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RUAnalyse von Siliziumwafern
Für die Analyse von Siliziumwafern gibt es insgesamt 7 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Analyse von Siliziumwafern die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, analytische Chemie, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik.
American Society for Testing and Materials (ASTM), Analyse von Siliziumwafern
- ASTM F1726-97 Standardhandbuch zur Analyse der kristallographischen Perfektion von Siliziumwafern
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Analyse von Siliziumwafern
- KS D ISO 14706-2003(2018) Chemische Oberflächenanalyse – Messung von Oberflächenelementverunreinigungen auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektrometer
KR-KS, Analyse von Siliziumwafern
- KS D ISO 14706-2003(2023) Chemische Oberflächenanalyse – Messung von Oberflächenelementverunreinigungen auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektrometer
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Analyse von Siliziumwafern
- GB/T 30701-2014 Chemische Oberflächenanalyse. Chemische Methoden zur Sammlung von Elementen von der Oberfläche von Siliziumwafer-Arbeitsreferenzmaterialien und deren Bestimmung durch Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie (TXRF).
International Organization for Standardization (ISO), Analyse von Siliziumwafern
- ISO 17331:2004/Amd 1:2010 Chemische Oberflächenanalyse – Chemische Methoden zur Sammlung von Elementen von der Oberfläche von Siliziumwafer-Arbeitsreferenzmaterialien und deren Bestimmung durch Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie (TXRF); Änderung 1
German Institute for Standardization, Analyse von Siliziumwafern
- DIN 51456:2013 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Oberflächenanalyse von Siliziumwafern durch Multielementbestimmung in wässrigen Analyselösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
未注明发布机构, Analyse von Siliziumwafern
- DIN 51456 E:2012-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Oberflächenanalyse von Siliziumwafern durch Multielementbestimmung in wässrigen Analyselösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)