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マイクロキャビティデバイス

マイクロキャビティデバイスは全部で 500 項標準に関連している。

マイクロキャビティデバイス 国際標準分類において、これらの分類：医療機器、 航空機と宇宙船の統合、 半導体ディスクリートデバイス、 歯科、 航空宇宙用の流体システムおよびコンポーネント、 電子機器、 電子および通信機器用の電気機械部品、 周波数制御と選択のための圧電および誘電デバイス、 光ファイバー通信、 金属材料試験、 航空宇宙エンジンおよび推進システム、 写真撮影のスキル、 バルブ、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 コンデンサ、 電気、磁気、電気および磁気測定、 マイクロプロセッサシステム、 計測学と測定の総合、 語彙、 総合電子部品、 光学機器、 機械、設備、装置の特性と設計、 電子管、 換気扇、扇風機、エアコン、 空気の質、 化学装置、 石油およびガス産業の機器、 電気工学総合、 絶縁流体、 通信機器の部品および付属品、 分析化学、 交通機関、 回転モーター、 電気機器部品、 ドキュメントイメージング技術、 無線通信、 映画、 インターフェースおよび相互接続機器、 非鉄金属製品、 油圧工学、 微生物学。


PL-PKN, マイクロキャビティデバイス

  • PN T06561-1971 マイクロ波測定器。 共振器波長計。 一般的な要件とテスト
  • PN-EN IEC 62435-7-2021-08 E 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 パート 7: マイクロ電気機械デバイス (IEC 62435-7:2020)

国家药监局, マイクロキャビティデバイス

  • YY/T 1797-2021 内視鏡手術器具、内視鏡切断ステープラーおよびコンポーネント

U.S. Military Regulations and Norms, マイクロキャビティデバイス

SAE - SAE International, マイクロキャビティデバイス

  • SAE AS1650-1992 カップリング コンポーネントはネジなしで柔軟性があり、固定キャビティは自己粘着性です。
  • SAE AS1652-1992 カップリングアセンブリねじなし固定キャビティフェルールタイプ自己接着剤
  • SAE AS1713B-1992 ハーフカップリングアセンブリフレキシブル可変キャビティネジ付きフェルールパイプエンド
  • SAE AS1713C-2006 ハーフカップリングアセンブリフレキシブル可変キャビティネジ付きフェルールタイプパイプエンド
  • SAE AS1650F-2018 ネジなしフレキシブル固定キャビティ粘着式カップリング コンポーネントの購入仕様
  • SAE AS1650E-2017 ネジなしフレキシブル固定キャビティ粘着式カップリング コンポーネントの購入仕様
  • SAE AS1650C-2016 ネジなしフレキシブル固定キャビティ粘着式カップリング コンポーネントの購入仕様
  • SAE AS1650D-2017 ネジなしフレキシブル固定キャビティ粘着式カップリング コンポーネントの購入仕様
  • SAE AS1738C-2009 ナットアセンブリカップリング剛性固定キャビティネジ付きフェルールタイプのパイプエンド
  • SAE AS1714C-1995 ナットアセンブリカップリングフレキシブル可変キャビティネジ付きフェルールパイプエンド
  • SAE AS1738B-1993 ナットアセンブリカップリング剛性固定キャビティネジ付きフェルールタイプのパイプエンド

Society of Automotive Engineers (SAE), マイクロキャビティデバイス

  • SAE AS1650-1998 カップリング アセンブリ、ネジなし、フレキシブル、固定ハウジング、粘着式
  • SAE AS1652A-2013 カップリング アセンブリ、ネジなしフレキシブル、固定キャビティ、粘着式
  • SAE AS1712B-2004 カップリング アセンブリ、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール チューブ端
  • SAE AS1712C-2013 カップリング アセンブリ、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール チューブ端
  • SAE AS7515C-2023 カップリング アセンブリ、ネジなし、フレキシブル、固定キャビティ、通電、粘着式
  • SAE AS1650A-1999 カップリング アセンブリ、ネジなし、フレキシブル、固定キャビティ、粘着式、購入仕様
  • SAE AS1650A-2005 カップリング アセンブリ、ネジなし、フレキシブル、固定キャビティ、粘着式、購入仕様
  • SAE AS1738A-1990 ナットアセンブリカップリング、リジッド、固定キャビティ、ネジ付きフェルールタイプのパイプエンド
  • SAE AS1738B-2007 ナットアセンブリカップリング、リジッド、固定キャビティ、ネジ付きフェルールタイプのパイプエンド
  • SAE AS1738C-2015 ナットアセンブリカップリング、リジッド、固定キャビティ、ネジ付きフェルールタイプのパイプエンド
  • SAE AS1714C-2002 ナット アセンブリ、カップリング、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール タイプ パイプ エンド
  • SAE AS1714-1982 ナット アセンブリ、カップリング、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール タイプ パイプ エンド
  • SAE AS1714A-1984 ナット アセンブリ、カップリング、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール タイプ パイプ エンド
  • SAE AS1714B-1992 ナット アセンブリ、カップリング、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール タイプ パイプ エンド
  • SAE AS1714D-2013 ナット アセンブリ、カップリング、フレキシブル、可変キャビティ、ネジ付き、フェルール タイプ パイプ エンド
  • SAE AS5832-2006 ネジなしの柔軟な固定キャビティ、通電性、粘着性の組み合わせのカップリング コンポーネント
  • SAE AS1738-1984 ナットアセンブリカップリング、リジッド、固定キャビティ、ネジ付き、フェルールエンド、タイプ I
  • SAE AS1142-2002 1992年 マイクロ電子デバイスの気密性試験

Professional Standard - Aerospace, マイクロキャビティデバイス

  • QJ 2782-1995 マイクロ波コンポーネントの用語
  • QJ 1886-1990 マイクロ波装置の一般的な技術条件
  • QJ 1996-1990 マイクロ波デバイスの試験方法
  • QJ 1886A-1997 マイクロ波機器の一般仕様
  • QJ 2733-1995 マイクロ波コンポーネントのグラフィック シンボル
  • QJ 2492-1993 マイクロ波周波数逓倍器の一般的な技術条件
  • QJ 3172-2003 マイクロ波コンポーネントの設置に関する技術要件
  • QJ 2146-1991 マイクロ波デバイスの分類と基本パラメータ
  • QJ 2300-1992 マイクロ波フェライト材料とデバイスシリーズのスペクトル

International Electrotechnical Commission (IEC), マイクロキャビティデバイス

  • IEC 60747-4:2001 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波デバイス
  • IEC 62047-33:2019 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 33 部: MEMS ピエゾ抵抗デバイス
  • IEC 62047-41:2021 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 41: RF MEMS サーキュレータおよびアイソレータ
  • IEC 60127-6:1994/AMD1:1996 改造1. ミニチュアヒューズ その6: ミニチュアボックスヒューズを接続するためのヒューズホルダー
  • IEC 60127-3/AMD1/COR1:1994 ミニチュアヒューズ その 3: 超小型ヒューズリンク 修正 1
  • IEC 60127-3/AMD1/COR2:1996 ミニチュアヒューズ その 3: 超小型ヒューズリンク 修正 1
  • IEC 62047-9:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 9: 微小電気機械システムシリコンウェーハのシリコンウェーハ接合強度試験
  • IEC 62047-9:2011/COR1:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 9: 微小電気機械システムシリコンウェーハのシリコンウェーハ接合強度試験
  • IEC 60127-6:1994 ミニチュア ヒューズ パート 6: ミニチュア管状ヒューズ リンク用のヒューズ サポート
  • IEC 62148-15:2014 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • IEC 62148-15:2009 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • IEC 62148-15:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • IEC 60747-4:1991 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • IEC 62047-34:2019 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 34: シリコンウェーハ上の MEMS ピエゾ抵抗デバイスのテスト方法
  • IEC 60747-4-2:2000 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • IEC 60257:1968 マイクロヒューズヒューズリンク用ヒューズホルダー
  • IEC 60747-16-3:2002/AMD2:2017 修正 2. 半導体デバイス、パート 16-3: マイクロ波集積回路、周波数変換器
  • IEC 60747-16-1:2001/AMD2:2017 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路 アンプ 修正 2
  • IEC 60747-16-5:2013/AMD1:2020 修正 1. 半導体デバイス、パート 16-5: マイクロ波集積回路、発振器
  • IEC 62047-25:2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第25回 シリコンベースメモリ製造技術 - 微小接合部の引張・圧縮・せん断強度測定法
  • IEC 60747-16-7:2022 半導体デバイス、パート 16-7: マイクロ波集積回路、減衰器
  • IEC 60747-16-1:2001/AMD1:2007 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • IEC 60747-16-1:2007 半導体デバイス、パート 16-1: マイクロ波集積回路、アンプ
  • IEC 60747-16-5:2013 半導体デバイス、パート 16-5: マイクロ波集積回路、発振器
  • IEC 60747-16-3:2002+AMD1:2009+AMD2:2017 CSV 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器
  • IEC 60747-16-1:2001+AMD1:2007 CSV 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • IEC 60747-16-1:2001+AMD1:2007+AMD2:2017 CSV 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • IEC 60747-16-3:2002+AMD1:2009 CSV 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器
  • IEC 60747-16-6:2019 半導体デバイス パート 16-6: マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • IEC 60747-16-5:2013+AMD1:2020 CSV 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • IEC 60747-16-8:2022 半導体デバイス、パート 16-8: マイクロ波集積回路、リミッタ
  • IEC 60747-16-1:2017 半導体デバイス、パート 16-1: マイクロ波集積回路、アンプ
  • IEC 62047-32:2019 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第32部：MEMS共振器の非線形振動の試験方法
  • IEC 60747-4-1:2000 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタ ブランク 詳細仕様
  • IEC 60747-4/AMD2:1999 半導体デバイスディスクリートパート 4: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタの修正 2
  • IEC 60747-4/AMD1:1993 半導体デバイス個別パート 4: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタの修正 1
  • IEC 60747-16-3:2010 半導体デバイス 第 16 条の 3: マイクロ波集積回路周波数変換器
  • IEC 60148:1969 半導体デバイスおよび集積回路のアルファベット記号
  • IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • IEC 62047-37:2020 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第37部 センサー用MEMS圧電膜の環境試験方法
  • IEC 60747-16-3:2002 半導体デバイス、パート 16-3: マイクロ波集積回路、周波数変圧器
  • IEC 62148-15:2021 RLV 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • IEC 62047-15:2015 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第15回 PDMSとガラスの接合強度試験方法
  • IEC 60747-16-4:2004/AMD1:2009 修正 1. 半導体デバイス、パート 16-4: マイクロ波集積回路、スイッチ
  • IEC 60747-16-2:2001 半導体デバイス パート 16-2: マイクロ波集積回路周波数プリスケーラー
  • IEC 60747-16-2:2001/AMD1:2007 半導体デバイス パート 16-2: マイクロ波集積回路 周波数プリスケーラー
  • IEC 60747-16-2:2001+AMD1:2007 CSV 半導体デバイス パート 16-2: マイクロ波集積回路周波数プリスケーラー
  • IEC 60747-16-2:2008 半導体デバイス パート 16-2: マイクロ波集積回路 周波数プリスケーラー
  • IEC 62047-5:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 5: 高周波 (RF) 微小電気機械システム (MEMS) スイッチ
  • IEC 62047-5:2011/COR1:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 5: 高周波 (RF) 微小電気機械システム (MEMS) スイッチ
  • IEC 60747-16-4:2004/AMD2:2017 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • IEC 60127-2/AMD2:2000 マイクロヒューズ パート 2: 管状ヒューズ リンク 修正 2
  • IEC 60127-2:2003/AMD1:2003 ミニチュアヒューズ パート 2: 管状ヒューズリンク 修正 1
  • IEC 60747-16-4:2011 半導体デバイス、パート 16-4: マイクロ波集積回路、スイッチ
  • IEC 60127-2/AMD1:1995 ミニチュアヒューズ パート 2: 管状ヒューズリンク 修正 1
  • IEC 60747-16-4:2004 半導体デバイス、パート 16-4: マイクロ波集積回路、スイッチ
  • IEC 60747-16-4:2004+AMD1:2009+AMD2:2017 CSV 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • IEC 60747-16-4:2004+AMD1:2009 CSV 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • IEC 62047-20:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 20: ジャイロスコープ
  • IEC 60747-16-5:2013/AMD1:2020/COR1:2020 正誤表 1 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • IEC 62047-30:2017 半導体デバイス ～微小電気機械デバイス～ 第30回 MEMS圧電膜の電気機械変換特性の測定方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, マイクロキャビティデバイス

  • GB/T 20516-2006 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波デバイス
  • GB/T 32817-2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス MEMS 一般仕様書
  • GB/T 41853-2022 半導体デバイスとMEMSデバイスのウエハ間の接合強度の測定
  • GB/T 42709.19-2023 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第19部：電子コンパス
  • GB/T 42709.5-2023 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: 高周波 MEMS スイッチ
  • GB/T 20870.1-2007 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • GB/T 20870.5-2023 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • GB/T 11281-2009 マイクロモーター用歯車減速機の一般技術条件
  • GB/T 19404-2003 マイクロ波フェライトデバイスの主な性能測定方法
  • GB/T 21039.1-2007 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタ ブランク 詳細仕様
  • GB/T 20870.2-2023 半導体デバイス パート 16-2: マイクロ波集積回路プリスケーラー
  • GB/T 41852-2022 半導体デバイスのMEMS構造の接合強度の曲げ試験およびせん断試験方法
  • GB/T 42709.7-2023 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 7: 無線周波数制御および選択用の MEMS バルク弾性波フィルタおよびダイプレクサ

Association Francaise de Normalisation, マイクロキャビティデバイス

  • NF EN 62418:2011 半導体デバイス - メタライゼーション応力によって引き起こされるテストキャビティ
  • NF EN 62047-26:2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第26回：マイクロトレンチ・マイクロニードル構造の説明と測定方法
  • NF EN 62047-12:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第12回：微小電気機械システム構造の利用（半導体デバイス）
  • NF EN 62149-2:2015 光ファイバーアクティブコンポーネントとデバイス性能基準パート 2: 垂直共振器面発光 850nm レーザー単一デバイス
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験
  • NF EN 60127-6:2014 ミニチュアサーキットブレーカー パート 6: ミニチュアサーキットブレーカーボックス用のブラケットコンポーネント
  • NF EN 62047-20:2014 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 20: ジャイロスコープ
  • NF EN 62047-5:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 5: MEMS-RF スイッチ
  • NF EN 62047-19:2014 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 19: 電子コンパス
  • NF C93-171:1985 電子機器部品、トリマーコンデンサ
  • NF EN 60127-1/A2:2015 ミニチュアサーキットブレーカー パート 1: ミニチュアサーキットブレーカーの定義とミニチュア交換部品の一般要件
  • NF EN 60127-1:2006 ミニチュアサーキットブレーカー パート 1: ミニチュアサーキットブレーカーの定義とミニチュア交換部品の一般要件
  • NF EN 60127-1/A1:2011 ミニチュアサーキットブレーカー パート 1: ミニチュアサーキットブレーカーの定義とミニチュア交換部品の一般要件
  • NF EN 62047-1:2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 1: 用語と定義
  • NF EN 62047-4:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 4: MEMS 一般仕様
  • NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: マイクロピラー技術を使用した MEMS 材料の圧縮試験
  • NF C93-884-2*NF EN 62149-2:2015 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス 性能基準 パート 2: 850 nm 個別垂直共振器面発光レーザー
  • NF C93-883-15*NF EN IEC 62148-15:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザー
  • NF C93-883-15*NF EN 62148-15:2015 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイスのパッケージングおよびインターフェースに関する規格 パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • NF EN 60127-7:2016 小型サーキットブレーカー パート 7: 特殊用途向けの小型交換コンポーネント
  • NF EN IEC 62435-7:2021 電子部品 半導体電子デバイスの長期保存 第 7 部: マイクロ電気機械デバイス
  • NF EN 60127-5:2017 ミニチュアサーキットブレーカー パート 5: ミニチュア交換部品の品質評価に関するガイドライン
  • NF C96-435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第7部：微小電気機械デバイス
  • NF EN 62047-11:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 11 部: 微小電気機械システムの内蔵材料の線熱膨張係数の試験方法
  • NF C96-050-7*NF EN 62047-7:2011 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 7: RF 制御および選択用の MEMS BAW フィルター
  • NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • NF C96-016-5*NF EN 60747-16-5:2014 半導体デバイス、パート 16-5: マイクロ波集積回路、発振器
  • NF C96-016-1/A1*NF EN 60747-16-1/A1:2013 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • NF C96-016-1/A2*NF EN 60747-16-1/A2:2017 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • NF EN IEC 60747-16-8:2023 半導体デバイス - パート 16-8: マイクロ波集積回路 - リミッター
  • NF EN 60747-16-1/A1:2013 半導体デバイス - パート 16-1: マイクロ波集積回路 - アンプ
  • NF EN 60747-16-1:2003 半導体デバイス - パート 16-1: マイクロ波集積回路 - アンプ
  • NF EN IEC 60747-16-6:2019 半導体デバイス - パート 16-6: マイクロ波集積回路 - 周波数逓倍器
  • NF EN 60747-16-5/A1:2020 半導体デバイス - パート 16-5: マイクロ波集積回路 - 発振器
  • NF EN 60747-16-1/A2:2017 半導体デバイス - パート 16-1: マイクロ波集積回路 - アンプ
  • NF EN IEC 60747-16-7:2023 半導体デバイス - パート 16-7: マイクロ波集積回路 - 減衰器
  • NF EN 60747-16-5:2014 半導体デバイス - パート 16-5: マイクロ波集積回路 - 発振器
  • NF C96-050-25*NF EN 62047-25:2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第25回 シリコンベースMEMS製造技術 マイクロボンディング部の引張・圧縮・せん断強度の測定方法
  • NF EN 62047-3:2006 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 3: 引張試験用の標準フィルム試験片
  • NF EN 60127-3/A1:2020 小型サーキットブレーカ パート 3: 超小型交換部品
  • NF EN 60127-3:2015 小型サーキットブレーカ パート 3: 超小型交換部品
  • NF EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • NF EN 62047-9:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 9: 2 枚のウェーハの MEMS 接合抵抗測定
  • NF EN 60747-16-3/A2:2017 半導体デバイス - パート 16-3: マイクロ波集積回路 - 周波数コンバータ
  • NF EN 60747-16-3/A1:2013 半導体デバイス - パート 16-3: マイクロ波集積回路 - 周波数コンバータ
  • NF EN 60747-16-3:2003 半導体デバイス - パート 16-3: マイクロ波集積回路 - 周波数コンバータ
  • NF EN 62047-7:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 7: RF 制御および選択用の BAW MEMS フィルタおよびダイプレクサ
  • NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第21回：薄膜MEMS材料のポアソン比の試験方法
  • NF Z43-010:1984 マイクロ写真撮影、マイクロフォームリーダーの鮮明度のテスト、ISO マイクロフォームテストカード、サイズ 1 の説明書と使用法
  • NF EN 62047-25:2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 25: シリコンベースの MEMS 製造技術 - 微細はんだ領域の引張、圧縮、せん断強度の測定方法
  • UTE C93-720U*UTE C93-720:1995 マイクロ波用途のプリント基板検査用電子部品
  • NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14部 金属層材料の形成限界の測定方法
  • NF C96-050-5*NF EN 62047-5:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 5: 高周波 (RF) 微小電気機械システム (MEMS) スイッチ
  • NF C96-050-20*NF EN 62047-20:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 20: ジャイロスコープ
  • NF C96-016-4*NF EN 60747-16-4:2004 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • NF C96-016-4/A2*NF EN 60747-16-4/A2:2017 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • NF EN 60747-16-4/A1:2012 半導体デバイス - パート 16-4: マイクロ波集積回路 - スイッチ
  • NF EN 60747-16-4:2004 半導体デバイス - パート 16-4: マイクロ波集積回路 - スイッチ
  • NF EN 60747-16-4/A2:2017 半導体デバイス - パート 16-4: マイクロ波集積回路 - スイッチ
  • NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 17 部: 薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法
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Professional Standard - Medicine, マイクロキャビティデバイス

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  • BS EN 60127-6:2014 マイクロヒューズ マイクロチューブラーヒューズリンク用ヒューズホルダー
  • BS EN 62148-15:2014 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、ディスクリート垂直共振器面発光レーザーパッケージ
  • BS EN 62148-15:2010 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、ディスクリート垂直共振器面発光レーザーパッケージ
  • BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ
  • BS EN IEC 60747-16-6:2019 半導体装置マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • BS EN 60747-16-1:2002+A2:2017 半導体デバイスマイクロ波集積回路増幅器
  • BS EN 60747-16-3:2002+A2:2017 半導体装置マイクロ波集積回路インバータ
  • BS EN 60747-16-5:2013+A1:2020 半導体デバイスマイクロ波集積回路発振器
  • BS EN 60747-16-1:2002+A1:2007 半導体デバイス、マイクロ波集積回路、アンプ
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  • BS IEC 62047-32:2019 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMS共振器の非線形振動試験方法
  • BS IEC 62047-41:2021 半導体デバイス マイクロ電気機械装置 RFMEMS サーキュレータおよびアイソレータ
  • BS EN 60747-16-4:2004+A2:2017 半導体装置マイクロ波集積回路スイッチ
  • BS EN IEC 62148-15:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • BS IEC 60747-16-2:2001 半導体装置マイクロ波集積回路周波数プリスケーラ
  • BS IEC 62047-37:2020 半導体デバイス・微小電気機械デバイス・センサー用MEMS圧電膜の環境試験方法
  • BS EN 62047-2:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の引張試験方法
  • BS IEC 62047-35:2019 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、フレキシブル電気機械デバイスの曲げ変形下における電気的特性の試験方法
  • BS EN 62047-20:2014 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、ジャイロスコープ
  • BS IEC 62047-28:2017 半導体デバイス微小電気機械デバイス振動駆動MEMSエレクトレットエネルギーハーベスティングデバイスの性能試験方法
  • BS EN 60747-16-3:2002+A1:2009 半導体デバイス、パート 16-3: マイクロ波集積回路、周波数変換器
  • BS EN 60747-16-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、マイクロ波集積回路、スイッチ
  • BS EN 62047-19:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、電子コンパス
  • BS IEC 62047-30:2017 半導体デバイス微小電気機械デバイスMEMS圧電膜電気機械変換特性測定方法
  • 23/30454374 DC BS EN IEC 62047-47 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 47 部 シリコンベースの MEMS 製造技術 微細構造体の曲げ強度の測定方法
  • BS IEC 62047-42:2022 半導体デバイス微小電気機械デバイス圧電MEMSカンチレバービーム電気機械変換特性測定方法
  • BS IEC 62047-40:2021 半導体デバイス微小電気機械装置微小電気機械慣性衝撃スイッチング閾値試験方法
  • BS EN IEC 62435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイス 長期保存 マイクロ電気機械デバイス
  • BS EN 62148-5:2003 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、プラグインおよびインターフェース規格、SC 1x9 光ファイバーマイクロモジュール
  • BS EN 60749-35:2006 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、プラスチックでカプセル化された電子デバイスの音響顕微鏡法。
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  • BS EN 62047-26:2016 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、マイクログルーブおよびピンホール構造の記述と測定方法
  • 18/30379483 DC BS EN 62435-7 電子部品の長期保管パート 7 マイクロ電気機械デバイス
  • BS EN 60747-16-1:2002 個別半導体デバイスおよび集積回路、マイクロ波集積回路、アンプ
  • BS IEC 62047-29:2017 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス用の独立した導電性フィルムの室温における電気機械緩和の試験方法
  • BS IEC 62047-31:2019 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス用積層MEMS材料の界面付着エネルギーの4点曲げ試験方法
  • 22/30437195 DC BS IEC 62047-43 半導体デバイスおよびマイクロ電気機械デバイス パート 43 周期曲げ変形後のフレキシブル電気機械デバイスの電気的特性の試験方法
  • 21/30436870 DC BS IEC 60747-16-9 半導体デバイス パート 16-9 マイクロ波集積回路移相器
  • 20/30414411 DC BS EN 60747-16-7 半導体デバイス パート 16-7 マイクロ波集積回路減衰器
  • 20/30414415 DC BS EN 60747-16-8 半導体デバイス パート 16-8 マイクロ波集積回路リミッタ
  • 20/30431960 DC BS EN 60747-16-8 半導体デバイス パート 16-8 マイクロ波集積回路リミッタ

Danish Standards Foundation, マイクロキャビティデバイス

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  • DS/EN 62149-2:2009 光ファイバーアクティブコンポーネントとデバイス性能基準パート 2: 850 nm ディスクリート垂直共振器面発光レーザーデバイス
  • DS/EN 62149-7:2012 光ファイバーアクティブコンポーネントとデバイス性能基準パート 7: 1 310 nm 個別垂直共振器面発光レーザーデバイス
  • DS/EN 62047-1:2006 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」パート 1: 用語と定義
  • DS/EN IEC 62435-7:2021 電子部品「電子半導体デバイスの長期保存」第7回：微小電気機械デバイス
  • DS/EN 62148-15:2010 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイスのパッケージングおよびインターフェースの規格 パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • DS/EN IEC 62148-15:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス「パッケージングおよびインターフェース規格」パート 15: ディスクリート垂直キャビティ面発光レーザーのパッケージング
  • DS/EN 62047-3:2007 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 3 部: 引張試験用フィルム標準試験片
  • DS/EN 60747-16-1/A1:2007 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • DS/EN 60747-16-1:2002 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • DS/EN 60747-16-5:2013 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • DS/EN 62047-2:2007 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第２部：薄膜材料の引張試験方法
  • DS/EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • DS/EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • DS/EN 60747-16-3/A1:2009 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • DS/EN 60747-16-3:2002 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • DS/EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • DS/EN 60747-16-4/A1:2011 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • DS/EN 60747-16-4:2004 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ

ES-UNE, マイクロキャビティデバイス

  • UNE-EN 62047-10:2011 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
  • UNE-EN 62149-7:2012 光ファイバーアクティブコンポーネントとデバイス性能基準パート 7: 1310nm ディスクリート垂直共振器面発光レーザーデバイス
  • UNE-EN 62149-2:2014 光ファイバーアクティブコンポーネントとデバイス性能基準パート 2: 850 nm ディスクリート垂直共振器面発光レーザーデバイス
  • UNE-EN 62047-20:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 20: ジャイロスコープ
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  • UNE-EN 62047-5:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • UNE-EN 62047-26:2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第26回：マイクロトレンチ構造とピン構造の説明と測定方法
  • UNE-EN 62047-4:2010 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第4部：MEMS一般仕様
  • UNE-EN 62047-1:2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 1: 用語と定義
  • UNE-EN 62148-15:2014 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイスのパッケージングおよびインターフェースに関する規格 パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • UNE-EN IEC 62435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第 7 部: マイクロ電気機械デバイス
  • UNE-EN 62047-3:2006 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第3部：引張試験用フィルム標準試験片
  • UNE-EN 62047-9:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第9部：MEMSウェハ間接合強度測定
  • UNE-EN 60747-16-1:2002 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
  • UNE-EN IEC 60747-16-7:2023 半導体デバイス パート 16-7: マイクロ波集積回路減衰器
  • UNE-EN IEC 60747-16-8:2023 半導体デバイス パート 16-8: マイクロ波集積回路リミッター
  • UNE-EN 60747-16-5:2013/A1:2020 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • UNE-EN IEC 60747-16-6:2019 半導体デバイス パート 16-6: マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • UNE-EN 60747-16-5:2013 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • UNE-EN 62047-11:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 11 部：微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法
  • UNE-EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • UNE-EN 62047-25:2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第25回 シリコンベースMEMS製造技術 マイクロジョイント部の引張・圧縮・せん断強度の測定方法
  • UNE-EN 60747-16-3:2002 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • UNE-EN 60747-16-3:2002/A1:2009 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • UNE-EN 60747-16-3:2002/A2:2017 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
  • UNE-EN 62047-7:2011 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 7: RF 制御および選択用の MEMS BAW フィルタおよびダイプレクサ
  • UNE-EN 62047-6:2010 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸疲労試験方法
  • UNE-EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 21 部: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
  • UNE-EN 60747-16-4:2004 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • UNE-EN 60747-16-4:2004/A1:2011 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • UNE-EN 60747-16-4:2004/A2:2017 半導体デバイス パート 16-4: マイクロ波集積回路スイッチ
  • UNE-EN 62047-17:2015 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第17回：薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法
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  • UNE-EN 62047-2:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。

German Institute for Standardization, マイクロキャビティデバイス

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  • DIN EN 62047-26:2016-12 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第26回：マイクロトレンチ構造とピン構造の説明と測定方法
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  • DIN EN 62047-9:2012-03 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第9部：MEMSウェハ間接合強度測定
  • DIN EN 62047-2:2007-02 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • DIN EN 60747-16-1:2007 半導体デバイス、パート 16-1: マイクロ波集積回路、アンプ
  • DIN EN 60747-16-5:2021-08 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • DIN EN IEC 60747-16-6:2021-08 半導体デバイス パート 16-6: マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • DIN EN 60747-16-1:2017-10 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器
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  • DIN EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験 (IEC 62047-10-2011)、ドイツ語版 EN 62047-10-2011
  • DIN EN 62047-18:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • DIN EN 62047-25:2017-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第25回 シリコンベースのMEMS製造技術 - 微細接合部の引張・圧縮・せん断強度の測定法
  • DIN EN 62047-6:2010-07 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • DIN EN 60747-16-3:2018-04 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数コンバータ
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TH-TISI, マイクロキャビティデバイス

  • TIS 527-1984 ミニチュアヒューズ標準品 ヒューズサポートパーツ
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  • GJB/Z 83-1996 航空宇宙用電子部品 マイクロ波部品のセレクションガイド
  • GJB 2650-1996 マイクロ波コンポーネントの性能試験方法
  • GJB 548B-2005 マイクロ電子デバイスのテスト方法と手順
  • GJB 548A-1996 マイクロ電子デバイスのテスト方法と手順
  • GJB 548C-2021 マイクロ電子デバイスのテスト方法と手順
  • GJB 548-1988 マイクロ電子デバイスのテスト方法と手順
  • GJB 757-1989 レーダーマイクロ波装置用合成マイカ大型シングルチップ
  • GJB 8481/1-2021 マイクロ波コンポーネント WBB0002 8 次周波数逓倍器の詳細仕様
  • GJB 8481/3-2021 マイクロ波コンポーネント WBB0008 5 倍周波逓倍器の詳細仕様
  • GJB 8481/2-2021 マイクロ波コンポーネント WBB0006 8 次周波数逓倍器の詳細仕様
  • GJB 10196-2021 固体マイクロ波パワーデバイスの加速寿命試験方法
  • GJB 1557A-2021 半導体ディスクリートデバイスのマイクロ波ダイオードの寸法
  • GJB 1557-1992 半導体ディスクリートデバイスのマイクロ波ダイオードの寸法
  • GJB 8481/4-2021 マイクロ波コンポーネント WBB0009型 18次周波数逓倍器 詳細仕様
  • GJB/Z 40.3-1993 軍用真空電子機器シリーズスペクトルマイクロ波管
  • GJB/Z 41.1-1993 軍用半導体ディスクリートデバイスシリーズスペクトルマイクロ波ダイオード

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, マイクロキャビティデバイス

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Professional Standard - Machinery, マイクロキャビティデバイス

  • JB/T 6849-1993 マイクロフィルム技術 マイクロフィルムリーダー画面の技術条件
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  • EN 62047-26:2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 26 部: マイクロトレンチおよびピン構造の説明と測定方法
  • EN IEC 62148-15:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイスのパッケージングおよびインターフェースの規格 パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • EN 62148-15:2010 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • EN 62148-15:2014 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング
  • EN IEC 62435-7:2021 電子部品 電子半導体デバイスの長期保存 第7部：微小電気機械デバイス
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  • EN 60747-16-5:2013/A1:2020 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器
  • EN IEC 60747-16-6:2019 半導体デバイス パート 16-6: マイクロ波集積回路周波数逓倍器
  • EN 62047-25:2016 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第25回 シリコンベースMEMS製造技術 マイクロボンディング部の引張・圧縮・せん断強度の測定方法
  • EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • EN 62047-10:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: 微小電気機械システム (MEMS) 材料のマイクロピラー圧縮試験
  • EN 62047-3:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、その 3: 引張試験用フィルム標準試験片
  • EN 60747-16-3:2002 半導体デバイス、パート 16-3: マイクロ波集積回路、周波数変換器、修正 A1-2009 を含む
  • EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第21回 薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
  • EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • EN 62047-15:2015 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第15回 PDMSとガラスの接合強度試験方法
  • EN 60335-2-52:2003 家庭用および類似の電気製品の安全性 パート 2-52: 口腔ケア器具の特別要件、修正 A1-2008 を含む
  • EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • EN 62047-2:2006 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 IEC 62047-2:2006
  • EN 60747-16-1:2002 半導体デバイス、パート 16-1: マイクロ波集積回路、アンプ、リビジョン A1 を含む: 2007 年 2 月
  • EN 62047-17:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 17 部: 薄膜の機械的特性を測定するためのバンプテスト方法

未注明发布机构, マイクロキャビティデバイス

BELST, マイクロキャビティデバイス

  • STB 967-94 マイクロ部品と弾性波デバイスの分類と記号

United States Navy, マイクロキャビティデバイス

  • NAVY QPL-5504-35 NOTICE 1-2007 微粉塵油圧フィルタおよびフィルタエレメント
  • NAVY QPL-5504-35-2002 微粉塵油圧フィルタおよびフィルタエレメント
  • NAVY QPL-5504-2012 油圧マイクロフィルターとフィルターエレメント
  • NAVY QPL-5504-2011 フィルタおよびフィルタエレメント、流体圧、油圧ミニチュアタイプ
  • NAVY MIL-F-5504 B NOTICE 1-1996 油圧ミクロン流体圧フィルターおよびフィルターエレメント
  • NAVY MIL-F-5504 B (3)-1982 油圧ミクロン流体圧フィルターおよびフィルターエレメント
  • NAVY MIL-F-5504 B-1958 油圧ミクロン流体圧フィルターおよびフィルターエレメント
  • NAVY QPL-8815-36-2002 タイプ 2 シリーズ 15 ミクロン絶対および 5 ミクロン絶対油圧ライン流体圧力フィルタおよびフィルタ エレメントの一般規定
  • NAVY QPL-8815-2013 フィルタおよびフィルタエレメント、流体圧力、油圧ライン、15 ミクロンアブソリュートおよび 5 ミクロンアブソリュート、タイプ II システム、一般仕様

Lithuanian Standards Office , マイクロキャビティデバイス

  • LST EN 62047-10-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験 (IEC 62047-10:2011)
  • LST EN 62149-7-2012 光ファイバーアクティブコンポーネントとデバイス性能基準パート 7: 1 310 nm ディスクリート垂直共振器面発光レーザーデバイス (IEC 62149-7:2012)
  • LST EN 62047-4-2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 4: MEMS の一般仕様 (IEC 62047-4:2008)
  • LST EN IEC 62148-15:2021 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイスのパッケージングおよびインターフェースの規格パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング (IEC 62148-15:2021)
  • LST EN IEC 62435-7:2021 電子部品 - 電子半導体デバイスの長期保管 - パート 7: マイクロ電気機械デバイス (IEC 62435-7:2020)
  • LST EN 62148-15-2010 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイスのパッケージングおよびインターフェースの規格 パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーのパッケージング (IEC 62148-15:2009)
  • LST EN 62148-15-2014 光ファイバーアクティブコンポーネントおよびデバイス、パッケージングおよびインターフェース規格、パート 15: ディスクリート垂直共振器面発光レーザーパッケージ (IEC 62148-15-2014)
  • LST EN 62047-3-2007 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 3: 引張試験用のフィルム標準試験片 (IEC 62047-3:2006)
  • LST EN 62047-9-2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 9: MEMS ウェーハ間接合強度測定 (IEC 62047-9:2011)
  • LST EN 62047-2-2007 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)
  • LST EN 62047-7-2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 7: 無線周波数制御および選択用の MEMS BAW フィルタおよびデュプレクサ (IEC 62047-7:2011)
  • LST EN 62047-6-2010 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6:2009)
  • LST EN 60747-16-3-2003 半導体デバイス パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器 (IEC 60747-16-3:2002)
  • LST EN 60747-16-1-2003 半導体デバイス パート 16-1: マイクロ波集積回路増幅器 (IEC 60747-16-1:2001)

Professional Standard - Electron, マイクロキャビティデバイス

  • SJ 2524-1984 マイクロ波信号発生器。 技術的条件
  • SJ/T 10747-1996 マイクロ波電子機器のリードカラーマーキング
  • SJ 2241-1982 同心トリマコンデンサの一般的な技術条件
  • SJ 1583-1980 ガラス誘電体トリマコンデンサの一般的な技術条件
  • SJ 1624-1980 マイクロ波フェライトアイソレータおよびサーキュレータ 一般技術条件（暫定）
  • SJ 20527.2-1995 マイクロ波コンポーネント WFZ817 電圧制御発振器の詳細仕様
  • SJ 20527.3-2001 マイクロ波コンポーネント詳細仕様 WFZ816A型電圧制御発振器
  • SJ 2915-1988 マイクロ波フェライト単結晶デバイスの用語と定義
  • SJ 20527.6-2003 マイクロ波コンポーネント WFB2002型ローノイズアンプ 詳細仕様
  • SJ 20527.1-1995 マイクロ波コンポーネント WFH362 ダブルバランスミキサーの詳細仕様
  • SJ 2240-1982 空気誘電体チップトリマーコンデンサの一般的な技術条件
  • SJ 20527.7-2003 マイクロ波コンポーネント WFZ1006 位相同期誘電体発振器の詳細仕様
  • SJ/T 10931-1996 電子部品詳細仕様書 半導体マイコン集積回路 Cμ6800型8ビットマイクロプロセッサ（認証取得可能）
  • SJ 2739-1986 マイクロコントロールモーター用減速機の一般技術条件
  • SJ/T 10037-1991 電子部品詳細仕様 半導体集積回路 Cμ402型 4ビットマイクロプロセッサ

RU-GOST R, マイクロキャビティデバイス

  • GOST 23468-1985 マイクロカリキュレーター 一般的な技術条件
  • GOST 24459-1980 メモリおよびメモリコンポーネント用のマイクロ集積回路 基本パラメータ
  • GOST 28623-1990 半導体デバイス パート 10. 個別デバイスおよび集積マイクロ回路の一般的な技術条件形式
  • GOST R 54843-2011 マイクロシステム技術製品 物理量用マイクロ電気機械センサーの高感度コンポーネント 一般仕様
  • GOST R 50730.2-1995 マイクロ波フェライトデバイス、大電力時の損失測定方法

Professional Standard - Aviation, マイクロキャビティデバイス

  • HBm 65.4-1987 軽トラック用クラッチの技術仕様
  • HBm 65.14-1988 軽トラック主減速機とデフの技術条件
  • HBm 66.14-1988 軽トラック主減速機とデフの技術条件
  • HBm 66.54-1990 軽トラック用電動水汲み装置の技術仕様
  • HBm 65.5-1987 軽トラック用クラッチアッセンブリ技術条件
  • HBm 66.38-1990 軽トラックのデフプラネタリーとサイドギヤの技術的条件

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), マイクロキャビティデバイス

  • JIS C 5630-26:2017 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 26: マイクロトレンチおよびニードル構造の説明と測定方法
  • JIS C 5630-3:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 3: 引張試験用フィルム標準試験片
  • JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • JIS C 5630-20:2015 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 20: ジャイロスコープ
  • JIS K 3602 AMD 1:2006 微生物センサーによる生物化学的酸素要求量（BOD）推定装置（変形例1）

Underwriters Laboratories (UL), マイクロキャビティデバイス

  • UL 586-1990 高効率パティキュレートエアフィルターエレメント
  • UL 586-1996 高効率パティキュレートエアフィルターエレメント

Professional Standard - Chemical Industry, マイクロキャビティデバイス

  • HG/T 4380-2012 固液マイクロサイクロン分離器の技術的条件
  • HG/T 5106-2016 化学プロセスにおける気液マイクロサイクロン分離装置の技術条件
  • HG/T 3916-2006 水道用スペクトル型マイコン滅菌器の技術条件

Group Standards of the People's Republic of China, マイクロキャビティデバイス

  • T/CEEIA 397-2019 マイクログリッド中央制御装置の技術条件
  • T/CITSA 13-2021 交通事故検知マイクロ波交通事故検知器の技術仕様
  • T/CASAS 029-2023 Sub-6GHz GaN RFデバイスのマイクロ波特性の試験方法
  • T/CIE 146-2022 MEMS（微小電気機械）デバイスのウエハ接合試験の評価方法

American National Standards Institute （ANSI), マイクロキャビティデバイス

PH-BPS, マイクロキャビティデバイス

  • PNS IEC 62435-7:2021 電子部品、電子半導体デバイスの長期保管、パート 7: マイクロ電気機械デバイス

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), マイクロキャビティデバイス

  • KS C IEC 60747-4:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4:2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4:2022 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4-2-2002(2022) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • KS C IEC 60747-4-2-2002(2017) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • KS C 2123-1997(2002) マイクロ波機器用フェライトコアの測定方法
  • KS C 2123-1982 マイクロ波機器用フェライトコアの測定方法
  • KS C IEC 62047-18:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-22:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタ ブランク 詳細仕様
  • KS C IEC 62047-7-2015(2020) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 7: 無線周波数制御および選択用の MEMS BAW フィルタおよびデュプレクサ
  • KS C IEC 60747-4-2:2002 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ 集積回路マイクロ波増幅器 詳細仕様は空白。
  • KS C IEC 60747-4-1:2002 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ、マイクロ波分野で有効なトランジスタ、詳細仕様は空白。
  • KS C IEC 62047-7:2015 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」パート 7: RF 制御および選択用の MEMS BAW フィルタおよびダイプレクサ

KR-KS, マイクロキャビティデバイス

  • KS C IEC 60747-4-2017 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 4 部: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • KS C IEC 60747-4-2022 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ

Defense Logistics Agency, マイクロキャビティデバイス

  • DLA SMD-5962-10220-2013 マイクロ回路、ハイブリッド、核事象検出器、低電力
  • DLA MIL-M-38510/18 B VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、TTL、レジスタファイル、モノリシックシリコン
  • DLA MS24287 REV D VALID NOTICE 2-2013 嵌合コンポーネント、コネクタ、ラックおよびパネル、マイクロ
  • DLA MS24287 REV D VALID NOTICE 1-2013 嵌合コンポーネント、コネクタ、ラックおよびパネル、マイクロ
  • DLA SMD-5962-88586 REV D-2004 MIL-STD-1553 タイプ バス - マイクロプロセッサ インターフェイス アセンブリ リニア ハイブリッド マイクロ回路
  • DLA MIL-DTL-83513/5 H (2)-2010 コネクタ、電気、長方形、ミニチュア、取り付け金具
  • DLA SMD-5962-90573 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、ECL、プログラマブル ロジック デバイス、モノリシック シリコン
  • DLA MS24695 REV A VALID NOTICE 1-2013 バネ式取り付けコンポーネント、コネクタ、ラックおよびパネル、小型
  • DLA SMD-5962-92121 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気的に消去可能なプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-93085 REV B-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気的に消去可能なプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-94668 REV B-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気的に消去可能なプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA A-A-55151 A-2012 コネクタ、電気、長方形、小型、極性ハウジング、プラグおよびレセプタクル、ロック ハードウェア キット
  • DLA SMD-5962-77042 REV J-2005 シリコンモノリシックレジスタファイルTTLショットキー低消費電力デジタルマイクロ回路バイブレータ
  • DLA SMD-5962-95557 REV B-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気可変フラッシュプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-89476 REV A-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、UV消去可能なプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-92338 REV A-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、BICMOS、ワンタイム プログラマブル、プログラマブル ロジック デバイス、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-94684 REV A-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気可変フラッシュプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-94713 REV A-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気可変フラッシュプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-92158 REV C-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS 64 マクロセル電気的にプログラマブル ロジック デバイス モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-97597 REV B-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気可変フラッシュプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン
  • DLA SMD-5962-97599 REV B-2008 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、電気可変フラッシュプログラマブルロジックデバイス、モノリシックシリコン

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), マイクロキャビティデバイス

US-Unspecified Preparing Activity, マイクロキャビティデバイス

  • DI-MGMT-81763 A-2009 カスタマイズされたマイクロ電子デバイスのソース保護計画

机械电子工业部, マイクロキャビティデバイス

国家机械工业局, マイクロキャビティデバイス

  • JB/T 8256.1-1999 透明マイクロフォームリーダーレンズの技術条件
  • JB/T 8256.2-1999 透明マイクロフォームリーダー検査フィルムの技術条件

European Committee for Standardization (CEN), マイクロキャビティデバイス

  • EN ISO 22916:2022 マイクロ流体デバイス 寸法、接続、および最初のデバイス分類に関する相互運用性要件

International Organization for Standardization (ISO), マイクロキャビティデバイス

  • ISO 22916:2022 マイクロ流体デバイス 寸法、接続、および最初のデバイス分類に関する相互運用性要件

CN-QIYE, マイクロキャビティデバイス

  • Q/GDW 11179.13-2015 電力量計用コンポーネントの技術仕様パート 13: マイクロコントローラー

Professional Standard - Electricity, マイクロキャビティデバイス

  • DL/T 770-2001 マイコン変圧器保護装置の一般技術条件

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., マイクロキャビティデバイス

  • IEEE C37.231-2006 マイクロプロセッサベースの保護デバイスファームウェア制御
  • IEEE 694-1985 マイクロプロセッサアセンブリ言語標準 (IEEE Computer Society Document)
  • IEEE 1754-1994 32 ビット マイクロプロセッサ アーキテクチャ標準 (IEEE Computer Society の文書)

TR-TSE, マイクロキャビティデバイス

  • TS 664 半導体デバイスおよび集積回路のアルファベット記号

AENOR, マイクロキャビティデバイス

  • UNE 21321:1978 半導体デバイスおよび集積回路のアルファベット記号

工业和信息化部, マイクロキャビティデバイス

  • YD/T 2827.5-2015 無線通信 RF およびマイクロ波デバイスの受動的相互変調レベルの測定方法 第 5 部: フィルター デバイス
  • SJ/T 11705-2018 マイクロ電子デバイスパッケージの接地および電源インピーダンス試験方法
  • SJ/T 11703-2018 デジタルマイクロ電子デバイスパッケージングのクロストーク特性の試験方法

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, マイクロキャビティデバイス

  • ECA EIA-967-2012 マイクロ シリアル アクセサリ 3 Gbs 4X シールドなしコネクタの仕様

Professional Standard - Non-ferrous Metal, マイクロキャビティデバイス

  • YS/T 942-2013 マイクロ波マグネトロン機器用貴金属及びその合金はんだ

BE-NBN, マイクロキャビティデバイス

  • NBN I-901-1968 Micronizer、可読性テスト、文書複製基準の説明

AT-OVE/ON, マイクロキャビティデバイス

  • OVE EN 60747-16-5-2021 半導体デバイス パート 16-5: マイクロ波集積回路発振器 (ドイツ語版)

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, マイクロキャビティデバイス

  • QC 750115-2000 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 4-1: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ マイクロ波電界効果トランジスタの空白の詳細仕様 (IEC 60747-4-1:2000)

Professional Standard - Agriculture, マイクロキャビティデバイス

  • NY 664-2003 小水力発電設備の電子制御装置の技術的条件

  光マイクロキャビティ, マイクロキャビティ干渉, マイクロキャビティ効果, マイクロキャビティ効果, マイクロキャビティ光学系, マイクロキャビティ光学系, マイクロキャビティ環境, マイクロキャビティモード, マイクロキャビティモード, マイクロキャビティ構造, マイクロキャビティデバイス, マイクロキャビティデバイス, マイクロキャビティとは何ですか, マイクロチャンバー, マイクロキャビティ周波数, マイクロキャビティ周波数, マイクロキャビティフォトニクス, 光マイクロキャビティ+, 微小共振器分光法, 生物学的微小空洞.

 



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