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전반사 X선 형광 분광법

모두 12항목의 전반사 X선 형광 분광법와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 전반사 X선 형광 분광법와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 분석 화학.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 전반사 X선 형광 분광법

• GB/T 42360-2023 표면 화학 분석 물의 전반사 X선 형광 분광 분석
• GB/T 30701-2014 표면 화학 분석: 실리콘 웨이퍼 작업 표준 샘플의 표면 원소에 대한 화학 포집 방법 및 전반사 X선 형광 분광법(TXRF) 측정

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 전반사 X선 형광 분광법

• GB/T 40110-2021 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염에 대한 TXRF(전반사 X선 형광 분광법) 측정

British Standards Institution (BSI), 전반사 X선 형광 분광법

• PD ISO/TS 18507:2015 표면 화학 분석 생물학적 및 환경 분석에서의 전반사 X선 형광 분광학 응용
• BS PD ISO/TS 18507:2015 표면 화학 분석 생물학적 및 환경 분석에 전반사 X선 형광 분광법 활용
• BS ISO 17331:2004+A1:2010 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 작업 표준 물질의 표면에서 원소를 수집하는 화학적 방법과 전반사 X선 형광 분광법(TXRF)을 통한 결정
• BS ISO 14706:2000 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
• BS ISO 14706:2014 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정
• BS ISO 14706:2001 표면 화학 분석 전반사 X선 형광(TXRF) 분광법을 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 원소 오염 물질 측정

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 전반사 X선 형광 분광법

• KS D ISO 14706:2003 표면 화학 분석 전반사 X선 형광 분광법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면의 주요 오염물질 측정

International Organization for Standardization (ISO), 전반사 X선 형광 분광법

• ISO/TS 18507:2015 표면 화학 분석 생물학적 및 환경 분석에 전반사 X선 형광 분광법 활용
• ISO 17331:2004 표면 화학 분석 실리콘 웨이퍼 작업 기준 물질의 표면에서 원소를 수집하는 화학적 방법과 전반사 X선 형광 분광법을 통한 결정

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