ASTM F996-11(2018)
用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–V

ASTM F996-11(2018) 发布历史

ASTM F996-11(2018)由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2018-03-01。

ASTM F996-11(2018)在国际标准分类中归属于: 31.080.30 三极管。

ASTM F996-11(2018) 发布之时，引用了标准

• ASTM E1249 使用Co-60源的硅电子器件的辐射硬度测试中最小化剂量误差的标准实践*， 2021-02-01 更新
• ASTM E1894 选择脉冲X射线源用的剂量测定系统的标准指南
• ASTM E666 计算γ或X射线吸收剂量的标准实施规程
• ASTM E668 用于确定电子设备辐射硬度测试中吸收剂量的热释光剂量法（TLD）系统的标准实践*， 2020-07-01 更新

* 在 ASTM F996-11(2018) 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

ASTM F996-11(2018)的历代版本如下：

• 2018年 ASTM F996-11(2018) 用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性
• 2011年 ASTM F996-11 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界面性能产生的电离辐射感生金属氧化物半导体场应晶体管临界电压偏移分量的标准试验方法
• 2010年 ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
• 1998年 ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• 1998年 ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

1.1 本测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中的栅极电介质和寄生 MOSFET 中的隔离电介质的电离辐射退化。2,3,4亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移 ΔVINV 分离为由于氧化物捕获电荷 ΔVot 和界面陷阱 ΔV it 引起的电压偏移。该技术利用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的漏源电流与栅极电压特性。

1.2 给出了测量 MOSFET 亚阈值电流-电压特性和计算结果的程序。

1.3 本测试方法的应用要求MOSFET具有衬底（体）接触。

1.4 辐照前和辐照后 MOSFET 亚阈值源极或漏极曲线必须遵循对栅极电压的指数依赖关系（至少 20 个电流）。

1.5 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。

1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。

1.7 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。

标准号

ASTM F996-11(2018)

发布

2018年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

引用标准

ASTM E1249 ASTM E1894 ASTM E666 ASTM E668

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