ZH

EN

JP

ES

RU

DE

실리콘 웨이퍼 표면 피크

모두 258항목의 실리콘 웨이퍼 표면 피크와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 실리콘 웨이퍼 표면 피크와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 소재, 비철금속, 금속 재료 테스트, 절연유체, 분석 화학, 철강 제품, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 어휘, 길이 및 각도 측정, 오디오, 비디오 및 시청각 엔지니어링, 태양광 공학, 건물 보호, 사진 기술, 고무 및 플라스틱 산업의 생산 공정, 항공우주 제조용 재료, 건물 내 시설, 의료 장비, 전기 장치, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 전기 및 전자 테스트, 식품과 접촉하는 품목 및 재료, 항공우주 전기 장비 및 시스템, 화학 제품, 파라핀, 역청물질 및 기타 석유제품, 도로 공사, 저항기, 페인트 성분, 유리, 식품종합, 주방 용품, 교량 건설, 필터, 단열재, 도로 차량 장치, 무기화학, 입자 크기 분석, 스크리닝, 영화, 건축 자재, 자성 재료, 플라스틱, 소독 및 살균, 고무 및 플라스틱 원료, 표면 처리 및 도금, 페인트 도포 과정, 선상 장비 및 기기.


中国有色金属工业总公司, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • YS/T 25-1992 실리콘 연마 웨이퍼 표면 세정 방법
  • YS/T 27-1992 웨이퍼 표면의 미립자 오염을 측정하고 계산하는 방법

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • GB/T 29505-2013 실리콘 웨이퍼의 평평한 표면의 표면 거칠기 측정 방법
  • GB/T 6621-2009 실리콘 웨이퍼 표면 평탄도 테스트 방법
  • GB/T 19921-2005 실리콘 연마 웨이퍼의 표면 입자 테스트 방법
  • GB/T 42789-2023 실리콘 웨이퍼 표면광택 시험방법
  • GB/T 6621-1995 실리콘 연마 웨이퍼의 표면 평탄도 테스트 방법
  • GB/T 6624-1995 실리콘 연마 웨이퍼의 표면 품질을 육안으로 검사하는 방법
  • GB/T 6624-2009 실리콘 연마 웨이퍼의 표면 품질을 육안으로 검사하는 방법
  • GB/T 17169-1997 실리콘 연마 웨이퍼 및 에피택셜 웨이퍼의 표면 품질에 대한 빛 반사 테스트 방법
  • GB/T 42902-2023 탄화규소 에피택셜 웨이퍼의 표면 결함을 테스트하기 위한 레이저 산란 방법
  • GB/T 25188-2010 X선 광전자 분광법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면의 초박형 실리콘 산화물 층 두께 측정
  • GB/T 24577-2009 열탈착 가스 크로마토그래피를 통한 실리콘 웨이퍼 표면의 유기 오염물질 측정
  • GB/T 30860-2014 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기 및 절단선 표시 시험방법
  • GB/T 24578-2015 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 오염에 대한 전반사 X선 형광 분광법 테스트 방법
  • GB/T 24578-2009 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 오염에 대한 전반사 X선 형광 분광법 테스트 방법
  • GB/T 24575-2009 실리콘 및 에피택셜 웨이퍼 표면의 Na, Al, K 및 Fe의 2차 이온 질량 분석 검출 방법
  • GB/T 2523-2008 냉간 압연 금속판(스트립)의 표면 거칠기 및 피크 수 측정 방법
  • GB/T 43313-2023 공초점 미분 간섭 방법을 사용하여 탄화규소 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 테스트
  • GB/T 30701-2014 표면 화학 분석: 실리콘 웨이퍼 작업 표준 샘플의 표면 원소에 대한 화학 포집 방법 및 전반사 X선 형광 분광법(TXRF) 측정
  • GB 10810.5-2012 안경 렌즈 5부: 렌즈 표면 내마모성 요구 사항
  • GB/T 13388-2009 실리콘 웨이퍼 기준면 결정학적 방향 X선 테스트 방법
  • GB/T 13388-1992 실리콘 웨이퍼 기준면의 결정학적 방향에 대한 X선 측정 방법
  • GB/T 2523-2022 냉간 압연 금속판 및 스트립의 표면 거칠기, 피크 수 및 파상도를 측정하는 방법
  • GB/T 31225-2014 엘립소메트리를 이용한 실리콘 표면의 얇은 이산화규소 층 두께 측정 방법
  • GB/T 13387-2009 실리콘 및 기타 전자재료 웨이퍼의 기준면 길이 측정 방법
  • GB/T 30118-2013 표면탄성파(SAW) 장치의 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • GB/T 32495-2016 실리콘 내 비소에 대한 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석법 깊이 프로파일링 방법
  • GB/T 24579-2009 산성 침출 원자 흡수 분광법을 통해 다결정 실리콘 표면의 금속 오염 물질을 측정합니다.
  • GB/T 23656-2009 고무 배합제 침전된 수화 실리카의 비표면적 측정 CTAB 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • KS D 0261-2022 반사면이 있는 실리콘 웨이퍼의 육안 검사
  • KS D 0261-2012(2017) 거울을 이용한 실리콘 웨이퍼 검사
  • KS D ISO 14706-2003(2018) 표면 화학 분석 - 전반사 X선 형광 분석기는 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 불순물을 측정합니다.
  • KS D 0261-2012 미러 실리콘 웨이퍼의 외관 검사
  • KS D 0261-2012(2022) 미러 실리콘 웨이퍼의 육안 검사
  • KS D ISO 14706:2003 표면 화학 분석 전반사 X선 형광 분광법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면의 주요 오염물질 측정
  • KS C IEC 62276:2019 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법
  • KS R 1101-2005(2020) 자동차 디스크 브레이크 패드 재료의 표면 부식 시험 방법
  • KS R ISO 7629-2020 도로 차량 - 브레이크 라이닝 - 디스크 브레이크 패드 - 테스트 후 표면 및 재료 결함 평가
  • KS C IEC 62276:2007 표면 탄성파 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • KS M ISO 8215-2007(2018) 계면활성제 세탁 세제의 총 실리카 함량 측정을 위한 중량 측정 방법
  • KS M ISO 8215-2023 계면활성제 - 세탁용 분말 - 총 실리카 함량 측정 - 중량 측정법
  • KS R ISO 7629-2015(2020) 디스크 브레이크 패드 테스트 후 도로 차량 브레이크 라이닝의 표면 및 재료 결함 평가

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • GB/T 19921-2018 실리콘 연마 웨이퍼의 표면 입자 테스트 방법
  • GB/T 40279-2021 실리콘 웨이퍼 표면의 막 두께를 측정하는 광학 반사 방법
  • GB/T 40110-2021 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염에 대한 TXRF(전반사 X선 형광 분광법) 측정
  • GB/T 39145-2020 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 원소 함량 측정
  • GB/T 41073-2021 표면 화학 분석을 위한 기본 요구 사항 전자 에너지 분광학 X선 광전자 분광학 피크 피팅 보고서
  • GB/T 40109-2021 표면 화학 분석 실리콘 내 붕소의 깊이 프로파일링을 위한 2차 이온 질량 분석 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • T/IAWBS 002-2017 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 표면 결함 테스트 방법
  • T/FSI 049-2020 흄드 실리카 표면의 실라놀 함량 테스트 방법
  • T/CASAS 032-2023 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 탄화 규소 웨이퍼 표면의 금속 원소 함량 측정
  • T/ZZB 0497-2018 표면탄성파 소자용 단결정 웨이퍼
  • T/IAWBS 010-2019 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 검출 방법 - 레이저 산란 검출 방법
  • T/CECA 69-2022 탄성표면파소자용 단결정박막기판
  • T/IAWBS 012-2019 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 테스트 방법 - 공초점 차동 간섭 광학 방법
  • T/CPUIA 0013-2022 냉장고용 폴리우레탄 경질폼 실리콘 계면활성제
  • T/CPUIA 0011-2022 가정용 폴리우레탄 연질 발포 실리콘 계면활성제
  • T/JSJTQX 32-2023 "교량 콘크리트 표면용 수성 불소실란 세척이 용이한 보호제"
  • T/CESA 1186-2022 전자포장용 실리카 미분말 표면의 실리카 수산기 함량 시험방법 산-염기 적정법
  • T/CPUIA 0012-2022 자동차용 폴리우레탄 고탄성 폼 실리콘 계면활성제
  • T/SPUIA 0003-2021 유연한 폴리우레탄 폼을 위한 저링 바디 실리콘 계면활성제
  • T/ZZB 3068-2023 일반물체표면 및 공기소독용 이산화염소소독정제

Professional Standard - Electron, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • SJ/T 11504-2015 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 테스트 방법
  • SJ/T 11503-2015 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 거칠기 시험 방법
  • SJ/T 10627-1995 격자간 산소 함량의 감소를 측정하여 실리콘 웨이퍼의 산소 석출 특성을 특성화하는 방법

Society of Automotive Engineers (SAE), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

AGMA - American Gear Manufacturers Association, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • P149.03-1983 열가소성 기어 톱니 표면의 최고 온도 예측

KR-KS, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • KS D ISO 14706-2003(2023) 표면 화학 분석 - 전반사 X선 형광 분석기는 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 불순물을 측정합니다.
  • KS C IEC 62276-2019 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법
  • KS A ISO 8400-2003(2023) 필름 기술 16mm 필름 유제 표면의 위치 식별
  • KS M ISO 8215-2007(2023) 계면활성제 세탁 세제의 총 실리카 함량 측정을 위한 중량 측정 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • JIS H 0614:1996 미러 실리콘 웨이퍼의 육안 검사
  • JIS K 0148:2005 표면 화학 분석 TXRF(전반사 X선 형광) 측정을 사용하여 실리콘 웨이퍼의 주요 표면 오염 물질을 측정합니다.
  • JIS K 0160:2009 표면 화학 분석은 실리콘 웨이퍼 처리 기준 물질의 표면에서 원소 및 화학적 방법을 수집하고 전반사 X선 형광(TXRF) 분광 광도법을 통해 결정합니다.
  • JIS K 0164:2023 실리콘 내 붕소의 깊이 분석을 위한 표면 화학 분석 2차 이온 질량 분석 방법
  • JIS T 7336:2011 안과용 광학장치 절단되지 않은 완성된 안과용 렌즈 내마모성 안과용 렌즈 표면에 대한 최소 요구 사항 선언
  • JIS C 6760:2014 표면 탄성파(SAW) 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법

American Society for Testing and Materials (ASTM), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • ASTM F1810-97 실리콘 웨이퍼 침식 또는 표면 결함의 우선 통계를 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F523-93(1997) 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사에 대한 표준 관행
  • ASTM F672-88(1995)e1 분산 저항 프로브를 사용하여 표면에 수직인 세로 단면에서 실리콘 웨이퍼의 저항률을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F154-00 정반사 실리콘 표면에 존재하는 구조 및 오염 물질을 식별하기 위한 표준 가이드
  • ASTM F950-98 앵글연마법과 침식법을 이용한 가공된 실리콘 웨이퍼 표면의 결정손상 깊이를 측정하는 시험방법
  • ASTM D6845-02(2008) 침전 수화 실리카에 대한 표준 테스트 방법 - CTAB 표면적
  • ASTM E1337-90 표준 참조 테스트 타이어를 사용하여 포장된 표면의 종방향 최대 제동 계수를 결정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM F1239-94 격자간 산소 감소를 측정하여 실리콘 웨이퍼의 산소 침전을 특성화하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D1993-03(2013)e1 다점 BET 질소 흡수법을 사용하여 석출된 실리콘의 표면적을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM D5604-96(2006) 침강 실리카의 표준 시험 방법 단일 부위 BET 질소 흡착법에 의한 침강 실리카의 표면적
  • ASTM D5604-96(2001) 침강 실리카의 표준 시험 방법 단일 부위 BET 질소 흡착법에 의한 침강 실리카의 표면적
  • ASTM D5604-96 침강 실리카의 표준 시험 방법 단일 부위 BET 질소 흡착법에 의한 침강 실리카의 표면적
  • ASTM D5604-96(2017) 침강 실리카의 표준 시험 방법 단일 부위 BET 질소 흡착법에 의한 침강 실리카의 표면적
  • ASTM E1337-90(2018) 표준 참조 테스트 타이어를 사용하여 포장된 표면의 종방향 최대 제동 계수를 결정하는 표준 테스트 방법
  • ASTM A717/A717M-12 모놀리식 샘플의 표면 절연 저항에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM D1993-03(2008) 다점 Bou-E-T 질소 흡착법을 이용한 퇴적 실리카의 표면적 시험 방법
  • ASTM F847-94(1999) 단결정 실리콘 웨이퍼 기준면의 결정학적 방향에 대한 X선 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM E2685-15(2019) 태양광 모듈의 표면 절단 테스트를 위한 강철 블레이드의 표준 사양
  • ASTM D1044-13 투명 플라스틱 필름의 표면마찰저항성 표준시험방법
  • ASTM D1044-08e1 투명 플라스틱 필름의 표면마찰저항성 표준시험방법
  • ASTM D1044-05 투명 플라스틱 필름의 표면마찰저항성 표준시험방법
  • ASTM D1993-03 다점 Bou-E-T 질소 흡착법을 이용한 퇴적 실리카의 표면적에 대한 표준 시험 방법
  • ASTM D1993-03(2013) 다점 Bou-E-T 질소 흡착법을 이용한 퇴적 실리카의 표면적에 대한 표준 시험 방법

Defense Logistics Agency, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

International Organization for Standardization (ISO), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • ISO 14706:2000 표면 화학 분석 TXRF(전반사 X선 형광) 측정을 사용한 실리콘 웨이퍼의 기본 표면 오염 확인
  • ISO 14706:2014 표면 화학 분석 TXRF(전반사 X선 형광) 측정을 사용한 실리콘 웨이퍼의 기본 표면 오염 확인
  • ISO 4287:1997/Amd 1:2009 제품 기하학적 수량(GPS)에 대한 기술 사양 표면 구조: 프로파일 방법 표면 구조의 용어, 정의 및 매개변수 수정 1: 피크 계산
  • ISO 17331:2004 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 작업 기준 물질의 표면에서 원소를 수집하는 화학적 방법과 전반사 X선 형광 분광법을 통한 결정
  • ISO 17331:2004/Amd 1:2010 표면 화학 분석 화학적 방법 및 광학 분석기(TXRF) 분광 측정을 사용하여 실리콘 웨이퍼 처리 표준 재료 표면 요소 수집 수정 1
  • ISO 17560:2014 표면 화학 분석 - 2차 이온 질량 분석법 - 실리콘 내 실리콘의 심층 분석 방법
  • ISO 19830:2015 표면 화학 분석 전자 분광학 X선 광전자 분광학 피크 피팅에 대한 최소 보고 요구 사항
  • ISO 23157:2021 반응가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • ISO 8215:1985 계면활성제 세탁 세제의 총 실리카 함량 측정을 위한 중량 측정 방법
  • ISO 14701:2018 표면 화학 분석 - X선 광전자 분광법 - 산화규소 두께 측정

IN-BIS, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • IS 9954-1981 철강 표면 코팅 그림 표면 처리 표준

British Standards Institution (BSI), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • BS ISO 14706:2000 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
  • BS ISO 14706:2014 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
  • BS ISO 14706:2001 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
  • BS ISO 17331:2004+A1:2010 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 작업 표준 물질의 표면에서 원소를 수집하는 화학적 방법과 전반사 X선 형광 분광법(TXRF)을 통한 결정
  • BS EN 1388-2:1996 식품과 접촉하는 재료 및 물품 실리콘 처리된 표면 파트 2: 세라믹을 제외한 실리콘 처리된 표면에서 방출된 납 및 카드뮴 측정.
  • BS EN 50513:2009 태양광 웨이퍼 태양전지 제조용 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터시트 및 제품 정보
  • BS EN ISO 23157:2022 반응 가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • BS EN ISO 23157:2022(2023) 반응 가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • BS EN 1388-2:1996(2004) 식품과 접촉하는 재료 및 물품 - 규산염 표면 - 2부: 세라믹 용기 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 방출 측정
  • BS ISO 19830:2015 표면 화학 분석 전자 분광학 X선 광전자 분광학 피크 피팅에 대한 최소 보고 요구 사항
  • BS ISO 23157:2021 반응가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • 21/30429402 DC BS ISO 23157 반응 가스 크로마토그래피를 통한 흄드 실리카 표면의 실라놀 그룹 함량 측정
  • BS EN 62276:2013 표면 탄성파(SAW) 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • BS EN 62276:2005 표면 탄성파(SAW) 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • BS EN 62276:2006 표면탄성파(SAW) 장치의 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • BS EN 62276:2016 표면 탄성파(SAW) 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • PD IEC TR 61760-5-1:2024 표면 실장 기술 5-1부: 회로 기판의 표면 변형 — 칩 구성 요소에 적용되는 스트레인 게이지 측정
  • BS ISO 14701:2018 표면 화학 분석 X선 광전자 분광법 산화규소 두께 측정

International Electrotechnical Commission (IEC), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • IEC 62276:2016 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법
  • IEC 62276:2005 표면 탄성파 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • IEC 62276:2012 표면 탄성파(SAW) 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법

CH-SNV, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

HU-MSZT, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

Danish Standards Foundation, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • DS/EN ISO 4287/A1:2009 기하학적 제품 사양(GPS) 표면 질감: 프로파일 방법 용어, 정의 및 표면 질감 매개변수 수정안 1: 피크 수
  • DS/EN 1388-2:1996 식품과 접촉하는 재료 및 물품의 규산염 표면 2부: 세라믹 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 방출 측정
  • DS/EN 50513:2009 태양광 웨이퍼 태양전지 제조에 사용되는 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터시트 및 제품 정보
  • DS/EN 10342:2005 자성재료 전기강판, 강대, 적층판의 표면절연 분류

German Institute for Standardization, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • DIN EN 50513:2009 태양광 실리콘 웨이퍼 태양전지 제조에 사용되는 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터 시트 및 제품 정보
  • DIN EN ISO 23157:2022-12 반응 가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • DIN EN 1388-2:1995-11 식품과 접촉하는 재료 및 물품 - 규산염 표면 - 2부: 세라믹 용기 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 방출 측정
  • DIN EN ISO 23157:2022 반응 가스 크로마토그래피(ISO 23157:2021)를 통한 흄드 실리카 표면의 실라놀 그룹 함량 측정
  • DIN EN 1388-2:1995 식품과 접촉하는 재료 및 물품 실리콘 처리된 표면 파트 2: 세라믹 물품 이외의 실리콘 처리된 표면에서 방출된 납 및 카드뮴 측정, 독일 버전 EN 1388-2:1995

Professional Standard - Building Materials, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

Professional Standard - Chemical Industry, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

The Society for Protective Coatings (SSPC), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • SSPC PA 17-2012 강철 프로파일/표면 거칠기/피크 개수 요구 사항을 준수하기 위한 절차 결정
  • SSPC GUIDE 7-2015 납으로 오염된 표면 처리 잔해 처리 지침

SSPC - The Society for Protective Coatings, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • PA 17-2012 강철 프로파일/표면 거칠기/피크 개수 요구 사항을 준수하기 위한 절차 결정
  • GUIDE 7-1995 납으로 오염된 표면 처리 잔해 처리 지침
  • GUIDE 7-2004 납으로 오염된 표면 처리 잔해 처리 지침
  • GUIDE 7-2015 납으로 오염된 표면 처리 잔해 처리 지침

Association Francaise de Normalisation, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • NF EN 50513:2009 태양광 웨이퍼 - 태양전지 제조에 사용되는 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터시트 및 제품 정보
  • NF EN 62276:2018 표면탄성파(OAS) 장치를 사용하는 애플리케이션을 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • NF E05-015/A1:2009 기하학적 제품 사양(GPS) 표면 구조: 프로파일 방법 표면 구조의 용어, 정의 및 매개변수 수정 1: 피크 카운트 수치
  • NF D25-501-2*NF EN 1388-2:1996 식품과 접촉하는 재료 및 물품의 실리콘 처리된 표면 파트 2: 세라믹 이외의 실리콘 처리된 표면에서 방출된 납 및 카드뮴 측정
  • NF EN 1388-2:1996 식품과 접촉하는 재료 및 물품 - 규산염 표면 - 2부: 세라믹 물품 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 방출 측정.
  • NF T73-706*NF ISO 8215:1986 계면활성제 세탁 분말의 총 실리카 함량 측정, 중량 분석법
  • NF EN ISO 23157:2022 반응가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • NF C93-616:2006 표면 탄성파 장치용 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
  • NF T73-052:1969 계면활성제 과학적 분류 펀치 카드 참조 분류
  • NF C93-616:2013 표면 탄성파(SAW) 장치용 단결정 웨이퍼 - 사양 및 측정 방법
  • NF T35-503-4*NF EN ISO 8503-4:2012 코팅 및 관련 제품을 사용하기 전 강철 기판 준비 숏 피닝된 강철 기판의 표면 거칠기 특성 4부: ISO 표면 프로파일 비교기를 위한 교정 방법 및 표면 프로파일 결정 방법 스타일러스 기기의 절차
  • NF T35-503-4:1995 코팅 및 관련 제품을 사용하기 전 강철 기판 준비 숏 피닝된 강철 기판의 표면 거칠기 특성 4부: ISO 표면 프로파일 비교기를 위한 교정 방법 및 표면 프로파일 결정 방법 스타일러스 기기의 절차

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

RO-ASRO, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

Lithuanian Standards Office , 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • LST EN ISO 4287:2007/A1:2009 기하학적 제품 사양(GPS) 표면 질감: 프로파일 방법 용어, 정의 및 표면 질감 매개변수 수정안 1: 피크 수(ISO 4287:1997/Amd 1:2009)
  • LST EN 1388-2-2000 식품과 접촉하는 재료 및 물품의 규산염 표면 2부: 세라믹 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 방출 측정
  • LST EN 50513-2009 태양광 웨이퍼 태양전지 제조에 사용되는 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터시트 및 제품 정보
  • LST EN 10342-2005 자성재료 전기강판, 강대, 적층판의 표면절연 분류

AENOR, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • UNE-EN ISO 4287:1999/A1:2010 기하학적 제품 사양(GPS) 표면 질감: 프로파일 방법 용어, 정의 및 표면 질감 매개변수 수정안 1: 피크 수(ISO 4287:1997/Amd 1:2009)
  • UNE-EN 50513:2011 태양광 웨이퍼 태양전지 제조에 사용되는 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터시트 및 제품 정보
  • UNE 55837:1987 계면활성제 세탁 세제의 총 실리카 함량 측정을 위한 중량 측정 방법
  • UNE-EN 10342:2007 자성재료 전기강판, 강대, 적층판의 표면절연 분류
  • UNE 55625:1982 세제 제제의 원료로 사용되는 계면활성제 규산나트륨 및 규산칼륨 실리카 함량 측정 불용성 중량 측정 방법

American National Standards Institute (ANSI), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

GM North America, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

IPC - Association Connecting Electronics Industries, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

GM Europe, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • GME17009-2013 다공성 및 표면 불연속성 Forks Shift / Transmission M1x Porositαn und Oberflα peak en-Fehlstellen Schaltgabeln / Getriebe M1x Issue 1

Professional Standard - Customs, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • HS/T 4-2006 유기 표면 처리된 실리카의 동정 방법

海关总署, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • HS/T 47-2014 유기 표면 처리된 실리카의 동정 방법

未注明发布机构, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • ASTM RR-F01-1012 1996 F1526-전반사 X선 형광 분광법을 이용한 실리콘 웨이퍼의 표면 금속 오염 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • IEC TR 61760-5-1:2024 표면 실장 기술 - 5-1부: 회로 기판의 표면 변형 - 칩 부품에 적용되는 스트레인 게이지 측정

ESDU - Engineering Sciences Data Unit, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • TD MEMO 6511 A-1969 음파 흐름에서 익형 단면 표면의 마루와 후연 사이의 압력 분포를 추정하는 방법

ES-AENOR, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • UNE 22-200-1985 장식용 슬레이트. 플레이크와 접시. 표면 곡률
  • UNE 22-191-1985 장식용 슬레이트. 플레이크와 접시. 흡수 및 비표면적 중량

Professional Standard - Traffic, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • JT/T 991-2015 교량 콘크리트 표면 보호용 실란 페이스트 소재

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • ECA EIA-944-2002 표면 실장 페라이트 칩 비드에 대한 자격 사양
  • ECA EIA-944-2013 표면 실장 페라이트 칩 비드 인증 규격
  • ECA SP 4984-2005 ANSI/EIA/ECA-955로 공개된 폴리머 음극을 사용한 표면 실장 알루미늄 전해 커패시터 칩

US-FCR, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., 실리콘 웨이퍼 표면 피크

ES-UNE, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • UNE-EN ISO 23157:2023 반응 가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정
  • UNE-EN 1388-2:1995 식품과 접촉하는 재료 및 물품의 규산염 표면 2부: 세라믹 용기 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 방출 측정

European Committee for Standardization (CEN), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • EN 1388-2:1995 식품과 접촉하는 재료 및 물품 규산염 표면 2부: 세라믹 이외의 규산염 표면에서 납 및 카드뮴 용해 측정
  • EN ISO 23157:2022 반응가스 크로마토그래피를 이용한 흄드 실리카 표면의 실라놀기 함량 측정

ECIA - Electronic Components Industry Association, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • EIA-944-2013 표면 실장 페라이트 칩 비드 인증 규격
  • EIA-944-2002 표면 실장 페라이트 칩 비드 인증 규격
  • CB-11-1986 다층 세라믹 칩 커패시터의 표면 실장 지침

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • GJB 960-1990 탄성 표면파 소자용 인공 수정 기판

工业和信息化部, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • SJ/T 11628-2016 태양전지의 실리콘 웨이퍼 크기 및 전기적 특성 분석을 위한 온라인 테스트 방법

Standard Association of Australia (SAA), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • ISO 7291:2010/Amd.1:2015 표면 화학 분석 기준 물질을 사용하는 실리콘 웨이퍼 표면에서 원소를 수집하는 화학적 방법 및 전반사 X선 형광(TXRF) 분광학을 통한 결정 수정 1

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • ECA CB-11-1986 다층 세라믹 칩 커패시터의 표면 실장 지침

SE-SIS, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

CZ-CSN, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • CSN 70 0527 Cast.1-1986 규산염 유리. 유리제품의 표면추출물의 정량분석방법. 실리카의 결정

(U.S.) Ford Automotive Standards, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

Professional Standard - Aviation, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • HB 5647-1998 블레이드 프로파일의 표시, 공차 및 블레이드의 표면 거칠기

BE-NBN, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • NBN T 63-160-1987 계면활성제. 세제 분말의 총 실리콘 함량 측정. 중량 측정

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • EN 50513:2009 태양광 웨이퍼 태양광 제조에 사용되는 결정질 실리콘 웨이퍼에 대한 데이터시트 및 제품 정보

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • GB/T 23656-2016 고무 화합물 침전 수화 실리카 CTAB 방법의 비표면적 측정

ZA-SANS, 실리콘 웨이퍼 표면 피크

  • SANS 5775:2004 도색되지 않은 강철 기판 및 관련 제품의 준비. 샌드블라스트 처리된 강판 표면의 표면 거칠기. 금속조직 시험편을 사용하여 측정한 분사 표면의 특성




©2007-2024 저작권 소유