ASTM F996-11(2018)
用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–V
- 标准号
- ASTM F996-11(2018)
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F996-11(2018)
- 引用标准
- ASTM E1249 ASTM E1894 ASTM E666 ASTM E668
- 1.1 本测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中的栅极电介质和寄生 MOSFET 中的隔离电介质的电离辐射退化。2,3,4亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移 ΔVINV 分离为由于氧化物捕获电荷 ΔVot 和界面陷阱 ΔV it 引起的电压偏移。该技术利用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的...