ASTM F996-11(2018)
用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–V
说明：
- 此图仅显示与当前标准最近的5级引用；
- 鼠标放置在图上可以看到标题编号；
- 此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小；
- 表示标准的节点，可以拖动；
- 绿色表示标准：ASTM F996-11(2018) ， 绿色、红色表示本平台存在此标准，您可以下载或者购买，灰色表示平台不存在此标准；
- 箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。
- 标准号
- ASTM F996-11(2018)
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F996-11(2018)
- 引用标准
- ASTM E1249 ASTM E1894 ASTM E666 ASTM E668
- 1.1 本测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中的栅极电介质和寄生 MOSFET 中的隔离电介质的电离辐射退化。2,3,4亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移 ΔVINV 分离为由于氧化物捕获电荷 ΔVot 和界面陷阱 ΔV it 引起的电压偏移。该技术利用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的...
推荐
【中国科学技术大学龙世兵课题组】超高探测率和光-暗电流比的日盲光电晶体管
这个晶体管处于常关状态，由线形图可推算出阈值电压为7V。增强型β-Ga2O3MOSFET由栅槽工艺实现。晶体管开/关电流比约为108，阈下摆幅为250mV/dec，由此表明此制备的晶体管拥有很好的场效应晶体管特性。当此器件被254nm以下深紫外光光照射时，在关闭状态下，漏-源电流IDS电流增长了将近六个数量级。更宽的有效操作窗口被基于增强型的晶体管成功地实现。...
半导体元器件失效分析
闩锁状态下器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、过电应力和器件损坏通信接口集成电路的闩锁失效（5）热载流子效应(Hot Carrier Injection栅极电压Vg小于漏极电压Vd时，栅极绝缘膜下的沟道被夹断，漏极附近电场增高；源极流经此区的电子成为热电子，碰撞增多---漏极雪崩热载流子；注入栅极二氧化硅膜中，使其产生陷阱和界面能级，阈值电压增加，氧化层电荷增加或波动不稳，器件性能退化（6）与时间相关的介质击穿...