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형광 분광학 실리콘

모두 14항목의 형광 분광학 실리콘와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 형광 분광학 실리콘와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 검은 금속, 분석 화학, 유리, 내화물, 식품 테스트 및 분석의 일반적인 방법.

European Committee for Standardization (CEN), 형광 분광학 실리콘

CEN/TR 10354:2011 철금속 재료의 화학적 분석 규소철 분석 X선 형광 분광법 규소 및 알루미늄 측정
PD CEN/TR 10354:2011 철 재료의 화학적 분석 페로실리콘 분석 X선 형광 분광법을 통한 실리콘 및 알루미늄 측정

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 형광 분광학 실리콘

KS D ISO 14706:2003 표면 화학 분석 전반사 X선 형광 분광법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면의 주요 오염물질 측정
KS E 3076-2017 규사와 규사의 X선 형광분광분석법
KS E 3076-2022 규사와 규사의 X선 형광분광분석법

Association Francaise de Normalisation, 형광 분광학 실리콘

FD A06-326*FD CEN/TR 10354:2011 철금속 재료의 화학적 분석 페로실리콘 분석 X선 형광 분광법을 통한 페로실리콘 내 Si 및 Al 측정

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 형광 분광학 실리콘

GB/T 40110-2021 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염에 대한 TXRF(전반사 X선 형광 분광법) 측정
GB/T 40915-2021 X선 형광 분광법을 이용한 소다석회실리카 유리의 SiO2, Al2O3, Fe2O3, K2O, Na2O, CaO 및 MgO 함량 측정

British Standards Institution (BSI), 형광 분광학 실리콘

BS ISO 14706:2000 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
BS ISO 14706:2014 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
BS ISO 14706:2001 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
BS 1902-9.2:1987 내화 재료의 시험 방법 파트 9.2: 기기 화학 분석 방법 섹션 2: X선 형광 분광법을 이용한 규산 내화 재료 분석

Group Standards of the People's Republic of China, 형광 분광학 실리콘

T/CQCAA 0005-2020 원자 형광 분광법을 이용한 실리카 내 수은 측정

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 형광 분광학 실리콘

GB/T 21191-2007 원자형광분광계

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