェーハ長さ、ウェーハ厚さ
DIN EN 62047-14:2012-10 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
DIN 50455-1:2009-10 半導体技術材料試験フォトレジスト特性評価方法パート 1: 光学的方法によるコーティング厚さの決定
DIN 50455-2:1999-11 半導体技術の材料試験フォトレジストの特性評価方法パート 2: ポジ型フォトレジストの感光性の決定
DIN EN 62047-21:2015-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)

International Organization for Standardization (ISO), 半導体材料のUV分析

ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）、半導体光触媒材料検出用紫外線源

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体材料のUV分析

IEC 62899-203:2018 プリンテッドエレクトロニクスパート 203: 材料、半導体インク
IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイスパート 5: フレキシブル材料の熱特性の試験方法
IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイスパート 14-11: UV、照度、温度測定用の表面弾性波ベースの統合センサーの半導体センサー試験方法
IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
IEC 60749-39:2021 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
IEC 60749-32:2002/AMD1:2010 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 32: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘導)
IEC 60749-32:2002+AMD1:2010 CSV 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 32: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘導)
IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。
IEC 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
IEC 62047-6:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
IEC 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMS 材料の微極圧縮試験、正誤表 1
IEC 60748-2-9:1994 半導体デバイス集積回路第 2 部: デジタル集積回路第 9 部: MOS UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリブランク詳細仕様
IEC 62047-14:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第14回：金属膜材料の形成限界の測定方法
IEC 60749-32:2002 半導体デバイス機械的および気候試験方法パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導)
IEC 60749-32:2010 半導体デバイス機械的および気候試験方法パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導)
IEC 60749-32:2002/COR1:2003 半導体デバイス機械的および気候試験方法パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘起)

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体材料のUV分析

DB61/T 1250-2019 Sic (炭化ケイ素) 材料の半導体ディスクリートデバイスの一般仕様

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体材料のUV分析

GB/T 11436-2012 ソフトフェライト材料の完成品および半製品の化学分析方法
GB/T 17574.9-2006 半導体デバイス、集積回路、パート 2-9: デジタル集積回路、紫外線消去可能な電気的にプログラム可能な MOS 読み取り専用メモリの詳細仕様は空白。
GB/T 3048.3-2007 電線およびケーブルの電気的特性の試験方法パート 3: 半導電性ゴムおよびプラスチック材料の体積抵抗率試験

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体材料のUV分析

KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体デバイス用有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
KS C IEC 62047-18:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
KS C IEC 60749-32:2021 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 32: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘導)
KS C IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。
KS C IEC 60749-32:2006 半導体デバイス機械的および気候試験方法パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導)
KS C IEC 60749-32-2006(2016) 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 - パート 32: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘導)
KS C IEC 60748-2-9:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 2: デジタル集積回路、セクション 9: MOS 紫外線消去可能プログラマブル読み取り専用メモリブランク詳細仕様
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) 半導体デバイス集積回路第 2 部: デジタル集積回路セクション 9: MOS 紫外線消去可能、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリブランク詳細仕様
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) 半導体デバイス集積回路第 2 部: デジタル集積回路セクション 9: MOS 紫外線消去可能、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリブランク詳細仕様

Standard Association of Australia （SAA）, 半導体材料のUV分析

AS/NZS 1660.2.3:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法絶縁体、押出成形半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法 PVC およびハロゲン熱可塑性プラスチック材料
AS/NZS 1660.2.2:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法絶縁体、押出半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法エラストマー、XLPE および XLPVC 材料

Danish Standards Foundation, 半導体材料のUV分析

DS/EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
DS/EN 62047-10:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
DS/EN 62047-2:2007 半導体デバイス微小電気機械デバイス第２部：薄膜材料の引張試験方法
DS/EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
DS/EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
DS/EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
DS/EN 60749-32/A1:2010 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 32 部: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘起)
DS/EN 60749-32+Corr.1:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 32 部: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘起)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体材料のUV分析

EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
EN 60749-39:2006 半導体デバイス機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネント用有機材料の水分拡散率および水溶解度の試験 IEC 60749-39-2006
EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第21回薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
EN 62047-2:2006 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法 IEC 62047-2:2006
EN 62047-10:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: 微小電気機械システム (MEMS) 材料のマイクロピラー圧縮試験

ES-UNE, 半導体材料のUV分析

UNE-EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
UNE-EN 62047-10:2011 半導体デバイスマイクロ電気機械デバイスパート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
UNE-EN 62047-18:2013 半導体デバイス微小電気機械デバイス第18回薄膜材料の曲げ試験方法
UNE-EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
UNE-EN 62047-6:2010 半導体デバイス微小電気機械デバイス第6部：薄膜材料の軸疲労試験方法
UNE-EN 62047-21:2014 半導体デバイス微小電気機械デバイス第 21 部: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
UNE-EN 62047-14:2012 半導体デバイス微小電気機械デバイス第14回金属薄膜材料の形成限界の測定方法
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 62047-2:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。

Lithuanian Standards Office , 半導体材料のUV分析

LST EN 60749-39-2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
LST EN 62047-10-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験 (IEC 62047-10:2011)
LST EN 62047-2-2007 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)
LST EN 62047-6-2010 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6:2009)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体材料のUV分析

JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
JIS C 5630-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
JIS C 5630-6:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法

AT-OVE/ON, 半導体材料のUV分析

OVE EN IEC 60749-39:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV) (英語版)

AENOR, 半導体材料のUV分析

UNE-EN 60749-32:2004/A1:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 32 部: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘起)
UNE-EN 60749-32:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法第 32 部: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (外部誘起)