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단결정 실리콘 측정 방법

모두 28항목의 단결정 실리콘 측정 방법와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 단결정 실리콘 측정 방법와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 방사선 측정, 반도체 소재, 금속 재료 테스트, 비철금속, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 길이 및 각도 측정.


Group Standards of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 측정 방법

  • T/CAB 0181-2022 규산루테튬과 규산이트륨의 섬광 단결정의 특성변수 측정방법
  • T/IAWBS 013-2019 반절연 탄화규소 단일 웨이퍼의 비저항 측정 방법
  • T/IAWBS 011-2019 전도성 탄화규소 단일 웨이퍼 저항률 측정 방법 - 비접촉 와전류 방법
  • T/IAWBS 010-2019 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 검출 방법 - 레이저 산란 검출 방법
  • T/IAWBS 012-2019 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 테스트 방법 - 공초점 차동 간섭 광학 방법

Professional Standard - Electron, 단결정 실리콘 측정 방법

  • SJ/T 11504-2015 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 테스트 방법

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 단결정 실리콘 측정 방법

  • GB/T 42263-2022 2차 이온 질량 분석법을 통한 실리콘 단결정의 질소 함량 측정
  • GB/T 35306-2023 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 탄소 및 산소 함량 측정
  • GB/T 24581-2009 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 III족 및 V족 불순물 함량 측정 시험 방법

American Society for Testing and Materials (ASTM), 단결정 실리콘 측정 방법

  • ASTM F847-94(1999) 단결정 실리콘 웨이퍼 기준면의 결정학적 방향에 대한 X선 측정을 위한 표준 테스트 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 단결정 실리콘 측정 방법

  • KS D 0257-2002(2022) 실리콘 단결정의 소수 캐리어 수명을 측정하기 위한 광전도 감쇠 방법
  • KS D 0257-2002 광전도도 감쇠 측정법을 이용한 실리콘 단결정의 소수 캐리어 수명 결정 방법
  • KS C IEC 62276:2019 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 단결정 실리콘 측정 방법

  • JIS H 0604:1995 광전도 감쇠법을 이용한 실리콘 단결정의 소수 캐리어 수명 측정

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 단결정 실리콘 측정 방법

  • YS/T 1600-2023 글로우 방전 질량분석법을 이용한 탄화규소 단결정의 미량 불순물 원소 함량 측정

KR-KS, 단결정 실리콘 측정 방법

  • KS C IEC 62276-2019 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 단결정 실리콘 측정 방법

  • GB/T 41153-2021 2차 이온 질량분석법을 통한 탄화규소 단결정의 붕소, 알루미늄 및 질소 불순물 함량 측정
  • GB/T 24581-2022 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 통한 실리콘 단결정의 III족 및 V족 불순물 함량 측정

International Electrotechnical Commission (IEC), 단결정 실리콘 측정 방법

  • IEC 62276:2016 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 단결정 실리콘 측정 방법

  • GB/T 35306-2017 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 탄소 및 산소 함량 측정

German Institute for Standardization, 단결정 실리콘 측정 방법

  • DIN 50431:1988 반도체 재료의 테스트 프로브를 직선으로 배열한 4-프로브/DC 방식을 사용하여 단결정 실리콘 또는 게르마늄 단결정의 저항률을 측정합니다.
  • DIN 50453-1:2023-08 반도체 기술용 재료 테스트 - 에칭 혼합물의 에칭 속도 결정 - 1부: 실리콘 단결정, 중량법
  • DIN 50443-1:1988 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 1부: X선 프로파일로법을 통한 반도체 단결정 실리콘의 결정 결함 및 불균일 검출
  • DIN 50440:1998 반도체 공정 재료 테스트 실리콘 단결정의 캐리어 수명 측정 광전도법에 의한 마이크로젯의 복합 캐리어 수명 측정

Association Francaise de Normalisation, 단결정 실리콘 측정 방법

  • NF EN 62276:2018 표면탄성파(OAS) 장치를 사용하는 애플리케이션을 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 사양 및 측정 방법

RU-GOST R, 단결정 실리콘 측정 방법

  • GOST 8.592-2009 균일한 측정을 보장하는 국가 시스템 단결정 실리콘 나노미터 진폭 감소 측정 형상, 라인 치수 및 제조 재료 요구 사항
  • GOST R 8.592-2009 국가 측정 균일성 보장 시스템 단결정 실리콘 나노스케일 완화 조치 형상, 선형 크기 사양 및 제조 재료 요구 사항
  • GOST R 8.628-2007 국가 측정 균일성 보증 시스템 단결정 실리콘에 대한 나노 규모 완화 조치 형상, 선형 치수 및 제조 재료 선택 요구 사항




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